ГОСТ 19799-74 Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик

ГОСТ 19799-74

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ АНАЛОГОВЫЕ

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК

И мание официальное

БЗ 12-98

ИПК ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ Москва

УДК 621.382.82.083.8:006.354

Группа 929

М Е Ж Г О С У Д Л I’ С Г ВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ АНАЛОГОВЫЕ гост

Методы измерения электрических параметров 10700 '

и определения характеристик 1 / V -

Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses

Дата введения 01.01.76

Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы (далее — микросхемы) и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик.

Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500. 2501 и операционные усилители.

Настоящий стандарт должен применяться:

при разработке и пересмотре стандартов или технических условий на микросхемы конкретных типов;

при разработке установок для измерения электрических параметров микросхем: при проведении научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ.

Степень соответствия настоящего стандарта СТ СЭВ 1622—79 приведена в приложении 4.

Общие требования к аппаратуре — в соответствии с ГОСТ 30350.

(Измененная редакция. Изм. № I, 2, 3, 4, 5, 6).

Разд. 1. (Исключен. Изм. № 6).

2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ. ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ (класс 1000*)

Метод 1500. Измерение входного напряжения (1'„).

Измерение Ц, проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. I. Измеряют напряжение на входе микросхемы при ее работе в заданном режиме, указанном в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Метод 1510. Измерение максимального входного напряжения ((/„ „„) для микросхем с одним входом.

* Порядок нумерации методов измерения, применяемый в настоящем стандарте, приведен в приложении 2.

Издание официальное Перепечатка воспрещена

*

© Издательство стандартов. 1974 © ИИК Издательство стандартов. 1999 Переиздание с Изменениями

С. 2 ГОСТ 19799-74

Измерение (,;,„„ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. I.

/ — геисраюр сигналов; 2— измеритель переменного напряжения; 3 — источник питания; J — микросхема; S— измеритель переменного напряжения; й — нгисритель нелинейных искажений; 7 — измеритель временных интервалов (осцил-лограф)

Черт. I

На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Увеличивая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение выходного сигнала микросхемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измерителем напряжения измеряют L^^ на входе микросхемы.

Метод 151 I. Измерение максимального входного напряжения (Ц, _ти) для микросхем с двумя входами на переменном токе.

е, сг Структурная схема для измерения ^„^ на переменном токе

приведена на черт. 2.

Значения чистоты и сопротивления нагрузки должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. В случае применения модулированного сигнала измерители 2 и 5должны обеспечивать измерение эффективного немодулированного напряжения. Конденсаторы С/и С2должны являться короткозамкнутыми цепями при заданной частоте.

Для проведения измерения испытуемую микросхему (при необходимости) балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Сигнал генератора / на заданной частоте устанавливают на уров

/ — генератор переменного напряжения; 2. 5 — измерители переменного наприжения; 3 — микросхема; / — источник питания

Черт. 2

не. обеспечивающем значение напряжения на входе (выходе) испытуемой микросхемы, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Значения максимального входного напряжения измеряют измерителем 2.

Методы 15 00. 1510. 1511. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 1512. Измерение максимального входного напряжения (^„„„J для микросхем с двумя входами на постоянном токе.

Структурная схема измерения б^, на постоянном токе приведена на черт. 2а.

/ — источник постоянного напряжения;

2. 5 - измерители постоянного напряжении;

7 — микросхема; 4 — источник литания Черт. 2а

ГОСТ 19799-74 С. 3

Для измерения С, „,, на источнике /устанавливают напряжение С_%< L\_imii и постепенно увеличивают его до тех пор. пока 6^, не достигнет значения, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Значение 6^ _по измеряют измерителем 2.

(Введен дополнительно, Изм. № 2).

Метод 15 2 0. Измерение минимального входного напряжения (Ц_1ТОП) для микросхем с одним входом.

Измерение б'_|11П11 проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. !.

На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Уменьшая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение выходного сигнала микросхемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях па микросхемы конкретных типов.

Измерителем напряжения измеряют 1>„_тл на входе микросхемы.

Метод 1521. Измерение минимального входного напряжения (Ц_1Я11П) для микросхем с двумя входами.

Измерение /7,_хти проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1511.

При необходимости микросхему балансируют с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Уменьшая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение на входе (выходе) испытуемой микросхемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. После этого измеряют t^, _п измерителем 2.

Метод 15 3 0. Измерение чувствительности (5)

Измерение S проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Уменьшают входное напряжение до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют напряжение входного сигнала, которое численно равно чувствительности.

Метод 1540. Измерение диапазона входных напряжений (At¹,).

Для измерения дб^ измеряют значение максимального входного напряжения ^_1пп (методы 1510 и 1511) и значение минимального входного напряжения 6'^ (методы 1520 и 1521). Диапазон входных напряжении определяют по формуле

^ «vmin*

Метод 155 0. Измерение входного напряжения покоя (t'_Uux) и выходного напряжения покоя

(Ц^)-

Измерение U^ и L'_1uji микросхем с одним входом проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 3.

Емкость С, конденсатора должна быть достаточной для того, чтобы исключить паразитные самовозбуждения, и должна соответствовать стандартам или техническим условиям на микросхемы конкретных типов.

Переключатель BI устанавливают в положение / и измерителем 5 измеряют значение входного напряжения покоя t^. Затем переключатель В1 переводят в положение 2 и'измерителем 3 измеряют значение выходного

Г — микросхему; 2 — источник пи-гания; 3 — измеритель постоянного напряжения

напряжения покоя 6^^.

(Измененная редакция. Изм. № 2). Черт.З

Метод 15 60. (Исключен, Изм. № 2).

Метод 15 70. Измерение входного напряжения ограничения ((>.__п).

Измерение t'_Urj проводят согласно структурной схеме, выбранной для измерения коэффициента усиления напряжения А , данной микросхемы.

2-1361

С. 4 ГОСТ 19799-74

На вход микросхемы полают синусоидальный сигнал напряжением t^f^_x, указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют переменное напряжение на выходе микросхемы 1^_щ. Увеличивают входной сигнал до напряжения и'^ = 1.1 С^ и измеряют с" .Дифференциальный коэффициент усиления определяют по формуле

Д' _ ^V llUX ^L tUi

Изменяя входное напряжение и определяя Я _а, находят такое значение Ц*, при котором К.

равен 0.1 К_га. Входное напряжение ограничения равно найденному значению С ..

Метод 15 8 0. Измерение э. д. с. смешения (£_и) и напряжения смешения нуля (£/J для микросхем с двумя и одним входами.

Измерение Л _u. t/_M для микросхем с двумя входами проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4. а для микросхем с одним входом — согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4а.

Инвентирующий усилитель 4 применяется, если выходное напряжение испытуемой микросхемы не сдвинуто по фазе. Усилитель должен обеспечивать коэффициент усиления напряжения К_>и*1 и иметь входное сопротивление Я_х »Я_М.

Значения сопротивлений резисторов, входящих в структурные схемы черт. 4 и черт. 4а. должны удовлетворять следующим требованиям:

Я, аЯуйЯЮЯ^,;

Я, £ 0,01 Я. или Я, £---------.

G’¹ ^ min ’

Я. = Я.; Я_1Ч » Я, S

^J ^ ^ ^{1 2} 50 ’

где Я ₍ — входное сопротивление испытуемой микросхемы;

Я\ _а — выходное сопротивление испытуемой микросхемы;

К.. — коэффициент усиления напряжения испытуемой микросхемы при условии, что цепь обрат

ной связи разомкнута.

/ — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы; 2. 5 — измерители постоянного Напряжения; 3 — микросхема. / — источник питания

/ - источник постоянного напряжения .тля балансировки микросхемы; 2. 3 — измерители постоянного напряжения; J — микросхема; / — усилитель, инвектнруюший фазу; 6 — источник иитакия

Черт. 4

Черт. 4а

ГОСТ 19799-74 С. 5

Испытуемую микросхему балансируют, изменяют напряжение E_t источника / до тех пор. пока напряжение на измерителе 5 будет равно нулю или значению и_цш^. указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют значение E_t измерителем 2.

Э. д. с. смешения и напряжения смещения нуля определяют по формуле

^см (^см ) - ^1 "о---77“ ♦ ^'ouuк ~й---77“ .

Метод 1581. Измерение э. д. с смешения (£_и) и напряжения смешения нуля ((/._м) для микросхем с двумя входами с автоматической балансировкой испытуемой микросхемы с помощью вспомогательного усилителя.

Измерение £ , С проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5.

Параметры вспомогательного дифференциального усилителя должны обеспечивать:

усиление при разомкнутой обратной связи более 60 дБ;

размах выходного напряжения, достаточный для обработки входного напряжения испытуемой микросхемы;

диапазон напряжений синфазного сигнала на входе не меньше диапазона выходного напряжения испытуемой микросхемы.

Значения сопротивлений резисторов, входящих в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:

*. = ^; *, = /^ ^«^«л^

/ — измеритель постоянного напряжений; 2. 5 — источники питания;

3 - микросхема; 4 — вспомогательный дифференциальный усилитель;

6 — источник постоянного напряжении

Черт. 5

С. 6 ГОСТ 19799-74

Значения сопротивлений резисторов /{устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Переключатель ВЗустанавливают в положение /. когда выходное напряжение испытуемой мик-росхемы равно нулю, или в положение 2, когда выходное напряжение не равно нулю. Напряжение источника 6 должно соответствовать установлен ному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Для измерения £ _м переключатели В! и £2 замы кают, а для измерения С _м — размыкают.

Устанавливают напряжение источника 6 и положение переключателя ВЗ в соответствии со стандартами или техническими условиями на микросхемы конкретных типов и измеряют напряжение I', измерителем Л Э. л. с. смещения и напряжение смешения нуля определяют по формуле:

Метод 1590. Измерение синфазного входного напряжения (6 . J.

Измерение 6'_ф проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 6.

/ — измеритель напряжения: 2 — источник питания; 3 — генератор сигналов; 4— источник питания; 5 — источник питании; 6— микросхема;

7 — измеритель постоянного напряжения; ^—измеритель переменного напряжения

Черт. 6

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

Л, = Я <0.01 Я ₄: Я, = Я,» Я..

На микросхему подают (/_{ф ы} с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют его напряжение измерителем напряжения.

