ГОСТ ISO/TS 80004-8-2016
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
НАНОТЕХНОЛОГИИ
Часть 8
Процессы нанотехнологического производства
Термины и определения
Nanotechnologies. Part 8. Nanomanufacturing processes. Terms and definitions
МКС 01.040.07
07.030
Дата введения 2017-07-01
Предисловие
Цели, основные принципы и общие правила проведения работ по межгосударственной стандартизации установлены ГОСТ 1.0 "Межгосударственная система стандартизации. Основные положения" и ГОСТ 1.2 "Межгосударственная система стандартизации. Стандарты межгосударственные, правила и рекомендации по межгосударственной стандартизации. Правила разработки, принятия, обновления и отмены"
Сведения о стандарте
1 ПОДГОТОВЛЕН Федеральным государственным унитарным предприятием "Всероссийский научно-исследовательский институт стандартизации и сертификации в машиностроении" (ВНИИНМАШ) на основе собственного перевода на русский язык англоязычной версии документа, указанного в пункте 5
2 ВНЕСЕН Межгосударственным техническим комитетом по стандартизации МТК 441 "Нанотехнологии"
3 ПРИНЯТ Межгосударственным советом по стандартизации, метрологии и сертификации (протокол от 25 октября 2016 г. N 92-П)
За принятие проголосовали:
Краткое наименование страны по МК (ИСО 3166) 004-97 | Код страны по | Сокращенное наименование национального органа по стандартизации |
Беларусь | BY | Госстандарт Республики Беларусь |
Киргизия | KG | Кыргызстандарт |
Россия | RU | Росстандарт |
Таджикистан | TJ | Таджикстандарт |
Туркмения | TM | Главгосслужба "Туркменстандартлары" |
(Поправка. ИУС N 1-2023).
4 Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 9 ноября 2016 г. N 1648-ст межгосударственный стандарт ГОСТ ISO/TS 80004-8-2016 введен в действие в качестве национального стандарта Российской Федерации с 1 июля 2017 г.
5 Настоящий стандарт идентичен международному документу ISO/TS 80004-8:2013* "Нанотехнологии. Словарь. Часть 8. Процессы нанопроизводства" ("Nanotechnologies - Vocabulary - Part 8:Nanomanufacturing processes", IDT).
________________
* Доступ к международным и зарубежным документам, упомянутым в тексте, можно получить, обратившись в Службу поддержки пользователей. - .
Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного документа для приведения в соответствие с ГОСТ 1.5 (подраздел 3.6).
Международный документ разработан Техническим комитетом по стандартизации ISO/TC 229 "Нанотехнологии" Международной организации по стандартизации (ISO).
Стандарт подготовлен на основе применения ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013*
________________
* Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 9 ноября 2016 г. N 1648-ст ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 отменен с 1 июля 2017 г.
6 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
7 ПЕРЕИЗДАНИЕ. Август 2020 г.
Информация о введении в действие (прекращении действия) настоящего стандарта и изменений к нему на территории указанных выше государств публикуется в указателях национальных стандартов, издаваемых в этих государствах, а также в сети Интернет на сайтах соответствующих национальных органов по стандартизации.
В случае пересмотра, изменения или отмены настоящего стандарта соответствующая информация будет опубликована на официальном интернет-сайте Межгосударственного совета по стандартизации, метрологии и сертификации в каталоге "Межгосударственные стандарты"
ВНЕСЕНА поправка, опубликованная в ИУС N 1, 2023 год
Поправка внесена изготовителем базы данных
Введение
Нанотехнологическое производство - это применение научных открытий и новых знаний в области нанотехнологий для изготовления продукции наноиндустрии.
Продвижение нанотехнологий из научных лабораторий в массовое производство требует тщательного изучения стадий жизненного цикла продукции наноиндустрии, включая разработку и постановку продукции на производство, ее надежность и качество, управление производственными процессами и их контроль, а также вопросов обеспечения безопасности при производстве, поставке, применении и утилизации продукции наноиндустрии для сотрудников предприятий, потребителей и окружающий среды. В рамках нанотехнологического производства осуществляется освоение в промышленных масштабах процессов самосборки и направленной самосборки, синтеза наноматериалов и изготовления на их основе продукции, например, с применением литографии или биологических процессов. В нанотехнологическом производстве применяют технологии "снизу вверх" и "сверху вниз", позволяющие изготавливать объекты или системы объектов на молекулярном уровне с последующим их встраиванием в более крупные объекты или системы объектов.
