ГОСТ Р 71068-2023 Микросхемы интегральные микропроцессорные. Система параметров

Наименование параметра

Буквенное обозначение параметра

Пара-

метры,

Способ задания

Приме-

чание

русское

между-

народное

подле-

жащие обяза-

тель-

ному вклю-

чению в ТУ

нормы

1 Параметры микросхем

1.1 Выходное напряжение

-

ОП, Р

-

1.2 Выходное напряжение низкого уровня

+

ОП

-

1.3 Выходное напряжение высокого уровня

+

ОП

-

1.4 Выходное пороговое напряжение низкого уровня

+

ОП, Р

Для ЭСЛ-

микросхем

1.5 Выходное пороговое напряжение высокого уровня

+

ОП, Р

То же

1.6 Напряжение инжектора

+

ОП, Р

Для И2Л-

микросхем

1.7 Прямое падение напряжения на антизвонном диоде

-

ОП

-

1.8 Помехоустойчивость при низком уровне

-

ОП

-

1.9 Помехоустойчивость при высоком уровне

-

ОП

-

1.10 Отрицательное напряжение на выходе при заданном токе

-

ОП

-

1.11 Ток потребления

+

ОП

-

1.12 Ток потребления динамический

-

ОП

-

1.13 Ток потребления в состоянии "Выключено"

-

ОП

Для микросхем с тремя состоя-

ниями

1.14 Входной ток

-

ОП, Р

-

1.15 Входной ток низкого уровня

+

ОП, Р

-

1.16 Входной ток высокого уровня

+

ОП, Р

-

1.17 Ток утечки на входе

-

ОП

Для МДП-

микросхем

1.18 Ток утечки низкого уровня на входе

+

ОП

То же

1.19 Ток утечки высокого уровня на входе

+

ОП

"

1.20 Ток утечки на выходе

-

ОП

"

1.21 Ток утечки низкого уровня на выходе

+

ОП

"

1.22 Ток утечки высокого уровня на выходе

+

ОП

"

1.23 Ток короткого замыкания на выходе

-

ОП

-

1.24 Выходной ток

-

ОП, Р

-

1.25 Выходной ток низкого уровня

+

ОП

Для И2Л-

микросхем

1.26 Выходной ток высокого уровня

+

ОП

То же

1.27 Выходной ток в состоянии "Выключено"

-

ОП

Для микросхем с тремя состояни-

ями на выходе

1.28 Выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено"

+

ОП

То же

1.29 Выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено"

+

ОП

"

1.30 Потребляемая мощность

+

ОП

-

1.31 Динамическая потребляемая мощность

-

ОП

-

1.32 Рассеиваемая мощность

-

ОП

-

1.33 Время

t

t

+

ОП, Р, НР

-

1.34 Время задержки

-

ОП, Р

-

1.35 Время задержки распространения сигнала

-

ОП, Р

-

1.36 Время задержки распространения сигнала при включении

-

ОП, Р

-

1.37 Время задержки распространения сигнала при выключении

-

ОП, Р

-

1.38 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено"

-

ОП, Р

-

1.39 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено"