Методы 15 7 0—15 90. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 16 00. Измерение максимального синфазного входного напряжения (Ц_ф|Н11т) Для микросхем с двумя входами.

Для измерения максимального синфазного входного напряжения 6;,. ,,, _!( измеряют коэффициент ослабления синфазных входных напряжений А ₍ (методы 6550 и 6551). Измеряя А ^, плавно увеличивают напряжение входного синфазного сигнала до значения, при котором А _ф уменьшится на 6 дБ. при этом регистрируют постоянное напряжение входного синфазного сигнала или амплитуду синусоидального входного синфазного сигнала (при измерении на переменном токе), которые равны

ьх.тлх*

Метод 1610. Измерение выходного напряжения (t'_uuJ.

Для измерения С_и< на выводах микросхемы устанавливают режим, указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

ГОСТ 19799-74 С. 7

Измерение Ц_ил проводят измерителем напряжения, подключаемым к выходу микросхемы.

Метод 16 20. Измерение максимального выходного напряжения (Ь'_иц^_тм) для микросхем с одним входом.

Измерение t/_au4nu проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Увеличивают напряжение входного сигнала до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют измерителем напряжения на выходе микросхе-^мы ^.п.^

Метол 1621. Измерение максимального выходного напряжения ({^„„J для микросхем с двумя входами на переменном токе.

Измерение Ц^^ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2. Требования к элементам схемы аналогичны изложенным в методе 1511.

Сигнал генератора / на заданной частоте устанавливают на уровне, обеспечивающем значение напряжения на входе (выходе) испытуемой микросхемы, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измеряют максимальное выходное напряжение измерителем 5.

Методы 1610—1621. (Измененная редакция. Изм. № 2).

Метод 16 2 2. Измерение максимального выходного напряжения (t’_ulftmM) для микросхем с двумя входами на постоянном токе.

Измерение 6^^^ _ч на постоянном токе проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2а.

На источнике I устанавливают напряжение 6^Г_Ю, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Значение t'_uui„. _lk измеряют измерителем 5.

(Введен дополнительно. Изм. № 2).

Метод 1630. Измерение минимального выходного напряжения (t',_1J( . ,) для микросхем с одним входом.

Измерение t/_mmln проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Уменьшают напряжение входного сиптала до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измерителем напряжения на выходе микросхемы измеряют t„_u,_m|_fl.

Метод 1631. Измерение минимального выходного напряжения (f/_u,_mln) для микросхем с двумя входами.

Измерение 6‘_{иил п} проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1511.

Микросхему балансируют (при необходимости) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Уменьшают напряжение входного сигнала до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов: при этом измерителем напряжения на выходе микросхемы измеряют Ц,_икго1п.

Метод 16 4 0. Измерение выходного напряжения баланса (Ц,_и, ,_ч,,) для микросхем с двумя входами.

Измерение t4_ux(U1 проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 6а.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1580.

Микросхему балансируют (метод 1580) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Затем переключатель HI переводят в положение 2и измерителем постоянного напряжения измеряют б'_иихОм между одним из выходов микросхемы и общим выводом микросхемы.

3-1361

С. 8 ГОСТ 19799-74

Метод 1641. Измерение выходного напряжения баланса (Г',^,-.,,) для микросхем с двумя входами с автоматической балансировкой испытываемой микросхемы с помощью вспомогательного усилителя.

Измерение £/_ихШл проводят согласно струю урной схеме, приведенной на черт. 66.

I — источник постоянного напряжения для Балансировки микросхемы. 2 — микросхема; 3 — источник питания; / — измеритель постоянного напряжении

Черт. 6а

}. 4 — измерители постоянного напряжения;

2. 6 — источники питания; 3 — микросхема;

5 — яспамомтельный усилитель

Черт. 66

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:

Л, = Л_г£0.01Л; Л, = R^R;.

Л, = /? • Л = R..

Если напряжения на входах вспомогательного усилителя не превышают допустимых значений, то резисторы Л7и R8исключают.

Параметры вспомогательного усилителя должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1581.

Измерителем 4измеряют постоянное напряжение t’_BWvfli, между одним из выходов микросхемы и общим выводом микросхемы.

Метод 1650. Измерение приведенного ко входу напряжения шумов (1^ _ич) для микросхем с одним входом.

Измерение б'_шв% проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

Л ^«-1Л .

Ч» | «Л

Для измерения й^_П1 измеряют эффективное значение напряжения шумов 6^ на выходе микросхемы и коэффициент усиления напряжения А_Д| методом, выбранным для испытаний данной микросхемы (методы 6500—6504).

I— источник питания; 2— микросхема;

3 — измеритель переменною напряжения

Черт. 7

Приведенное ко входу напряжение шумов определяют по формуле

6' ш

*7-

ГОСТ 19799-74 С. 9

Метод 1651. Измерение приведенного ко входу напряжения шумов (U_tiioJ для микросхем с двумя входами.

Измерение б'_{ш ич} проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7а.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:

Л, = Л, £0,01 А ; Л = Л »А;

С, = с - X' £0,01 Я .

I 2^| а*

Для микросхем с двумя выходами положение переключателей при измерении t'^ _п показано на черт. 7а, а для микросхем с одним выходом переключатель ВЗ переводят в положение 2.

Переменное напряжение на выходе генератора устанавливают равным нулю. Входы микросхемы через конденсаторы С! и С2 закорачивают на общий вывод, для чего замыкают переключатели В/ и В2.

Микросхему балансируют с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, затем к выходу микросхемы подключают измеритель переменного напряжения (переключатель Я4 устанавливают в положение 2).

/ — генератор сигнален; 2 — источник постоянного напряжения дли балансировки микросхемы; J — микросхема; / — источник питания; 5 — измеритель постоянного напряжении; й — измеритель переменного напряжения: 7— измеритель нелинейных искажений.

1 — источник управляющею напряжения; 2 — из меритсль постоииного напряжения; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — измеритель постоянного напряжения

Черт. 8

Черт. 7а

Измеряют эффективное значение напряжения шумов U^ непосредственно на выходе микросхемы и коэффициент усиления напряжения А _г (методы 6500—6504).

Приведенное ко входу напряжение шумов t^ определяют по формуле

Метод 1660. Измерение остаточного напряжения (Ц^).

Измерение 6^ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 8.

На вход микросхемы подают управляющее напряжение E_v соответствующее открытому состоянию микросхемы, с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Остаточное напряжение измеряют измерителем напряжения на выходе микросхемы.

Метод 1670. Измерение напряжения срабатывания (6^ J.

Измерение U_(fi проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 8.

Увеличивают управляющее напряжение Е_г начиная от Е, <U.^. указанного в стандартах или

з*

С. 10 ГОСТ 19799-74

технических условиях на микросхемы конкретных типов, до значения, при котором происходит включение микросхемы, т. е. скачкообразное изменение выходного напряжения, при этом регистрируют значение £", которое равно 6'^.

Метод 1680. Измерение напряжения отпускания (С_1Ш).

Измерение 6^_п проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 8.

Уменьшают управляющее напряжение £. начиная от £|>С_<рВ. указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, до значения f" . при котором происходит включение микросхемы, то есть скачкообразное изменение выходного напряжения, при этом регист-рируют значение Е^ которое равно С _п|.

Метод 16 9 0. Измерение максимальной амплитуды импульсов входного (выходного) напряжения (С_1Лтм t^^).

Измерение ^_Атм (^_vAmiM) проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

/ — измеритель переменного напряжения; 2 — генератор сигналов; J — микросхема; 4 — источник питания; 5 - измеригель временных интсриилои; (осциллограф!; 6 — измеритель переменного напряжения; 7— измеритель частоты; £ — измеритель нелинейных искажений

Черт. 9

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

/^Я»,: .V_q £0.01 Я,.

Плавно увеличивают амплитуду входных импульсов до такого значения, при котором искажения формы импульсов выходного напряжения станут равными значениям, указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Измерителем напряжения измеряют максимальную амплитуду импульсов входного (выходного) напряжения.

Метод 1700. Измерение диапазона изменения выходного напряжения ограничения д£_)1р.

Измерение Дб^_1|р проводят согласно структурной схеме, выбранной для определения коэффициента усиления напряжения К_и данной микросхемы (методы 6500—6504).

При двух значениях входного напряжения 6^ =6^f_oip и L\₄ = |,5 L/_orp измеряют выходные напряжения и .

Диапазон изменения выходного напряжения ограничения определяют по формуле

^д6'₀,р =6'_иих - Г'„их ■

Методы 1610—17 0 0. (Измененная редакция. Изм. № 2).

Методы 1710. 1711. (Исключены, Изм. № 5).

ГОСТ 19799-74 С. 11

Метод 1720. Измерение диапазона выходного постоянного напряжения (^_Ш11И,,).

Измерение ^_{>1и |} проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7а. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в метоле 1651.

Для микросхем с двумя выходами положение переключателя /Нири измерении 6^^ показано на черт. 7а. а для микросхем с одним выходом переключатель Д? переводят в положение 2.

На вход микросхемы подают два значения напряжения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов и обеспечивающие получение двух граничных значений диапазона выходного напряжения микросхемы. Измеряют указанные выходные напряжения. Диапазон выходного напряжения определяют как алгебраическую разность измеренных выходных напряжений.

(Измененная редакция, Изи. № 2).

3. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ТОКА (класс 2000)

Метод 2500. Измерение входных токов (/^ . / ). среднего входного тока (/ _fi) и разности входных токов (A/J.

Для микросхем с двумя входами измерение / _ч . / . / _р. А/ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 11а, а измерение / _л для микросхем с одним входом — по структурной схеме, приведенной на черт. 116.

/ — источник н ос тонн л ого напряжения для балансировки микросхема; 2, 5 — измерители постоянного напряжения; 3 — микросхема;

•/ — источник пи гания

Черт. 11а

/—источник постоянного напряжения лап балансировки микросхемы;

2. S — измерители постоянною напряжения: 3 — микросхема; ■/ — усилн* гель, инпенгирукниий фазу; 6 — источник пи гания

Черт. 116

4-1361

С. 12 ГОСТ 19799-74

Сопротивление Я, резистора (см. черт. 11а и 116) должно удовлетворять следующему требованию: 0-5W*v

Остальные элементы, входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1580.