Объекты и материалы при их преобразовании с помощью нанотехнологий изменяют свои свойства. Свойства конечной продукции наноиндустрии зависят от совокупности свойств нанообъектов и наноматериалов, использованных при ее изготовлении.
В настоящий стандарт не включены термины и определения понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства, основанным на применении законов биологии в нанотехнологиях. Однако, учитывая быстрое развитие нанобиотехнологий, в дальнейшем настоящий стандарт будет дополнен новыми терминами или будет разработан отдельный стандарт серии ISO 80004, включающий термины и определения понятий, относящихся к процессам обработки биологических наноматериалов и применению законов биологии при производстве новых наноматериалов. Также будут установлены термины и определения понятий, относящихся к другим развивающимся отраслям наноиндустрии, например, к изготовлению нанокомпозиционных материалов и электронных устройств на рулонах из гибкого пластика или металлической фольги (изготовление roll-to-roll).
Понятие "нанотехнологическое производство" следует отличать от понятия "наноизготовление", так как понятие "нанотехнологическое производство" включает не только способы изготовления наноматериалов, в том числе синтез, но и методы их обработки.
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий, относящихся к процессам, применяемым на стадиях разработки и постановки продукции на производство, например, к синтезу наноматериалов с заданными свойствами. Наноматериалы изготавливают как продукцию производственно-технического назначения для выпуска конечной продукции, например, наноматериалы применяют при производстве композиционных материалов или в качестве компонентов различных систем или устройств. Процессы нанотехнологического производства являются большой и разнообразной группой производственных процессов, применяемых в следующих отраслях:
- полупроводниковая промышленность (цель которой - создание микропроцессоров меньшего размера, более эффективных и быстродействующих, с элементами размером менее 100 нм);
- производство электроники и телекоммуникационного оборудования;
- аэрокосмическая и оборонная промышленность;
- энергетика и транспорт;
- химическая промышленность, включая производство пластмассы и керамики;
- лесная, деревообрабатывающая и целлюлозно-бумажная промышленность;
- пищевая промышленность и производство упаковки для пищевых продуктов;
- биомедицина, биотехнологии и фармацевтическая промышленность;
- биологическая рекультивация;
- легкая и парфюмерно-косметическая промышленность, включая производство одежды и товаров личной гигиены.
Ежегодно в обращение на мировой рынок поступают тысячи тонн наноматериалов, применяемых в вышеуказанных отраслях, например, технический углерод и коллоидный диоксид кремния. В ближайшем будущем будут разработаны новые наноматериалы, которые внесут существенные изменения в развитие таких отраслей, как биотехнологии, технологии очистки воды и энергетика.
В настоящем стандарте термины и определения понятий объединены в разделы и подразделы, относящиеся к определенной группе или подгруппе процессов нанотехнологического производства. Раздел 6 состоит из подразделов, включающих термины и определения понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства в зависимости от агрегатного состояния исходного материала. Например, на этапе, предшествующем изготовлению наночастиц, исходный материал находится в газовой/жидкой/твердой фазе, при этом агрегатное состояние материала подложки и вспомогательных материалов в данной классификации процессов не учитывают. В качестве примера можно привести термин "формирование нановолокон по механизму роста "пар - жидкость - кристалл", который в настоящем стандарте помещен в подраздел 6.2 "Термины и определения понятий, относящихся к процессам химического осаждения из газовой фазы", так как исходным материалом в данном процессе является газообразное углеродное вещество. Вспомогательный материал - частицы железа, содержащиеся в растворе (жидкий катализатор), адсорбируют на своей поверхности исходный газообразный материал до уровня перенасыщения, формируя углеродные нановолокна. Классификация процессов синтеза в зависимости от применения исходных наноматериалов или нанообъектов, применяемых для производства конечной продукции, приведена в приложении А.
Стандартизованные термины, относящиеся к процессам нанотехнологического производства, позволят обеспечить взаимопонимание между организациями и отдельными специалистами из разных стран, будут способствовать скорейшему переходу нанотехнологий из научно-исследовательских лабораторий к серийному выпуску и коммерциализации продукции наноиндустрии.
Сведения о ранее разработанной терминологии, относящейся к нанотехнологическому производству, представлены в библиографии [1].
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области нанотехнологий, относящихся к процессам нанотехнологического производства.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.