-

ОП, Р

-

1.40 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня

-

ОП, Р

-

1.41 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня

-

ОП, Р

-

1.42 Время задержки включения

-

ОП, Р

-

1.43 Время задержки выключения

-

ОП, Р

-

1.44 Время выбора

-

ОП

-

1.45 Время цикла

-

ОП

-

1.46 Время записи

-

ОП

-

1.47 Время считывания

-

ОП

-

1.48 Время умножения

-

ОП

-

1.49 Время выполнения операции

-

ОП

-

1.50 Длительность сигнала

-

ОП, Р, НР

-

1.51 Длительность сигнала низкого уровня

-

ОП, Р, НР

-

1.52 Длительность сигнала высокого уровня

-

ОП, Р, НР

-

1.53 Время фронта нарастания сигнала

-

ОП, Р

-

1.54 Время фронта спада сигнала

-

ОП, Р

-

1.55 Период следования импульсов тактов сигналов

-

ОП, Р

-

1.56 Длительность тактовых сигналов

-

ОП, Р

-

1.57 Длительность импульсов строба

-

ОП, Р

-

1.58 Частота

f

f

+

ОП, Р, НР

-

1.59 Частота следования импульсов тактовых сигналов

-

ОП, Р

-

1.60 Частота генерирования

-

ОП, Р

-

1.61 Входное сопротивление

-

ОП, НР

-

1.62 Выходное сопротивление

-

ОП, НР

-

1.63 Сопротивление входа/выхода

-

ОП, НР

Для комбини-

рованных входов-

выходов

1.64 Сопротивление резистора, встроенного в микросхему

-

ОП, НР

-

1.65 Входная емкость

+

ОП

-

1.66 Выходная емкость

+

ОП

-

1.67 Емкость входа/выхода

+

ОП

Для комбини-

рованных входов-

выходов

1.68 Разрядность данных

+

Н

-

1.69 Разрядность адреса

-

Н

-

1.70 Разрядность команды (микрокоманды)

-

Н

-

1.71 Разрядность каналов

-

Н

-

1.72 Разрядность АЛУ

-

Н

-

1.73 Разрядность регистров общего назначения

-

Н

-

1.74 Разрядность внутренних регистров состояния

-

Н

-

1.75 Количество команд (микрокоманд)

-

Н

-

1.76 Количество каналов ввода информации

-

Н

-

1.77 Количество каналов вывода информации

-

Н

-

1.78 Количество каналов ввода/вывода информации

-

Н

-

1.79 Количество регистров общего назначения

-

Н

-

1.80 Количество внутренних регистров состояния

-

Н

-

1.81 Количество каналов обмена

-

Н

-

1.82 Количество каналов запроса прерывания

-

Н

-

1.83 Количество уровня прерывания

-

Н

-

1.84 Количество режимов работы

-

Н

-

1.85 Количество адресуемых устройств ввода/вывода

-

Н

-

1.86 Количество операций в секунду

-

Н

-

1.87 Скорость обмена информацией с внешними устройствами

-

Н

-

1.88 Объем адресуемой памяти

-

Н

-

1.89 Объем памяти внутреннего стека

-

Н

-

1.90 Емкость ОЗУ

-

Н

-

1.91 Емкость ПЗУ

-

Н

-

1.92 Вид адресации

-

-

-

-

-

2 Параметры режима эксплуатации и (или) измерений

2.1 Напряжения питания

+

НР, Р

-

2.2 Напряжение смещения подложки

-

НР, Р

-

2.3 Входное напряжение

-

ОП, Р

-

2.4 Входное напряжение низкого уровня

+

ОП, Р

-

2.5 Входное напряжение высокого уровня

+

ОП, Р

-

2.6 Пороговое напряжение низкого уровня

-

ОП, Р

-

2.7 Пороговое напряжение высокого уровня

-

ОП, Р

-

2.8 Ток инжектора

+

НР

-

2.9 Выходной ток низкого уровня

+

ОП

-

2.10 Выходной ток высокого уровня

+

ОП

-

2.11 Ток нагрузки

-

ОП, Р

-

2.12 Время сохранения сигнала

-

ОП, Р

-

2.13 Время хранения информации

-

ОП

-

2.14 Время установления сигнала

-

ОП, Р

-

2.15 Время восстановления

-

ОП, Р

-

2.16 Время удержания

-

ОП, Р

-

2.17 Сопротивление нагрузки

-

ОП, НР

-

2.18 Емкость нагрузки

-

ОП, НР

-

Примечания

1 Для указания способа задания норм на параметры микросхем в настоящей таблице применены следующие обозначения:

- Н - номинальное значение параметра;

- НР - номинальное значение параметра с двухсторонним допускаемым отклонением (разбросом);

- Р - двухсторонние границы значения параметра (разброс) без указания номинального значения;

- ОП - односторонний предел значения параметра без указания номинального значения.

2 Необходимость включения в ТУ на конкретные типы микросхем параметров, не отмеченных как обязательные, а также дополнительных параметров, определяется разработчиком совместно с заказчиком и основным потребителем микросхем.

3 В ТУ устанавливают состав параметров 1.34-1.49, 1.59, 1.60, 1.68-1.92 в зависимости от специфики микросхем и наиболее полно характеризующий их по быстродействию.

4 В ТУ могут включаться производные параметров 1.34-1.57, буквенные обозначения которых образовывают по способу, указанному в ГОСТ Р 57441.