При измерении Д/ испытуемую микросхему балансируют при замкнутых переключателях В1 и 82. изменяют напряжение источника / до тех пор, пока напряжение на измерителе 5 не будет равно нулю или напряжению L'_lliiuC указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измеряют напряжение /^ измерителем 2. Повторно балансируют микросхему при разомкнутых переключателях В1 и В2и измеряют измерителем 2 напряжение f".

При измерении 1^, 1_м^ /_х испытуемую микросхему балансируют при разомкнутом переключателе В1 и замкнутом В2 и измеряют напряжение E_t измерителем 2. Повторно микросхему

балансируют при замкнутом переключателе В! и разомкнутом В2и измеряют напряжение Е_{ -

Разность входных токов А1_ш микросхемы определяют по формуле

где

Я, - Я;

* я, + я,

Входной ток l_w по первому входу микросхемы определяют по формуле

^М]

^(Ь-е"),

Входной ток / по второму входу микросхемы определяют по формуле

/^=-^^(Е\-е“").

Средний входной ток /, _г микросхемы определяют по формуле

Входной ток / для микросхемы с одним входом определяют по формуле для / _v.

Метод 2 5 01. Измерение входных токов (/_м . / _ч ). среднего входного тока (/ .) и разности входных токов (Д/ J с автоматической балансировкой с помощью вспомогательного усилителя.

Измерение / ,, / . /, _f. Д/_м проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5.

Сопротивление резисторов Я должно быть меньше значения входного сопротивления испытуемой микросхемы и в 100 раз больше значения сопротивления Я, резистора. Требования к источнику напряжения устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Ос-тальные требования к элементам структурной схемы должны соответствовать требованиям, указанным в методе 1581.

При измерении Д/^ размыкают переключатели Blu В2и измеряют значение t/j измерителем /

ГОСТ 19799-74 С. 13

(см. черт. 5). При измерении / ^ /_л , 1^^ размыкают переключатель В!, замыкают переключатель В2 и измеряют значение с' измерителем 1. Потом замыкают переключатель В/, размыкают переключа

тель В2н измеряют значение и ’ измерителем I.

Разность входных токов А/ _v определяют по формуле

^Л/"^~ где

Входной ток / по первому входу микросхемы определяют по формуле

Входной ток /. по второму входу микросхемы определяют по формуле

^{1,2 К} R '

Средний входной ток / _р микросхемы определяют по формуле

, „L'1-Ul ^/»|^+/»х2

⁼ ’ 2

Методы 250 0. 250). (Измененная редакция. Изм. № 2).

Методы 250 2. 25! 0—2 5 I 2. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 2 5 2 0. Измерение выходного тока (/.,,).

Для измерения /^ измеряют выходное напряжение С _и. (метод 1610). Выходной ток определяют по формуле

Метод 2 5 3 0. Измерение максимального выходного тока (/ _ты) для микросхем с одним входом.

Измерение /_и,,„_и проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. I.

Дня определения /_iu ..... положение переключателей показано на черт. 1.

Изменяя напряжение входного синусоидального сигнала при номинальном значении сопротивления нагрузки, указанном в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, устанавливают на выходе напряжение 6^^, которое измеряют по методу 1620.

После этого заменяют сопротивление нагрузки резистором яй. указываемом в стандартах или

технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют значение (/^ ■

Максимальный выходной ток определяют по формуле

• ui^i пип ^— -

Л»

Метод 2 5 31. Измерение максимального выходного тока (/ _{n 4}Д для микросхем с двумя входами.

С. 14 ГОСТ 19799-74

Для определения / _{ч 1к} при номинальном значении сопротивления нагрузки на выходе микросхемы устанавливают максимальное выходное напряжение 6; _ч „ _и. измеренное по методу 1621.

Заменяют сопротивление нагрузки резистором я’ , указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение С_иич. Максимальный выходной ток определяют по формуле

'шх.лих ¹ .

Ли

Метод 2540. Измерение минимального выходного тока (/ _s . _г).

Для определения / _ukm)n измеряют минимальное выходное напряжение 6’_iiuvm|n (метод 1630 или 1631).

Минимальный выходной ток определяют по формуле

/ _ Cuuvrniri

'хы* mln - J .

Ли

Метод 2 5 5 0. Измерение тока утечки на входе (выходе) (/_у1вк и /...,).

Измерение /. „ и /„^ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Размыкают переключатель В2, закрывают входную (выходную) цепь микросхемы и измеряют падение напряжения ДО'на резисторе Я, (выходное напряжение микросхемы t/_wJ. Ток утечки на выходе (входе) определяют по формулам

£ ат

Методы 2 5 3 0—2 5 50. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 256 0. Измерение входного (выходного тока) покоя (/ , и /_виЛЙ).

Измерения / _ч() и / _ч(| проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

Размыкают переключатель В2 и при U_a = 0 измеряют падение напряжения д Т на резисторе Я, (выходное напряжение микросхемы б'.ия).

Входной (выходной) ток покоя определяют по формулам

^в‘^и “^;

/ _ (•' UU X

ГОСТ 19799-74 С. 15

Метод 257 0. Измерение тока потребления (/ _т).

Измерение / _u проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 12.

Измерители постоянного тока должны являться коротко замкнутыми цепями. При применении генератора напряжения его параметры должны соответствовать указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Для измерения / в точках Л. Б. В...., Л'должен быть обеспечен режим питания микросхемы, указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Точки потребления Aux»,’ Lm, ■ ■ ■ ’ ^ma ^ИЗМеРЯЮТ ИЗМерИТСЛЯМИ ТОКОВ.

Методы 2 5 71—2 5 90. (Исжлючены, Изм. № 2).

Методы 260 0—2 6 1 0. (Исключены. Изм. № 5).

Метод 2 6 20. Измерение тока срабатывания (/_срв).

Измерение / . проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 8.

Увеличивают управляющее напряжение Е_г начиная от Е, <Е'^. указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы кон-кретных типов, до значения Е_{ , при котором происходит включение микросхемы, то есть скачкообразное изменение выходного напряжения. При этом измеряют значение тока, потребляемого от источника Е_г Значение этого тока в момент срабатывания микросхемы равно / ^

(Измененная редакция. Изм. № 2).

Методы 263 0. 263 1. (Исключены, Изм. № 2).

I. 10. II — измерители настоянного напри женин; .J. 7. А’ - источники питания; 4. 6. 9 — измерители постоянного тока; 2 — генератор напряжения; 5 — микросхема

Черт. 12

4. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ МОЩНОСТИ (класс 3000)

Метод 3500. Измерение потребляемой мощности {Р _й|).

Для измерения /’ . измеряют токи, потребляемые микросхемой (метод 2570).

Потребляемую мощность определяют по формуле

Р = IE + IE + ... I Е . пел II 2 2 и п

где 1_Г I,... 1_л — токи, протекающие через выводы питания микросхем;

Е_х. Е,... Е_а — напряжения питания на выводах микросхемы.

(Измененная редакция. Изм. № 2).

Метод 3510. Измерение максимальной потребляемой мощности (/’ _m>u).

Максимальную потребляемую мощность измеряют при работе микросхемы в предельном режиме по потреблению (метод 3500).

Метод 3 5 20. Измерение рассеиваемой мощности (Р^).

Для измерения /’. определяют потребляемую мощность Г _ч (метод 3500) и выходную мощность

/’ (метод 3530). Рассеиваемую мощность определяют по формуле

Р = Р - Р . put 1X4 ВЫХ

Метод 3 5 30. Измерение выходной мощности (Р^) и максимальной выходной мощности

(Р

' нм* max'

5-1361

С. 16 ГОСТ 19799-74

Структурная схема для измерения Р_мп, /’ _п приведена на черт. 13.

С?

/—генератор переменного напряжения; 2 — микросхема; 3 — источник питания; 4 — измеритель переменного напряжения;

5— и sue ригель гармоник

Черт. 13

Измерение проводят в диапазоне низких частот. Значение частоты указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Конденсаторы С1 и С2 должны быть короткозамкнутой цепью на заданной частоте /

Предельное отклонение сопротивления нагрузки от заданного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов должно быть в пределах ± I %. Измеритель 5 должен обеспечивать измерение коэффициента гармоник в диапазоне от I до 5 гармоники, при этом погрешность измерителя должна быть в пределах ± 10 %.

Для проведения измерения выходное напряжение генератора / повышают до получения значения Чг«’ Указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, или такого выходного напряжения Ц^,^, при котором получают коэффициент гармоник Л’ _ти, указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Выходную мощность и максимальную выходную мощность определяют по формулам:

U² U²

р ^v *ил р _Е ^v lu vinn

'ип п ^г вых. mux “ л

"и "я

(Измененная редакция. Изм. № 2).

Метод 3 5 41). (Исключен, Изм. № 2).

5. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ.

ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ЧАСТОТЫ (класс 4000)

Метод 4 5 00. Измерение полосы пропускания (А/), верхней (/Ju нижней (/) граничных частот.

Измерения А/ проводят согласно структурной схеме, выбранной для измерения коэффициента усиления А ₍ данной микросхемы (методы 6500—6504). На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал, напряжение и частоту которого указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют переменное напряжение на выходе микросхемы 6'_wC

Плавно увеличивают частоту входного сигнала, поддерживая его напряжение постоянным до тех пор. пока напряжение на выходе микросхемы уменьшится до значения и“_{их =}0,707 U_tuK, при этом регистрируют частоту входного сигнала (верхнюю граничную частоту/). При необходимости микросхему балансируют с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Затем плавно уменьшают частоту входного сигнала, поддерживая его напряжение постоянным до тех пор. пока напряжение на выходе микросхемы уменьшится до значения t = 0 707 U• При этом регистрируют частоту входного сигнала (нижнюю граничную частоту/,).

Полосу пропускания микросхемы определяют по формуле

v = < -Z..

(Измененная редакция. Изм. № 2).

Метод 4510. Измерение центральной частоты (/).

ГОСТ 19799-74 С. 17

Измеряют верхнюю/ и нижнюю/, граничные частоты микросхемы (метод 4500). Центральную частот)' паюсы пропускания определяют по формуле

Метод 45 20. Измерение частоты единичного усиления (/).