Помета, указывающая на область применения многозначного термина, приведена в круглых скобках светлым шрифтом после термина. Помета не является частью термина.
Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них произвольные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, относящиеся к определенному понятию. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.
В стандарте приведен алфавитный указатель терминов на русском языке, а также алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, и иноязычные эквиваленты - светлым, синонимы - курсивом.
1 Область применения
Настоящий стандарт является частью серии стандартов ISO/TS 80004 и устанавливает термины и определения понятий в области нанотехнологий, относящихся к процессами нанотехнологического производства.
Не все процессы, термины и определения которых установлены в настоящем стандарте, осуществляют в нанодиапазоне. В зависимости от возможностей управления такими процессами для изготовления продукции в качестве исходных материалов применяют и наноматериалы, и обычные материалы.
Настоящий стандарт не распространяется на оборудование, вспомогательные материалы и методы контроля, применяемые в процессах нанотехнологического производства.
2 Термины и определения понятий, установленные в других стандартах серии ISO/TS 80004
В настоящем разделе приведены термины и определения, установленные в других стандартах серии ISO/TS 80004, необходимые для понимания текста настоящего стандарта.
2.1 | |
углеродная нанотрубка; УНТ: Нанотрубка (2.9), состоящая из углерода. | carbon nanotube; CNT |
Примечание - Углеродные нанотрубки обычно состоят из свернутых слоев графена, в том числе одностенные углеродные нанотрубки и многостенные углеродные нанотрубки. | |
| |
нанокомпозиционный материал; нанокомпозит: Твердое вещество, состоящее из двух или более разделенных фаз, из которых одна или более являются нанофазами. | nanocomposite |
Примечания | |
| |
нановолокно: Нанообъект, линейные размеры которого по двум измерениям находятся в нанодиапазоне (2.7), а по третьему измерению значительно больше. | nanofibre |
Примечания | |
| |
наноматериал: Твердый или жидкий материал, полностью или частично состоящий из структурных элементов, размер которых хотя бы по одному измерению находится в нанодиапазоне (2.7). | nanomaterial |
Примечания | |
| |
нанообъект: Материальный объект, линейные размеры которого по одному, двум или трем измерениям находятся в нанодиапазоне (2.7). | nano-object |
Примечание - Данный термин распространяется на все дискретные объекты, линейные размеры которых находятся в нанодиапазоне. | |
| |
наночастица: Нанообъект (2.5), линейные размеры которого по всем трем измерениям находятся в нанодиапазоне (2.7). | nanoparticle |
Примечание - Если по одному или двум измерениям размеры нанообъекта (2.5) значительно больше, чем по третьему измерению (как правило, более чем в три раза), то вместо термина "наночастица" можно использовать термины "нановолокно" (2.3) или "нанопластина". | |
| |
нанодиапазон: Диапазон линейных размеров приблизительно от 1 до 100 нм. | nanoscale |
Примечания | |
| |
наноструктурированный материал: Материал, имеющий внутреннюю или поверхностную наноструктуру. | nanostructured material |
Примечание - Настоящее определение не исключает наличия у нанообъекта (2.5) внутренней или поверхностной структуры. Рекомендуется применять термин "нанообъект" к элементу наноструктурированного материала, если его линейные размеры по одному, двум или трем измерениям находятся в нанодиапазоне. | |
| |
нанотрубка: Полое нановолокно (2.3). | nanotube |
3 Термины и определения основных понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства
3.1 нанотехнологическое производство "снизу вверх": Технология, основанная на применении атомов, молекул и/или нанообъектов в качестве исходного материала для формирования более крупных и функционально сложных структур или конструкций различных объектов. | bottom up nanomanufacturing |
3.2 соосаждение: Осаждение одновременно двух или более исходных материалов. | co-deposition |
Примечание - К основным методам соосаждения относят: вакуумное напыление, термическое напыление, электроосаждение и осаждение твердых частиц суспензии. | |
3.3 истирание: Процесс дробления или измельчения исходного материала с целью уменьшения размеров его частиц. | communition |