В этом случае способ задания норм на эти параметры следует брать из таблицы 1 для соответствующего параметра как основного.

5 Параметры 2.1, 2.4, 2.5, 2.9, 2.10, 2.18 дополнительно включают в таблицу предельно допустимых и предельных режимов эксплуатации ТУ.

Наименование

Контроль соответствия требованиям

параметра-

критерия годности

к конст-

рукции

стойкости к внешним воздействующим факторам

надежности

к воз-

дей-

ствию

к упа-

ковке

Виды испытаний

специ-

на теп-

лосто-

йкость

на вибро-

устой-

на вибро-

проч-

на удар-

ную

на воз-

дей-

на воз-

дей-

на воз-

дей-

на воздей-

ствие

на воздей-

ствие

на воздей-

ствие

крат-

ковре-

менное

дли-

тель-

ное

на воз-

дей-

на воз-

дей-

на воз-

дей-

на опре-

деле-

на без-

отказ-

на дол-

говеч-

на сох-

раня-

на хра-

нение

альных факто-

ров

при пайке

чиво-

сть

ность

проч-

ность

ствие оди-

ноч-

ных уда-

ров

ствие лине-

йного уско-

рения

ствие акус-

тиче-

ского шума

повы-

шенной темпе-

ратуры среды при экс-

плуа-

тации

пони-

женной темпе-

ратуры среды при экс-

плуа-

тации

изме-

нения темпе-

ратуры окру-

жаю-

щей среды

на воздействие повышенной влажности воздуха

ствие атмо-

сфе-

рного пони-

жен-

ного дав-

ления

ствие повы-

шен-

ного дав-

ления

ствие инея и росы

ние запа-

сов устой-

чиво-

сти к воз-

дей-

ствию меха-

ниче-

ских, тепло-

вых и элек-

триче-

ских нагру-

зок

ность

ность

емо-

сть

при повы-

шен-

ной тем-

пера-

туре

Параметры функциональ-

ного контроля

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Выходное напряжение низкого уровня (выходной ток низкого уровня)

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Выходное напряжение высокого уровня (выходной ток высокого уровня)

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Входной ток низкого уровня

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Входной ток высокого уровня

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Напряжение инжектора

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Ток потребления

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Динамические параметры, наиболее полно характе-

ризующие микросхемы по быстродей-

ствию

-

-

-

-

-

-

-

+

+

-

-

-

-

-

-

-

+

+

+

-

о

-

Выходной ток в состоянии "Выключено"

-

-

-

-

-

-

-

+

+

-

+

+

+

-

о

-

+

+

+

-

-

+

Примечания

1 Знаком "+" обозначена принадлежность параметров-критериев годности к различным видам испытаний для микросхем категорий качества ВП, ОС, ОСМ и ОТК.

Буквой "о" обозначена принадлежность параметров-критериев годности к различным видам испытаний для интегральных микропроцессорных микросхем категорий качества ВП, ОС, ОСМ.

2 Параметры функционального контроля выбирают из таблицы 1.

Наименование типовой характеристики

Обозначение характеристики

Характеристики, подлежащие обязательному включению в ТУ

Зависимость мощности потребления от температуры

+

Зависимость тока потребления от напряжения питания

+

Зависимость тока потребления от частоты следования импульсов тактовых сигналов

+

Зависимость выходного напряжения от напряжения питания

-

Зависимость выходного напряжения от температуры

-

Зависимость выходного напряжения от выходного тока в диапазоне температур

+

Зависимость входного тока от входного напряжения в диапазоне температур

+

Зависимость тока утечки на входе от температуры

-

Зависимость тока утечки на выходе от температуры

-

Зависимость основных динамических параметров от температуры

+

Зависимость основных динамических параметров от напряжения питания

+

Зависимость основных динамических параметров от емкости нагрузки

+

Примечание - Необходимость включения в ТУ характеристик, не отмеченных как обязательные, а также дополнительных характеристик, определяется разработчиком совместно с заказчиком и основным потребителем интегральных микропроцессорных микросхем.

УДК 621.316.8:006.354

ОКС 31.200

Ключевые слова: микропроцессорные интегральные микросхемы, система параметров, параметры-критерии годности, типовые характеристики