Измерение/ микросхемы с одним выходом проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 15.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

^, * ^у “^ * ^ * ^ R^R-. R_<< R_v где R^ — выходное сопротивление генератора.

Измерение/ микросхем с двумя выходами проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 16.

t — измеритель переменного напряжении; 2 — генератор сиг» налов; J — микросхема; 4 — источник питания. 5 — осциллограф; 6 — измеритель переменного напряжении

Черт. 15

I — измеритель переменного напряжения; 2 — генератор сигналок; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — вспомогательный усилитель; 6 — измеритель переменною напряжения

Черт. 16

С. 18 ГОСТ 19799-74

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

Л,= R;. R. = R- Л. = R- R,«R.«R- X, <<R„ X, «R.

Параметры вспомогательного усилителя определяют в зависимости от параметров испытуемой микросхемы.

Плавно увеличивают частоту входного сигнала, поддерживая его напряжение постоянным до тех пор. пока значение выходного напряжения станет равным значению входного напряжения. При этом регистрируют частоту входного сигнала, равную частоте единичного усиления f_r

Метод 45 30. Измерение частоты резонанса (квазирезонанса) (/,).

Измерение/, проводят согласно структурной схеме, выбранной для измерения коэффициента усиления К^ данной микросхемы (методы 6500 -6504).

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал, частоту которого плавно изменяют, поддерживая напряжение постоянным.

Значение частоты, при котором выходное напряжение принимает максимальное (минимальное) значение, является частотой резонанса (квазирезонанса).

Метод 4 540. Измерение нижней (верхней) частоты полосы задерживания (/.„-/, „)-

Измерение /^ ₍ и/_{и t} проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют коэффициент передачи. Плавно уменьшают (увеличивают) частоту входного сигнала до тех пор. пока коэффициент передачи микросхемы уменьшится в заданное число раз, при этом регистрируют частоту входного сигнала, которая равна нижней (верхней) частоте полосы задерживания.

Методы 4530. 4540. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 455 0. Измерение полосы задерживания U/J.

Для измерения Д/ измеряют / _н и / ₁₍₁ (метод 4540). Полосу задерживания определяют по формуле

А^м /,|.н -Д1.ь'

Метод 45 60. Измерение частоты среза (/ _р ).

Для измерения частоты среза определяют амплитудно-частотную характеристику (метод 9510) и определяют частоты, на которых коэффициент усиления напряжения Л ,, = 0 дБ.

Метод 45 70. Измерение частот генерирования (/) и следования импульсов (Л).

Измерение / и Г проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 17.

I — микросхема; 2 — источник питания, j — измеритель частоты

Черт. 17

На микросхему подают электрический режим, указанный в НТД. и измерителем частоты регистрируют / и /.

Метод 4580. Измерение максимальной частоты следования импульсов (Г_тм).

Измерение /' _п проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

На вход микросхемы от генератора подают импульсы. Частоту следования импульсов плавно

ГОСТ 19799-74 С. 19

увеличивают до тех пор. пока искажение формы импульса на выходе микросхемы станет равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. При этом регистрируют A _Jf

(Измененная редакция. Изм. № 2).

6. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ.

ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ВРЕМЕНИ (класс 5000)

Метод 5 500. Измерение времени задержки (г ).

Измерение / проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

Для измерения i _t положение переключателей показано на черт. 9.

На вход микросхемы подают импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, после этого измеряют / измерителем временных интервалов или определяют по изображениям входного и выходного импульсов на экране осциллографа как интервал времени, измеренный между моментами достижения фронтами входного и выходного импульсов уровней, указанных в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Метод 5 5 I 0. Измерение времени нарастания (Q выходного напряжения для микросхем с одним входом.

Измерение / _ri проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.

Для измерения i положение переключателей BL Я2 показано на черт. I. а переключатель ВЗ переводят в положение 3.

На вход микросхемы подают импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Измерители временных интервалов измеряют интервал времени, за который выходное напряжение микросхемы изменяется от момента первого достижения уровня 0.1 до момента первого достижения уровня 0.9 установившегося значения, который равен г .

Метод 551 I. Измерение времени нарастания <г ), времени запаздывания (/ ). времени установления (z^) и времени успокоения (/_>сп).

Измерение / , г _in. /. ,_т, /_{( п} проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 17а.

Значения параметров выходного импульса генератора (амплитуда, частота, полярность, длитель

ность. время нарастания и спада), сопротивления R_r R_}, сопротивление нагрузки R^ (с учетом допускаемой емкости, шунтирующей нагрузку), приращение выходного напряжения от установившегося значения £ должны соответствовать стандартам или техническим условиям на микросхемы конкретных типов.

Графическое определение г , / _и,. г_i /^ и £ приведено в приложении 5. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:

R «R,^R. R-C »1 : aux I г’ 3 их иар’

Л,

Ry Ry .

R> - R, ’

с, 2100 А

где С_м — емкость на входе испытуемой микросхемы;

/' — период повторения импульсов генератора.

Параметры импульса генератора (длительность импульса т_и, время нарастания t_M, время спада tj должны удовлет-

/ — генератор импульсов; 2 — источник настоянного напряжения для балансировки микросхемы: 3 — микросхема: 4 — источник ни гании: S — измеритель временных интервалов (осциллограф): 6—измеритель постоянного напряжении

Черт. 17а

6-1361

С. 20 ГОСТ 19799-74

ворять условиям т_н > z_yul, т^/.^, t «/ ,. Измерение параметров может проводиться при А =1. то есть R=R.^ или A _t >1. т. е.

V ^уи

Перед измерением микросхему балансируют в соответствии с требованиями стандартов или технических условий на микросхемы конкретных типов. Если разбаланс испытуемой микросхемы не влияет на измеряемые параметры, то измерение проводят без предварительной балансировки. Затем устанавливают значение амплитуды импульса генератора, обеспечивающее работу испытуемой микросхемы в линейном режиме.

Время запаздывания 1_мГ время нарастания т^, время установления f^, и время успокоения 1^ измеряют измерителем временных интервалов.

Методы 5500—5511. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 5520—5530. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 554 0. Измерение времени готовности (г_п).

Регистрируют момент времени /_р соответствующий включению микросхемы и началу периодического измерения контролируемого параметра, который является критерием для определения времени готовности.

Регистрируют момент времени /_п, соответствующий времени, когда контролируемый параметр, являющийся критерием, принимает значение, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Время готовности определяют по формуле

'„ = '₂~ 'г

Измерение параметров, которые являются критериями для определения времени готовности, проводят согласно методам, указанным в настоящем стандарте.

Конкретный метод измерения параметров указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

7. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ОТНОСИТЕЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ (класс 6000)

Метод 650 0. Измерение коэффициента усиления напряжения (А,) для микросхем с одним входом.

Метод применяют, когда не требуется высокая точность определения А или когда напряжение, подаваемое на вход испытываемой микросхемы, не может быть измерено непосредственно (например, на высоких частотах).

Измерение A _u проводят согласно структурной схеме, которая приведена на черт. I.

Для определения А_у1, положение переключателей показано на черт. 1.

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал U_uV указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют переменное напряжение на выходе 6'^. Коэффициент усиления напряжения определяют по формуле

I' _ ^'вих ^a>l т— ^ивх

Метод 6501. Измерение коэффициента усиления напряжения (А^.) на постоянном токе.

Измерение А^ проводят для микросхемы с двумя входами согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4. а для микросхем с одним входом — на черт. 4а.

Основные элементы, входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 15Б0.

Для проведения измерения испытуемую микросхему предварительно балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

ГОСТ 19799-74 С. 21

Напряжение источника / изменяют на такое значение Д£, при котором приращение выходного напряжения AC_ui не выходит за линейный участок работы испытуемой микросхемы.

Коэффициент усиления вычисляют по формуле

£>и =

Д£—^—+ДЬ’

*1 - *2

Я.

^Я4 ^{+ Л}5

Метод 6502. Измерение коэффициента усиления напряжения (^_(|) на постоянном токе для микросхем с двумя входами с автоматической балансировкой испытуемой микросхемы при помощи вс помогател ы «ого ус ил «пел я.

Измерение £ ₍ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5. Основные элементы. входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1581.

Для проведения измерения устанавливают переключатели 81 и 82 в замкнутое положение, а переключатель ВЗ — в положение 2. Напряжение минус С ₍ на источнике постоянного напряжения устанавливают в соответствии со стандартами или техническими условиями на микросхемы конкретных типов. Измеряют значение у' измерителем 1. Напряжение плюс </. на источнике постоянного напряжения устанавливают в соответствии со стандартами или техническими условиями на микросхемы конкретных п«пов. Измеряют значение б\ измерителем /.

Коэффициент усиления вычисляют по формуле

Метод 6503. Измерение коэффициента усиления напряжения (£_уи) для микросхем с двумя входами.

Метод применяют при испытаниях микросхем с малым входным сигналом. Метод позволит уменьшить погрешность определения коэффициента усиления, связанную с погрешностью измерителя пе-ременного напряжения. При измерениях на высоких частотах в качестве делителя может быть использован высокочастотный калиброванный аттенюатор.

Структурная схема для измерения £_д приведена на черт. 20.

/ — генератор сигналом; 2 — источник питания; 3 — микросхема;

4— источник питании: 5 — измеритель постоянного напряжения; б — измеритель переменного напряжения

Черт. 20

6*

С. 22 ГОСТ 19799-74

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

Я, 5 0.01Я _с .¥ <0.01 Я,.

При измерении А ₍ для микросхем с двумя выходами положение переключателя ill показано на черт. 20. а для микросхем с одним выходом переключатель В1 переводят в положение 2.

Балансируют микросхему (метод 1511) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Затем размыкают переключатель ВЗ и на вход усилителя подают синусоидальный сигнал и измеряют напряжение на выходе генератора С _г. Переключатель Я2 переводят в положение 2 и измеряют напряжение на выходе микросхемы t'_uuk. Коэффициент усиления напряжения определяют по формуле

Л» и =

Лдсл.и -Мими

и

вых. г

Л/ ( выбирают равным номинальному значению коэффициента усиления напряжения испытуемой микросхемы.

Метод 6504. Измерение коэффициента усиления напряжения (А_и) на переменном токе.