3.4 направленная сборка (нанотехнологии): Процесс формирования конструкций объекта в соответствии с заданным шаблоном, основанный на применении управляемых внешних воздействий к исходным нанообъектам. | directed assembly |
3.5 направленная самосборка: Процесс самосборки (3.11) в соответствии с заданным шаблоном, происходящий под управляемыми внешними воздействиями. | directed self-assembly |
Примечание - Процесс направленной самосборки может происходить под действием приложенного силового поля, сил потока жидкости, введенного в исходное вещество химического реагента или по заданному шаблону. | |
3.6 литография: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изображения путем воспроизведения заданного шаблона на подложке. | lithography |
Примечание - Шаблон изготавливают из материала, чувствительного к излучению, и осуществляют его перенос на подложку для формирования нужной структуры методами контактной печати или прямой записи. | |
3.7 многослойное осаждение: Процесс получения композиционных материалов со слоистой структурой путем последовательного осаждения на подложку двух или более исходных материалов. | multilayer deposition |
3.8 нанотехнологическое изготовление: Совокупность действий, направленных на преднамеренное изготовление объектов, устройств или их элементов, размеры которых находятся в нанодиапазоне (2.7), для коммерческих целей. | nanofabrication |
3.9 | |
нанотехнологическое производство: Преднамеренный синтез, изготовление или контроль наноматериалов, а также отдельные этапы процесса изготовления в нанодиапазоне (2.7) для коммерческих целей. | nanomanufacturing |
| |
процесс нанотехнологического производства: Совокупность мероприятий, направленных на преднамеренный синтез, изготовление или контроль наноматериалов (2.4), а также отдельные этапы процесса изготовления в нанодиапазоне (2.7) для коммерческих целей. | nanomanufacturing process |
|
|
3.12 функционализация поверхности: Процесс придания поверхности объекта заданных химических или физических свойств путем химического или физико-химического воздействия. | surface functionalization |
3.13 нанотехнологическое производство "сверху вниз": Технология получения нанообъектов из макроскопических объектов. | top-down |
4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам направленной сборки
4.1 сборка в электростатическом поле (нанотехнологии): Процесс изменения направления или положения нанообъектов, являющихся элементами устройства или материала, под действием сил электростатического поля. | electrostatic driven assembly |
4.2 распределение в потоке жидкости (нанотехнологии): Процесс изменения направления или положения нанообъектов, являющихся элементами устройства или материала, под действием сил потока жидкости. | fluidic alignment |
4.3 иерархическая сборка (нанотехнологии): Технология, основанная на применении более одного процесса нанотехнологического производства (3.9) для управления сборкой объекта, осуществляемой в любой последовательности. | hierarchical assembly |
4.4 сборка в магнитном поле (нанотехнологии): Процесс изготовления объектов в соответствии с заданным шаблоном в нанодиапазоне (2.7) под действием сил магнитного поля. | magnetic driven assembly |
4.5 сборка с учетом формы наночастиц (нанотехнологии): Процесс получения заданной структуры или конфигурации объекта, основанный на применении наночастиц (2.6) определенной геометрической формы. | shape-based assembly |
4.6 супрамолекулярная сборка: Процесс сборки объекта из молекул или наночастиц (2.6) за счет нековалентных связей. | supramolecular assembly |
4.7 перенос "поверхность-поверхность" (нанотехнологии): Процесс перемещения наночастиц (2.6) или объектов с поверхности одной подложки, на которой они были сформированы или собраны, на поверхность другой подложки. | surface-to-surface transfer |
5 Термины и определения понятий, относящихся к процессам самосборки
5.1 коллоидная кристаллизация (нанотехнологии): Процесс получения вещества, состоящего из плотно расположенных по отношению друг к другу элементов, упорядоченных в периодические пространственные структуры, путем седиментации наночастиц (2.6) из раствора с образованием твердого осадка. | colloidal crystallization |
5.2 графоэпитаксия (нанотехнологии): Процесс направленной самосборки (3.5) на поверхности объектов, имеющей неоднородности, размеры которых находятся в нанодиапазоне (2.7). | graphioepitaxy |