По данному метолу измеряется А микросхем с низким и средним входными сопротивлениями. Измерение АГ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 18. Значения сопротивления нагрузки Я₍ и частоты /установлены в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. При измерении Л , для микросхем с одним входом резистор Я.? должен быть короткозамкнутым (переключатель В1 — замкнутый). Сопротивление аттенюатора должно быть значительно меньше входного сопротивления испытуемой микросхемы.

Сопротивление Я, резистора должно быть равно характеристическому сопротивлению аттенюатора. Сопротивления Л, и Я. во входной цепи должны быть равны минимальному входному сопротивлению испытуемой микросхемы, определенному на постоянном токе. Сопротивления конденсаторов С1 и С2 должны быть при заданной частоте значительно меньше входного сопротивления испытуемой микросхемы.

/ — генератор переменного напряжения; 2. 6 — измерители переменного напряжения: 3 — аттенюатор: 4 — источник питания: 5 — микросхема

Черт. 18

Перед проведением измерения испытуемую микросхему предварительно балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измерения проводят в режиме малого сигнала.

Генератором / на измерителе 2 устанавливают значение 6'_ИЦкГ, равное требуемому значению выходного напряжения 6'_иЦк. Регулируя затухание аттенюатора, устанавливают на измерителе 6 то же значение выходного напряжения 6'^. Коэффициент усиления напряжения испытуемой микросхемы А , равен коэффициенту d затухания аттенюатора.

ГОСТ 19799-74 С. 23

Методы 6500—6504. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 6505, 6506. (Исключены. Изм. № 2).

Метод 652 0. Измерение коэффициента усиления тока (А).

Для измерения А ₍ используют значения А , и Я . измеренные выбранными для данной микросхемы методами (методы 6500—6504 и 7500—7561).

Коэффициент усиления тока определяют по формуле

где /^ — здесь и далее активная составляющая результирующем нагрузки микросхемы.

Метод 653 0. Измерение коэффициента усиления мощности (КД

Для измерения К- используют значения А₍₁ и R_M. измеренные выбранными для данной микросхемы методами (методы 6500— 6504 и 7500—7501).

Коэффициент усиления мощности определяют по формуле

_ С_иих-А_4Л _ _г; R^

Метод 6540. Измерение коэффициента усиления синфазных входных напряжений (Л. . >.

Поданному методу измеряется А . микросхем с низким и средних* полными входными сопротивлениями.

Большие значения К _ф измеряют согласно структурной схеме, приведенной на черт. 19. а малые значения К _<ф — по структурной схеме, приведенной на черт. 20.

Измерение проводят в режиме малого сигнала. Частота генератора/. переменное выходное напряжение (/^сопротивление нагрузки R_t должны соответствовать требованиях» стандартов или технических условий на микросхемы конкретных типов. Сопротивление Л, резистора определяют из соотношения А\ 5 Л^/100. Оно должно быть равно характеристическому сопротивлению аттенюатора. Испытуемую микросхему (при необходимости) балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Регулируя напряжение генератора / на измерителе 2 устанавливают напряжение Ц. равное выходному напряжению микросхемы Чих* указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Регулируя затухание аттенюатора Л устанавливают на измерителе б требуемое значение выходного напряжения

/ — генератор переменного напряжения; 2. 6 — измеритель переменного напряжения; J — аттенюатор; 4 — источник питания; 5 — микросхема

Черт. 19

/ — генератор переменного напряжения: 2. 3 — аттенюаторы; / — источник питания: S— микросхема: 6— индикатор нуля:

7 — измеритель переменного напряжения

Черт. 20

С. 24 ГОСТ 19799-74

Коэффициент усиления синфазного входного напряжения А' _ф равен значению затухания d аттенюатора.

При измерении малых значений Л’ . (черт. 20) испытуемую микросхему (при необходимости) балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. На аттенюаторы 2и 3 устанавливают максимальное значение затухания d_v Регулируя напряжение генератора / на измерителе 7устанавливают требуемое значение выходного переменного напряжения С _и. Затем устанавливают такое значение затухания d, аттенюатора 3, при котором индикатор нуля 6 показывает минимальное значение.

Коэффициент усиления синфазного входного напряжения А _ф определяют по формуле

Кухф =^ или К.,.* ^di-d\,

^гД^е Ку.с*; d, и d_{ — выражены в децибелах, если необходимо получить значение Л' _ф в децибе

лах.

Метод 6550. Измерение коэффициента ослабления синфазных входных напряжении (А _ф). Для измерения А . используют значения А_д и А _ф, измеренные методами 6501—6504 и 6540. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений определяют по формуле

^Лос.сф , ^Л > сф

или К^ф = K_yU - А\ _сф

^гД^е К^^; А_уи, А_><ф — выражены в децибелах, если необходимо получить значение коэффициен

та К в децибелах.

Метод 655 1. Измерение коэффициента ослабления синфазных входных напряжений (А .) с автоматической балансировкой испытываемой микросхемы.

Измерение К^

производят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 23.

I — источник постоянного напряжении; 2 — гентри* тор переменною напряжения; 3 — измеритель постоянною напряжения: 4 — измеритель переменного напряжения; 5 — источник питания; 6 — микросхема;

7 — вспомогательный усилитель

Черт. 23

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиях», указанным в методе 1581.

На вход микросхемы подают сигнал положительной полярности Ц_{ф вС} указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. и регистрируют показание измерителя постоянного напряжения и\. Переключатель В! переводят в положение 2, подают сигнал отрицательной полярности У_л>„, равный по абсолютному значению сигналу положительной полярности. Регистрируют показание измерителя постоянного напряжения t'~.

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений на постоянном токе определяют по формуле

А

2 Я] ^'сф.ПК

ос.сф — “7 " “ .

A, _Ux __U{

ГОСТ 19799-74 С. 25

При измерении на переменном токе переключатель В1 переводят в положение Л а переключатель В2 — в положение 2. На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал С , , и регистрируют показание измерителя переменного напряжения (j₂ ■

Коэффициент ослабления синфазного сигнала на переменном токе определяют по формуле

Яослф ^_

*/•',

ЯД

Метод 6 5 6 0. Измереине коэффициента нелинейности амплитудной характеристики (К _д).

Для измерения Л _д используют структурную схему. выбранную для измерения коэффициента усиления напряжения (методы 6500—6504).

На вход микросхемы подают синусоидальный (импульсный) сигнал напряжением t'_uvm|n, а затем C_V(ll__c указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют соответственно 1/_ш1И|п и С_{( цчткч}. Затем уменьшают, а напряжение ^_ти1 увеличива

ют на одно и то же значение, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы

конкретных типов, и определяют соответственно 6\_{ЫЛ mjx} и б\_{ил mln}. Измерение проводят на заданной частоте. Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики определяют по формуле

них. mln

^'iiux.inlnl [^аих.твх ^ aux.max

p' uui.iii» ~^яихт||1 |д^ I ^н.®« ^— ^ox.miri /

Метод 6570. Измерение коэффициента прямоугольности (Л'_и).

Для измерения X, определяют полосу пропускания д/<метод 4500) по уровню 0.01 Ц_их — д/_0)|1 или по уровню 0.001 Ц_их — д/’_11Ю1 т. е. разность между значениями частот, на которых выходное напряжение уменьшается в 100 или 1000 раз относительно выходного напряжения на частоте, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Коэффициент прямоу-гольности определяют по формуле

Метол 658 0. Измерение коэффициента деления (Л',_|Г) и умножения частоты (Х^,).

Структурная схема для измерения X' , и /( .приведена на черт. 24.

Измеряют значения частоты входного/^ и выход-ного^_их сигналов. Коэффициент деления частоты определяют по формуле

Коэффициент умножения частоты определяют по формуле

/ — генератор сигналов; 2 — микросхема; J — источник питания; 4 — измеритель частоты

Черт. 24

Метод 6 590. Измерение коэффициента влияния нестабильности источников питания на входной ток (Х_мип).

Для измерения Л' _ио дважды измеряют входной ток (методы 2500. 2501). Первое измерение

С. 26 ГОСТ 19799-74

входного тока /_ж1 проводят при повышенном напряжении одного из источников питания на значение д£. указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Второе измерение входного тока /^ проводят при пониженном напряжении того же источника питания на значение Д£. Коэффициент влияния нестабильности источников питания на входной ток определяют по формуле

Метол 6600. Измерение коэффициента влияния нестабильности источника питания на разность входных токов (А^, _{ы п}) •

Для определения а ’, _{u л} дважды измеряют разность входных токов (методы 2500. 2501). Первое измерение разности входных токов д/^ проводят при повышенном напряжении одного из источников питания на значение Д£. указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Второе измерение разности входных токов д/^ проводят при пониженном напряжении того же источника питания на значение д£. Коэффициент влияния нестабильности источников питания на разность входных токов определяют по формуле

Метод 6610. Измерение коэффициента влияния нестабильности источников питания (A_{tiH п}) на э. д. с. смешения (£_и) и напряжения смешения нуля (^J.

Измерение Л _11)п микросхем с двумя входами проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4. а микросхем с одним входом — согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4а. Основные элементы, входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1580.

Испытуемую микросхему балансируют (метод 1580) и измеряют значение fj измерителем 2. Увеличивают напряжение одного из источников питания, то есть £; при £. = const, по абсолютному значению на д£. указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. После балансировки микросхемы измеряют значение а” измерителем 2. Затем уменьшают напряжение £; по абсолютному значению на д£ и после балансировки микросхемы измеряют значение £ измерителем 2.

A^z;, _{и п} на £_и и £ _ы определяют по

Коэффициент влияния нестабильности источника питания формуле

... Л₊А"

.....к

Я, где л-л—---. л=л —----. л=—=—.

д£ д£ Я, + я,

ГОСТ 19799-74 С. 27

Тем же методом определяют коэффициент Е;_ляп при изменении Ej и при Е! = const.

М е т о д 6 6 I 1. Измерение коэффициента влияния нестабильности источников питания (Е _1ип) на э. д. с. смещения и на напряжение смешения нуля (t^) с автоматической балансировкой испытуемой микросхемы с помощью вспомогательного усилителя.

Измерение К_иип проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5. Основные элементы. входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1581.