Примечание - К понятию "графоэпитаксия" относят процессы последовательного формирования пленок с одинаковой или отличной структурой на поверхности одной и той же кристаллической подложки. | |
5.3 ионно-лучевое модифицирование поверхности (нанотехнологии): Процесс изменения поверхности объекта пучком ускоренных ионов с целью формирования на ней неоднородностей, в том числе размерами в нанодиапазоне (2.7). | ion beam surface reconstruction |
5.4 формирование пленки Ленгмюра-Блоджетт: Процесс получения молекулярного монослоя на границе раздела двух сред (газовой и жидкой) с помощью специальной кюветы, разработанный Ирвингом Ленгмюром и Катариной Блоджетт. | Langmuir-Blodgett film formation |
5.5 перенос пленки Ленгмюра-Блоджетт: Процесс перемещения молекулярного монослоя, сформированного на границе раздела двух сред (газовой и жидкой), на твердую поверхность путем погружения в жидкость с данным монослоем и последующего извлечения из нее твердой подложки. | Langmuir-Blodgett film transfer |
5.6 послойное электростатическое осаждение: Процесс последовательного нанесения на поверхность подложки слоев полимерных материалов с противоположными знаками электрических зарядов. | layer-by-layer deposition; |
5.7 модулированное осаждение веществ: Процесс формирования чередующихся слоев двух или более веществ путем последовательного осаждения из газовой фазы каждого из исходных веществ на заданных участках подложки. | modulated elemental reacted method |
5.8 самосборка монослоя: Процесс формирования упорядоченного молекулярного слоя вещества, осаждаемого на твердую подложку из жидкой или газовой фазы под воздействием сил молекулярного сцепления с поверхностью подложки и сил слабого межмолекулярного взаимодействия. | self-assembled monolayer formation; |
5.9 механизм роста пленки Странского-Крастанова; механизм "послойного-плюс-островкового" роста пленки: Процесс формирования пленки на подложке, начинающийся с образования двухмерного слоя и завершающийся образованием на нем групп связанных между собой атомов (островков). | Stranski-Krastanow growth |
6 Термины и определения понятий, относящихся к процессам синтеза наноматериалов
6.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам физического осаждения из газовой фазы
6.1.1 холодное газодинамическое напыление: Процесс получения покрытия из холодных и ускоренных частиц или наночастиц напыляемого порошка, при соударении которых с подложкой происходит их соединение, с применением сверхзвуковой струи инертного газа. | cold gas dynamic spraying |
6.1.2 электронно-лучевое испарение: Процесс получения материала путем преобразования исходного материала в газообразное состояние под воздействием потока электронов в условиях высокого или сверхвысокого вакуума и последующего осаждения материала на подложку. | electron-beam evaporation |
6.1.3 Термины и определения понятий, относящихся к процессам электроискрового осаждения
6.1.3.1 электроискровое осаждение: Процесс получения покрытий импульсно-дуговой микросваркой, основанный на изменении физико-химических свойств поверхности под воздействием импульсных искровых разрядов, сопровождаемых отделением от обрабатывающего электрода вещества и переходом его на обрабатываемую поверхность (катод). | electro-spark deposition |
6.1.4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам высушивания вещества
6.1.4.1 сублимационная сушка: Процесс обезвоживания вещества или удаления из него растворителя путем быстрого замораживания вещества и дальнейшего выпаривания затвердевших воды или растворителя в условиях вакуума. | freeze drying |
6.1.4.2 распылительная сушка: Процесс получения сухого порошка из жидкости или суспензии, основанный на впрыскивании капель жидкости или суспензии в поток нагретого до необходимой температуры газа и последующем осаждении твердых частиц. | spray drying |
6.1.5 быстрое расширение сверхкритических растворов: Процесс извлечения вещества, основанный на распылении исходного вещества при температуре и давлении выше критических точек и последующем осаждении нанообъектов (2.5). | supercritical expansion |
6.1.6 суспензионное термическое напыление: Процесс получения покрытия термическим напылением (7.2.16), в котором в качестве исходного материала применяют суспензию. | suspension combustion thermal spray |
6.1.7 электрический взрыв проволоки: Процесс получения наночастиц (2.6) путем испарения исходного полупроводникового или проводникового материала в виде проволоки под действием импульса электрического тока высокой плотности с последующей конденсацией наночастиц. | wire electric explosion |
6.1.8 испарение: Процесс перехода вещества из твердой или жидкой фазы в газовую или плазменную фазы. | vaporization |
Примечания |
6.2 Термины и определения понятий, относящихся к процессам химического осаждения из газовой фазы
6.2.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам осаждения в условиях воздействия пламени
6.2.1.1 | |
экзотермическое разложение жидкого вещества: Процесс получения твердого агрегированного материала, в том числе наноматериала (2.4), осаждаемого на подложку в результате экзотермической реакции окисления раствора исходного материала. | liquid precursor combustion |
|
|
6.2.1.3 пиролиз аэрозоля: Процесс получения твердого агрегированного материала, в том числе наноматериала (2.4), осаждаемого на подложку в результате сжигания или нагревания до заданной температуры распыляемого исходного материала в виде аэрозоля. | pyrogenesis |
6.2.1.4 плазменное распыление жидкого вещества: Процесс получения твердого агрегированного материала, в том числе наноматериала (2.4), осаждаемого на подложку в результате воздействия струи термической (равновесной) плазмы на распыляемый раствор исходного материала и его последующего охлаждения. | solution precursor plasma spray |
6.2.1.5 термическое разложение жидкого вещества: Процесс получения твердого агрегированного материала, в том числе наноматериала (2.4), осаждаемого на подложку в результате нагревания до заданной температуры распыляемого исходного жидкого материала. | thermal spray pyrolysis |
6.2.2 термическое разложение в трубчатой печи: Химическое осаждение из газовой фазы (7.2.3), осуществляемое в трубчатой печи при заданной и контролируемой температуре поверхности подложки с исходным материалом. | hot wall tubular reaction |
6.2.3 термическое разложение инфракрасным излучением: Процесс получения твердого материала, состоящего в том числе из наночастиц (2.6), осаждаемого на подложку в результате нагревания инфракрасным излучением до заданной температуры исходного газообразного вещества. | photothermal synthesis |
6.2.4 формирование нановолокон по механизму роста "пар-жидкость-кристалл"; ПЖК: Процесс получения на подложке нановолокон (2.3) из исходного газообразного материала с применением жидкого катализатора. | vapour-liquid-solid nanofibre synthesis; VLS |
Примечание - Формирование нановолокон по механизму роста "пар-жидкость-кристалл" происходит при наличии на кончиках формирующихся нановолокон капель жидкого катализатора, адсорбирующего исходный газообразный материал до уровня перенасыщения, из которого в дальнейшем происходит рост нановолокон. |
6.3 Термины и определения понятий, относящихся к физическим методам синтеза в жидкой фазе
6.3.1 электропрядение: Процесс вытягивания волокон из исходного жидкого материала под действием сил электрического поля. | electrospinning |
6.3.2 интеркаляционная полимеризация in-situ: Процесс получения нанокомпозита (2.2), основанный на введении мономера в исходный слоистый неорганический материал и последующей его полимеризации. | in-situ intercalative polymerization |
6.3.3 диспергирование нанодисперсной системы: Процесс получения наносуспензии, основанный на предотвращении или замедлении скорости осаждения наночастиц (2.6) за счет внутреннего или внешнего воздействия (например, сил молекулярного взаимодействия, электрического поля или наличия лиганд) на исходный материал. | nanoparticle dispersion |
6.3.5* литье керамической ленты: Процесс получения керамической ленты путем заполнения поверхности подложки, имеющей заданные формы и размеры, макроскопическим слоем суспензии из керамического материала. | tape casting |
Примечание - Макроскопический слой может содержать наночастицы (2.6). | |
6.3.6 мокрый помол в шаровой мельнице: Процесс получения суспензии измельчением (6.5.6) исходного материала под действием ударов движущихся шаров, изготовленных из материала, имеющего более высокий показатель твердости, и с добавлением жидкости. | wet ball milling |
_________________
* Нумерация соответствует оригиналу. - .