Для измерения коэффициента влияния нестабильности А, ,_1(| на Е.^ переключатели В1 и В2 замыкают, для измерения коэффициента нестабильности А _{н п} на С _u — размыкают.

Увеличивают напряжение одного из источников питания, то есть Е/ при Ej = const, по абсолютному значению на ДЕ. указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измеряют значение U\ измерителем 1. Уменьшают напряжение Е, лоабсолютному значению на ДЕи измеряют значение у" измерителем /.

Коэффициент влияния нестабильности источника питания К^ _{и п} на Е_см и Е _ч определяют по формуле

*'^к" Я, + Л. 2ДЕ ■

Тем же методом определяют Е^_и „ на Е _ч и V^ при изменении Е; на ДЕи при Ej = const.

Методы 6590—6611. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 6612. (Исключен, Изм. № 2).

Метод 6620. Измерение относительного динамического диапазона по напряжению (ДЕ_{1нн пи}).

Для вычисления ДЕ _{и)1 пи} используют значения максимального выходного напряжения Е^ ^ (метод 1620 или 1621) и минимального выходного напряжения ^'_иикт1п (метол 1630 или 1631).

Относительный динамический диапазон по напряжению определяют в децибелах по формуле

A^_MllJ>tH=201g.

E_Bux.min

Метод 663 0. Измерение относительного динамического диапазона по мощности (ДЕ _{( ш}).

Для вычисления ДЕ ,.„„,„ используют значения максимальной выходной мощности Е _ч (метод 3530) и минимальной выходной мощности Е _{л п|п}. Относительный динамический диапазон по напряжению определяют в децибелах по формуле

р хр = 10|е ^Ц|'¹"''

' UWX.fllin

Метод 6640. Измерение относительного диапазона АРУ по напряжению (ДЕ_д1^. _О1Н).

Для измерения ДЕ_{дру ши} определяют два значения коэффициента усиления напряжения Л. и

Е_уи (методы 6500—6504), соответствующие двум значениям входного напряжения (Д и Е^ - ука

занным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Относительный диапазон АРУ по напряжению определяют по формуле

С. 28 ГОСТ 19799-74

■^'аруош =—:—

где Л’_уц — наибольшее значение коэффициента усиления напряжения:

Л ., — наименьшее значение коэффициента усиления напряжения.

Метод 665 0. Измерение относительного диапазона АРУ по току (Д/_{ЛГУ |н}).

Для измерения Л/_друоп< определяют значения коэффициентов усиления тока A.j и А_и (метод 6520). соответствующие двум значениям входного напряжения и'^ и С^ . указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Относительный диапазон АРУ по току определяют по формуле

Л/

^Л/ЛРУо»н ^а~^“,

где А_у( — наибольшее значение коэффициента усиления тока:

A'_sl — наименьшее значение коэффициента усиления тока.

Метод 6660. И змерение относительного диапазона АРУ по мощности (ДР_{АРУ О1М}).

Для измерения Д/\ ... определяют два значения коэффициента усиления мощности А'\. и А\_р (метод 6530). соответствующие двум значениям входного напряжения б4 ^и (.-^ , указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Относительный диапазон АРУ по мощности определяют по формуле

Д^АРУ.атн = _•• , Лур

где А. _р — наибольшее значение коэффициента усиления мощности:

А\_г — наименьшее значение коэффициента усиления мощности.

Метод 66 70. Измерение коэффициента гармоник (А ) для микросхем с одним входом.

Измерение К проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.

Плавно увеличивают напряжение входного синусоидального сигнала и измеряют напряжение выходного сигнала, устанавливая его равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Переключатель ВЗ переводят в положение 2 и измеряют коэффициент гармоник выходного сигнала.

Метод 667 I. Измерение коэффициента гармоник (А.) для микросхем с двумя входами.

Измерение А проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7а. Основные элементы. входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1651.

При испытаниях микросхем с двумя выходами наложение переключателей показано на черт. 7а. а для микросхем с одним выходом переключатель ДОустанавливают в положение 2.

Балансируют микросхему (метод 1580) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Переключатель В4 переводят в положение 2. плавно увеличивают напряжение входного синусоидального сигнала и измеряют напряжение выходного сигнала, устанавливая его равным значению.

ГОСТ 19799-74 С. 29

указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

После этого переключатель В4 переводят в положение 3 и измеряют коэффициент гармоник выходного сигнала.

Метод 6680. Измерение коэффициента нестабильности по напряжению (^_(|).

Измерение А_кй проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют выходное напряжение t^_ui при входном напряжении и„ , указанном в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Изменяют входное напряжение до значения и ". указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение {/^ ■ Коэффициент нестабильности по напряжению определяют по формуле

^iic.U

(C„_U4 -L'uuJ-I'm --------п-----------:------------:--------

<^« -Ь'_и)-^их

Метод 6681. Измерение коэффициента нестабильности по напряжению < А_к J.

Измерение А , проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют выходной ток /’_ui при входном напряжении t^, указанном в стандартах или

технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Выходной ток определяют по методу 2520 или измеряют измерителем тока, включаемым в выходную цепь микросхемы.

Изменяют входное напряжение до значения #'_х, указанного в стандартах ши технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходной ток /^_х .

Коэффициент нестабильности по напряжению определяют по формуле

и с.U ~ '

^ их -^'их Г Лшх

Метод 669 0. Измерение коэффициента нестабильности по

ТОКУ ^ш !*-

/ — источник питания; 2 — микросхема; 3 — измеритель и спряжения

Черт. 26

Измерение А_н , проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют выходное напряжение £^_ич при выходном токе /*_цм, указанном в стандартах или

технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Выходной ток определяют по методу 2520 или измеряют измерителем тока, включаемым в

выходную цепь микросхемы. Изменяют выходной ток до значения /_ЬЦ4, указанного в стандартах или

технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение f/^.

Коэффициент нестабильности по току определяют по формуле

I- ^ ИМ» ^— ЯМ* )/вЫ»

л ис.1 - —------------—’ .

( 'UUX - 'вых Г^им

Метол 669 1. Измерение коэффициента нестабильности по току < А^ ₍).

Измерение А_н , проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

С. 30 ГОСТ 19799-74

Измеряют выходной ток /’_uk по методу 2520 или измерителем тока, включаемым в выходную цепь микросхемы, при сопротивлении резистора нагрузки д_ц , указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Изменяют сопротивление резистора нагрузки до значения я”, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходной ток / _1%.

Коэффициент нестабильности по току определяют по формуле

Л.. (А.ич “ ^UWX ^ ^1

ИС I ~---Г—т---1--

Методы 6630—6691. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 670 0. Измерение коэффициента пульсаций (А_и).

Для измерения А' ₍ измеряют амплитудное значение напряжения пульсаций (А и постоянную составляющую напряжения U. Коэффициент пульсаций определяют по формуле

К„, =----.

Метод 6710. Измерение коэффициента сглаживания пульсаций (А_и).

Измерение А^ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют амплитудные значения пульсаций входного U^ и выходного 6_рцх напряжений. Коэффициент сглаживания пульсаций определяют по формуле

К =

Метод 6720. Измерение коэффициента ослабления усиления на нижней (верхней) граничной частоте (К и К ,). ' о:.и ос.и'

Для измерения Л и А'определяют коэффициент усиления напряжения А , (методы 6500-6504).

На вход микросхемы подают сигнал 6’_1С напряжение и частота которого устанавливаются в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Затем, не изменяя значения напряжения входного сигнала Ь'^, устанавливают частоту, равную нижней (верхней) граничной частоте, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и определяют коэффициент усиления А ₍. (А _р).

Значение нижней (верхней) граничной частоты указывается в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Коэффициент ослабления усиления на нижней (верхней) граничной частоте в децибелах определяют по формулам

««..=2018^-;

^ЛуО

*..,. = 2»

Л yU

Метод 6730. Измерение коэффициента неравномерности ЛЧХ (А^ _АЧХ).

Для измерения A _V|X используют структурную схему, выбранную для измерения коэффициента усиления напряжения данной микросхемы (методы 6500—6504). На вход микросхемы подают сипу-

ГОСТ 19799-74 С. 31

соидальный сигнал напряжением и частотой, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Плавно изменяют частоту водного сигнала в заданном диапазоне частот, и поддерживая его напряжение постоянным, измеряют напряжение выходного сигнала. При этом регистрируют наибольшее ^Lv ^и наименьшее с'_ич значения выходного напряжения.

Коэффициент неравномерности АЧХ в децибелах определяют по формуле

^дчх = 201g —-

LUX

Метод 6 740. Измерение коэффициента ограничения выходного напряжения (Л^).

Измерение Л проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

На микросхему подают входной сигнал с параметрами (в том числе с напряжением CJ, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют выходное напряжение t^_x. Увеличивают напряжение входного сигнала до значения и . указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют выходное напряжение Z/"_UK. Коэффициент ограничения выходного напряжения определяют по формуле

Метод 6750. Измерение дифференциального коэффициента усиления (К, j-

Измерение К проводят согласно структурной схеме, выбранной для определения А , данной микросхемы (методы 6500—6504). Измеряют выходное напряжение при двух значениях входного напряжения У и U _вх = 1.1 ^ _вх , указанных в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Дифференциальный коэффициент усиления определяют по формуле

Л X . л --------------*--------

где 6\_ич и 1>\_ц, — выходные напряжения, измеренные при входных напряжениях ^ и и\_л соответственно.

Метод 6 760. Измерение коэффициента деления напряжения (А;.^ ).

Структурная схема для измерения Л, _L, приведена на черт. 27.

источник напряжения; 2— микросхема; J — измеритель пекла яиного напряжения

Черт. 27

С. 32 ГОСТ 19799-74

Устанавливают входное напряжение Е_ш, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение f _щ на каждом выходе микросхемы (Я/ — в положениях 2; 3 ... п}.

Коэффициент деления напряжения для каждого выхода микросхемы определяют как отношение £ ₍ ^к ^„_и>. ^иа каждом выходе микросхемы.

Методы 6720—6760. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 6 7 70. Измерение нестабильности частоты (5_М)

Измерение й_м от температуры, напряжения питания и т. д. проводят согласно структурной схеме, показанной на черт. 17.

Проводят два измерения значения частоты/' и f" при двух значениях режима (интервала температур, напряжения питания и т. д.). Нестабильность частоты определяют по формуле

Метод 6780. Измерение нестабильности фазового сдвига (6_So ).

Измерение 5_Sv от температуры, напряжения питания и т. д. проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 28.

Проводят два измерения значения фазового сдвига ф’и <р"(ме-тод 8520) при двух значениях режима (интервала температур, напряжения питания ит.д.).

Нестабильность фазового сдвига определяют по формуле

/ — генератор си гнилой; 2 — источник инглиш; 3— микросхема.

4— измеритель фа гы

Черт. 28

Метод 6 7 9 0. Измерение нелинейности фазового сдвига Ц,/

Измерение 5_|( проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 28.

Проводят два измерения значения фазового сдвига <р, и 9, (метод 8520) при двух значениях частоты входного сигнала/ и /₂, указанных в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Нелинейность фазового сдвига в процентах определяют по формуле

8._t =

'44х^.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

8. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ. ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ (класс 7000)

Метод 7 5 00. Измерение входного сопротивления (Я ) для микросхем с одним входом.

Измерение Л проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 29. если испытуемая микросхема удовлетворяет условию

где ^ — реактивная составляющая входного сопротивления микросхемы.

ГОСТ 19799-74 С. 33

И змерение проводят в режиме малого сигнала при частоте, соответствующей указанной в стан

дартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Сопротивления Я, и Я, резисторов должны удовлетворять условиям:

^т- «— ^«^.x-

Предельное отклонение значения сопротивления Я, резистора от установленного значения при заданной частоте должно быть в пределах ± 1 %.

Испытуемую микросхему (при необходимости) перед измерением балансируют в соответствии с условиями. указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Регулируют напряжение генератора / или затухание аттенюатора 2

I — генератор переменного напряжении; 2 — аттенюатор; 2— источник питания; 4 — микросхема: 5 — измеритель переменного напряжения: R2 — эталонный регулируемый резистор

Черт. 29

при замкнутом переключателе в/до момента получения выходного напряжения б'^, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. При разомкнутом переключателе В! увеличивают коэффициент затухания аттенюатора на 6 дБ и устанавливают такое значение сопротивления Я, резистора, при котором получают выходное напряжение, равное t'^. Входное со

противление Я,'Испытуемой микросхемы будет равно сопротивлению л резистора.

Метод 7501. Измерение входного сопротивления (Я^) для микросхем с двумя входами.

Измерение Я _ч проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 30. если испытуемая микросхема удовлетворяет условию

где А_м — реактивная составляющая входного сопротивления микросхемы. Элементы схемы должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 7500.

ВМ

I — генератор переменного пап ряже пип; 2 — атге-ниагар; 3 — источник питания; 4 — и окрас хе зга; S — измеритель переменного напряжения. R2 ~ эталонным регулируемый резистор

Черт. 30

Измерение проводят по методу 7500 в режиме малого сигнала при частоте, соответствующей указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Методы 7500. 7501. (Измененная редакция, Изм. № 2).

М е т о д ы 7502. 7503. (Исключены. Изм. № 2).

Метод 7510. Измерение выходного сопротивления Я_их для микросхем с одним входом.

Измерение Я _иу проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 31. если микросхема удовлетворяет условию

где А’ ^ — реактивная составляющая выходного сопротивления микросхемы.

С. 34 ГОСТ 19799-74

2

I — генератор переменного напряжения; 2 — мелочник питания; 3 — микросхема; 4 — измеритель переменною напряжения; R. — эталонный регулируемый резистор

Черт. 31

Измерение проводят в режиме малого сигнала при частоте, соответствующей указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Цепь обратной связи испытуемой микросхемы должна быть разомкнутой. Сопротивление Я_и резистора должно удовлетворять условию

^т^^^илткс-

Для проведения измерения регулируют напряжение генератора / и устанавливают на выходе микросхемы напряжение 6^, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Регулируя сопротивление Я . устанавливают такое его значение

Я_и, при котором t'_uux = 0,5 Ц__с При этом необходимо соблюдать, чтобы испытуемая микросхема не была перегружена.

Я_и, определяют по формуле

о _ озя_м - я, 'Чы» ---------

0.5 я_и - я„ ’

(Измененная редакция. Изм. № 2).

Методы 7 511, 7 512. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 7 5 2 0. Измерение входного сопротивления при синфазных входных напряжениях (Я_{ик ф}) для микросхем с одним выходом.

Измерение Я . проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 32.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

Л^ <0.01 Я,; Я, = Я,; Я,-(2-5)Я_Л.

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал и измерителем переменного напряжения измеряют напряжение на выходе микросхемы б j_ux. Затем переключатель В! размыкают и снова измеряют напряжение на выходе .

/ — генератор сигналок; 2 — источник питании: 3 — микросхема. 4— измеритель Переменного на-пряжения

I — генератор сигналов; 2— измеритель переменного напряжения; 3 — микросхема. 4 — источник пита-пин; 5 — вспомогательный усилитель

Черт. 32

Черт. 33

ГОСТ 19799-74 С. 35

Входное сопротивление при синфазных входных напряжениях определяют по формуле

^7--

Метод 7 5 21. Измерение входного сопротивления при синфазных входных напряжениях (Я ,) для микросхем с двумя выходами с автоматической балансировкой микросхемы.

Измерение Я _ь проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 33.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

\. $0.01Я_г Я₍ = /?H2“5)«_w; R. = R^

Параметры вспомогательного усилителя определяют в зависимости от параметров испытуемой микросхемы.

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал и измерителем переменного напряжения измеряют напряжение £^_Uk ^на выходе вспомогательного усилителя. Затем переключатель Я/размыкают и измеряют напряжение L'_hux. Входное сопротивление при синфазных входных напряжениях определяют по формуле

я -

-44^-1 ^■их

Метод 7530. (Исключен, Изм. № 5).

9. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ.

ИМЕЮЩИХ ПРОЧИЕ РАЗМЕРНОСТИ (класс 8000)

Метод 8500. Измерение скорости нарастания выходного напряжения (^„„J для микросхем с одним входом.

Измерение И_{( ццх} проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

На вход микросхемы подают импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измерителем временных интервалов измеряют интервал времени г. за который выходное напряжение изменяется от момента первого достижения уровня 0.1 до момента первого достижения уровня 0.9 установившегося значения. Измеряют амплитуду выходного импульса Л_п. Скорость нарастания выходного напряжения определяют по формуле

I/ , ОФ,

'Ооых ■ I

Метод 8501. Измерение максимальной скорости изменения выходного напряжения (Е^) для микросхем с двумя входами.

Время нарастания (/_{н р}> выходного напряжения микросхемы измеряют по методу 5511. Установившееся значение выходного напряжения (Ц^) измеряют после воздействия на микросхему входного импульса.

Максимальную скорость изменения выходного напряжения К_ивих определяют по формуле ^=0,8^.

С. 36 ГОСТ 19799-74

Метод 8510. Измерение крутизны преобразования (5_прС).

И змерение 5_1||Л проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 34.

На входы микросхемы подают сигналы с параметрами, в том числе напряжение С_цч^ и U^_e указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Изменяя частоту входного сигнала С^ или U^_r устанавливают максимальное напряжение промежуточной частоты на выходе микросхемы </_аил„_ч. Крутизну преобразования определяют по формуле

про ~ /, О ,

^L пх.с^яос

i — генератор сигнала; 2 — измсригель переменного напряжения; i — источник питания; 4 — микросхема; 5 — генератор снгнх-ia гетеродина: 6 — измеритель переменною напряжения

Черт. 34

где Я* — эквивалентное сопротивление нагрузки.

М е тод ы 8500. 8501. 8510. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 8 5 20. Измерение фазового сдвига (ф).

Измерение $ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 28.

Фазовый сдвиг измеряют измерителем фазы, включенным между входом и выходом микросхемы.

Метод 8530. Измерение температурных коэффициентов э. д. с. смещения (а^ ), напряжения смешения нуля (си. ), входных токов (а„. ,а_, ). среднего входного тока (си. ), разности ^w см ач! м2

входных токов (a_ew ), фазового сдвига (а^).

Для измерения «_ОА ,а_вд. . а_я/ ,а_е; ,<х_о/ . а_т/ . а^ при двух значениях температуры, ука

занных в стандартах и технических'условиях на микросхемы конкретных типов, измеряют э. д. с.

смешения £ _и. Е_<ч, напряжение смешения нуля и\_ч. и'_ы (методы 1580, 1581), входной ток 4x1. 4u. 4u- /_ахЬ средний входной ток 4_vcp, /” _ср , разность входных токов д/^, д£ (методы 2500. 2501), фазовые сдвиги ф', ф" (метод 8520), предварительно выдерживая микросхему при заданных температурах в течение времени, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Температурный коэффициент э. д. с. смешения, напряжения смешения нуля, входных токов, среднего входного тока, разности входных токов и фазового сдвига определяют по формулам

«в£,

^СМ - ^си . _

—~—■ ^а«“

„ ^0X1 ~ /вх1 .

“«/«хр" Д/ ■ “«!/«- Д?

где ДГ = Т₂—7’ — разность значений температур, при которых проводились измерения. В формулы подставляют алгебраические значения параметров.

ГОСТ 19799-74 С. 37

Метод 8540. Измерение коэффициентов временной нестабильности э. д. с. смешения (а/^ ). напряжения смешения нуля (а/. ). входных токов (at. . at. ). среднего входного тока (аг ), ¹см 'axl Лл2 'их.ср

разности входных токов (а/^ ). фазового сдвига (aQ.

Для измерения ar , a/„ . ar . ar . ar, , ar, и at. после достижения установившегося ^Лси ‘ си '»1 'м2 'ы ср

значения параметров, измеряют: £._м, С_и (по методам 1580, 1581), /_и|, 1^, 1_м^. д/_и (по методам 2500. 2501), ф (по методу 8520). Затем в соответствии с требованиями стандартов и технических условий на микросхемы конкрет ных типов периодически повторяют измерения этих параметров, регистрируя их значения и получая зависимости:

^ =f^ и„ = /(О; /„, =/(/); /_В12 =/(0; С^/** д/_м=Ж;ф = Л0.

Коэффициенты временной нестабильности определяют по формулам:

г _ ^си ты ^— ^см.тт . _ ^сы.мы ^'смmln

^---S-----• ^иЧ_м--V-----

Лп.пш ~ ^ы.т<п /*х, max ~ ^«х , min

«'' Ml =-----П—¹--"‘' м2 =--=---^--

_ ^ыхр.тах ~ /ux.cp.min . Д/._Л ты ~Л/«х.т1п

°^>хлр ---------Л?--------’ ^'.х --------3?-------

ш .. Фтих ~ Фтт

* Л/

где индексом шах обозначено максимальное значение параметра, а индексом min минимальное; Д/ — время между отсчетами максимального и минимального значении измеряемого параметра.

Методы 8 5 30. 8 54 0. (Измененная редакция, Изм. № 2).

10. МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК (класс 9000)

Метод 9 500. Определение амплитудной характеристики С_ык =/( С ₍).

Для построения амплитудной характеристики используют схему, выбранную для измерения ко-эффициента усиления данной микросхемы (методы 6500—6504), а также значения Ц_киич (методы 1510 и 1511).

Измеряют выходное напряжение при десяти значениях напряжения входного си гнала L¹^. которое изменяют равными ступенями по0.15 (.^^ в пределах от 0.15 ^_т1, до 1.5 Ц^^. По результатам измерений строят график зависимости 1/_щ =/(6'J.

М е тод 9 5 1 0. Определение амплитудно-частотных характеристик (А^_о = ф^)) или ^ = *>«)•

Для построения амплитудно-частотных характеристик используют схему и метод, выбранные для измерения коэффициента усиления данной микросхемы (метод 6500—6504).

Измеряют коэффициент усиления или t'_uu> при (.^ = const при десяти значениях частоты входного сигнала в диапазоне от у] до /_11Г значения которых указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и по результатам строят графики зависимости или Чих ⁼ Ч^Ю ^ПР^И Ча ^{= const} о логарифмическим (линейным) масштабом по оси частот и линейным (логарифмическим) масштабом по оси A _t или 6'_uu<

Метод 95 20. Определение нагрузочной характеристики 6'_iuk =f(R).

С. 38 ГОСТ 19799-74

Для построения нагрузочной характеристики используют схему, выбранную для определения коэффициента усиления данной микросхемы (методы 6500—6504).

Измеряют выходное напряжение при различных сопротивлениях нагрузки, значения и количества которых указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов (значение напряжения на входе должно быть постоянным).

11о результатам измерений строят график зависимости

Метод 95 30. Определение фаза-частотнои характеристики ф= у (/)-

Для построения фаза-частотной характеристики измеряют фазовый сдвиг (метод 8520) при t/_K = const и при значениях частоты входного сигнала, указанных в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и по результатам строят график зависимости ф = у (/) с логарифмическим (линейным) масштабом по оси частот/ и линейным (логарифмическим) масштабом по оси фазового сдвига ф.

Методы 9500. 9510, 9520. 9530. (Измененная редакция. Изм. № 2).

ПРИЛОЖЕНИЕ L (Исключено, Изм. № 6).

ПОЯСНЕНИЯ НУМЕРАЦИИ МЕТОДОВ ИЗМЕРЕНИЯ

ГОСТ 19799-74 С. 39

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Справочное

Методы измерения электрических параметров и определения характеристик обозначаются четырехзначным числом по принятой в настоящем стандарте системе:

первая цифра (от I до 9) обозначает класс параметров, имеющих одинаковую размерность в следующем порядке:

1000 — параметры с размерностью напряжения;

2000 — параметры с размерностью тока:

3000 — параметры с размерностью мощности;

4000 — параметры с размерностью частоты;

5000 — параметры с размерностью времени;

6000 — относительные параметры;

7000 — параметры с размерностями сопротивления и емкости;

8000 — параметры с прочими размерностями;

9000 — определение характеристик;

вторая и третья цифры обозначают номер параметров в пределах одною класса (от 50 до 79):

четвертая цифра обозначает номер метода измерения одного параметра (от 0 до 9).

При включении в стандарт методов измерения новых параметров они будут обозначаться последующими порядковыми номерами в пределах последней (четвертой) цифры.

Пример расшифровки нумерации метода 2531 измерения максимальною выходного тока:

— Номер класса, к которому относится параметр по размерности (ток);

Порядковый номер метода измерения параметра (максимального выход-__ ною тока);

Номер метода измерения параметра (максимального выходною тока) в порядке изложения в пределах класса 2000.

27

С. 40 ГОСТ 19799-74

ПРИЛОЖЕНИЕ J Справочное

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК МИКРОСХЕМ

Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров и характеристик микросхем — по ГОСТ 194S0 и настоящему приложению.

Амплитудная характеристика — зависимость выходною напряжения микросхемы от входного, определяемая на частоте, выбираемой в середине полосы пропускания |L'_m< = /(UJ при /= const|.

Амплитудно-частотная характеристика — зависимость коэффициента усиления от частоты 1^ = /(/) или Ч» ^п₽^и Чх^Л

Время восстановления / — интервал времени между моментом достижения срезом входною импульса уровня 0,5 его амплитуды и моментом достижения выходным напряжением уровня 0,1 сю максимального значения.

Время готовности t — интервал времени между моментом подачи питающих напряжений и моментом, когда значения контролируемых параметров входит в зоны установленных на них допусков.

Диапазон выходного постоянного напряжения L/^,^ — максимально возможное изменение постоянного напряжения на выходе микросхемы.

Дифференциальный коэффициент усиления напряжения А ₁ — отношение бесконечно малого изменения выходного напряжения к соответствующему бесконечно малому изменению входного напряжения.

Дифференциальное сопротивление электронного ключа Л — отношение бесконечно малого изменения остаточного напряжения на открытом ключе к соответствующему бесконечно малому изменению тока, протекающему через этот ключ.

Диапазон изменения выходного напряжения ограничения 6^ — изменение выходного напряжения микросхемы. работающей в режиме ограничения, при изменении входного напряжения в пределах от 17 до ¹³ Ч

Коэффициент деления напряжения К, ₍ — отношение входного напряжения микросхемы к выходному.

Максимальная выходная мощность /\ ,„„ — мощность полезного сигнала, выделяемая в указанной нагрузке при максимальном выходном напряжении.

Максимальный коммутируемый ток / ., ,,„ — наибольший ток. протекающий через открытый электронный ключ, при котором паление напряжения на микросхеме равно указанному значению.

Максимальный ток закрытой схемы / _ия — ток. протекающий через закрытый электронный ключ при максимальном выходном напряжении и заданном режиме.

Максимальная частота следования импульсов / ^ — максимальная частота импульсов синхронизации, при которой удовлетворяются требования к параметрам микросхемы.

Нагрузочная характеристика — зависимость выходного напряжения схемы от сопротивления нагрузки, определяемая при неизменных входном напряжении и частоте.

Нелинейность фазового сдвига 6^ — относительное отклонение фазового сдвига от линейного закона при изменении частоты.

Изменение во времени электрических параметров (напряжения смещения микросхемы M_t входного тока Д^ , среднего входного тока Д/_ь> .^ разности входных токов Д/^ .фазового сдвига ДИ — максимальное изменение электрических параметров (напряжения смещения, входного тока, среднего входного тока, разности входных токов, фазового сдвига) за указанный интервал времени после включения при определенных внешних условиях и параметрах внешних цепей.

Остаточное напряжение электронного ключа 0^.^ — падение напряжения сигнала на открытом электронном ключе.

Средний входной ток /_ — среднее арифметическое значение входных токов, протекающих через вхо

ды микросхемы, когда она сбалансирована.

Ток срабатывания микросхемы / ^ — наименьшее значение входного тока, при котором происходит срабатывание микросхемы.

Фазо-частотная характеристика — зависимост ь фазового сдвига от частот ы [ф = /(./) при t^ = const).

Электродвижущая сила (э. д. с.) смещения (£ ) — постоянное входное напряжение от источника питания с внутренним сопротивлением, стремящимся к нулю, при котором выходное напряжение микросхемы равно нулю или другому заданному значению.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

ГОСТ 19799-74 С. 41

ПРИЛОЖЕНИЕ 4

Справочное

Информационные данные о соответствии ГОСТ 19799—74 СТ СЭВ 1622—79 и СТ СЭВ 3411—81

С. 42 ГОСТ 19799-74

ПРИЛОЖЕНИЕ 5

Справочное

Графическое определение времени запаздывания (Г_ип). времени нарастания (fj, ния Q_w). времени успокоения (/ ) выходного напряжения и значения t.

времени установлс-

U вход

i

ПРИЛОЖЕНИЯ 4. 5. (Введены дополнительно, Изм. № 2).

ГОСТ 19799-74 С. 43

И НФОРМАЦИОНН Ы Е ДАН Н Ы Е

1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 15.05.74 № 1178

Изменение № 6 принято Межгосударственным Советом по стандартизации. метрологии и сертификации (протокол № 10 от 04.10.96)

Зарегистрировано Техническим секретариатом МГС № 2245

За принятие изменения проголосовали:

2. Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 3411—81 и соответствует СТ СЭВ 1622—79

3. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

4. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

5. Ограничение срока действия снято по протоколу № 5—94 Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС 11—12—94)

6. ПЕРЕИЗДАНИЕ (май 1999 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, 5, 6, утвержденными в ноябре 1980 г., сентябре 1983 г., сентябре 1986 г., декабре 1989 г., июне 1990 г., апреле 1997 г. (ИУС 1—81, 12-83, 12-86, 3-90, 10-90, 6-97)

Редактор Г. С. Шека

Технический редактор Л. А. Кутепова

Корректор Н. II. Гавритск

Компьютерная верстка Т. В. Александровой

Изд. дни. № 02 1007 or 10.OS.95. Сдано п набор 27.05.99. Подписано в печать <12.07.99. Усл. псч. л. 5.12. Уч.-изд. л. 4.30.

Тира* I4IJK3.C 3256. Зак. 1361.

ИПК Издательство стандартов. 107076. Москва, Колодезный nep.. 14. Набрано п Калужской типографии стандартов на ПЭВМ. Калужская типография стандартен, ул. Московская. 256.

ПЛР № 040138