6.4 Термины и определения понятий, относящихся к химическим методам синтеза в жидкой фазе
6.4.1 кислотный гидролиз целлюлозы: Химическая реакция с применением кислоты, в процессе которой происходит извлечение нанокристаллической целлюлозы из целлюлозы. | acid hydrolysis of cellulose |
6.4.2 осаждение наночастиц из раствора: Процесс получения наночастиц (2.6) в результате протекания химических реакций в растворе с возможностью влияния на размеры получаемых частиц за счет кинетических факторов. | nanoparticle precipitation |
6.4.3 быстрая конденсация неорганических материалов: Процесс получения атомарно гладкой и плотной пленки из исходного металлоорганического материала методом центробежного осаждения (7.2.17) и последующего отверждения на подложке при заданной температуре. | prompt inorganic condensation |
6.4.4 синтез в обратных мицеллах: Процесс формирования наночастиц (2.6) требуемых размеров и формы в растворе исходного материала с применением соответствующего реагента, основанный на образовании в ядре мицеллы наночастиц, рост которых ограничен оболочкой мицеллы. | reverse micelle process |
6.4.5 золь-гель-технология: Процесс получения материалов путем преобразования исходного раствора или суспензии (золя) в коллоидную систему (гель), состоящую из жидкой дисперсионной среды, заключенной в пространственную сетку, образованную соединившимися частицами дисперсной фазы. | sol-gel processing |
6.4.6 матричный синтез; темплатный синтез: Процесс получения наноматериала путем самосборки, происходящий с добавлением в исходный материал поверхностно-активного вещества, молекулы которого выступают в качестве структурообразующего агента, и формирование структурных элементов размерами в нанодиапазоне (2.7) при последующем отверждении этого материала. | surfactant templating |
Пример - силикатные и алюмосиликатные материалы с "самоформирующейся структурой" (структурой типа MCM-41). | |
6.4.7 метод Стобера: Процесс получения наночастиц силикатного материала из тетраалкилортосиликата, который подвергают гидролизу путем его обработки спиртом и аммиаком. | Stober process |
Примечание - Термин "метод Стобера" - это наименование золь-гель-технологии (6.4.5), применяемой для получения диоксида кремния. |
6.5 Термины и определения понятий, относящихся к физическим методам синтеза в твердой фазе
6.5.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам блок-сополимеризации
6.5.1.1 блок-сополимеризация: Процесс получения блок-сополимерного материала, основанный на формировании чередующихся двухмерных (2D) или трехмерных (3D) структур из блоков различных несовместимых полимерных цепей. | block copolymer phase segregation |
6.5.1.2 наноструктурирование блок-сополимера: Процесс формирования наноструктур в блок-сополимерном материале путем добавления в определенную его фазу соответствующего вещества. | block copolymer templating |
6.5.2 диспергирование глины в жидкой полимерной матрице: Процесс получения композиционного материала с полимерной матрицей путем смешивания частиц глины с жидким полимерным материалом и последующего его отверждения. | clay dispersion |
6.5.3 холодное прессование (нанотехнологии): Процесс обработки материала давлением с целью его уплотнения за счет уменьшения расстояния между частицами материала до размеров нанодиапазона (2.7), происходящий без нагревания. | cold pressing |
6.5.4 непрерывная обработка полосового проката металла сдвигом; НОППС: Процесс улучшения механический свойств металла за счет изменения размеров его зерен в результате интенсивного пластического деформирования при вальцовке со сдвигом, происходящий без значительных изменений габаритных размеров исходного материала. | conshearing continuous confined strip shearing; C2S2 |
Примечание - Метод НОППС позволяет получать материалы и изделия из них с улучшенными механическими свойствами. | |
6.5.5 расстекловывание (нанотехнологии): Процесс кристаллизации исходного материала, имеющего стекловидную консистенцию, происходящий с образованием в нем нанообъектов и/или пустот, размеры которых находятся в нанодиапазоне (2.7). | devitrification |
6.5.6 измельчение (нанотехнологии): Процесс получения наночастиц (2.6) механическим истиранием исходного вещества с применением материала, имеющего более высокий показатель твердости. | grinding |
6.5.7 высокоскоростная микрообработка: Процесс изготовления двухмерного или трехмерного прецизионного изделия путем отделения изделия в качестве части от исходной заготовки или вырезания изделия на поверхности исходной заготовки с помощью специального инструмента при скорости вращения шпинделя более 30000 об/мин. | high-speed micromachining |
Примечания | |
6.5.8 ионная имплантация: Процесс изменения свойств поверхности объекта путем ее разрушения или перекристаллизации под воздействием ионного пучка. | ion implantation |
6.5.9 Термины и определения понятий, относящихся к процессам измельчения
6.5.9.1 криогенное измельчение: Измельчение (6.5.6) при криогенной температуре (то есть температуре ниже -150°С или 123 K). | cryogenic milling |
6.5.9.2 | |
сухой помол в шаровой мельнице (нанотехнологии): Процесс получения материала, содержащего наночастицы (2.6), измельчением и смешиванием исходных материалов различного химического и гранулометрического составов под действием ударов движущихся шаров, изготовленных из материала, имеющего более высокий показатель твердости, и последующим нагреванием до температуры спекания. | dry ball milling |
[ISO 11074:2005, статья 4.6.2, ISO 3252:1999, статья 1303, определение и наименование термина изменены] | |
|
|
6.5.11 осаждение в соответствии с наношаблоном: Процесс формирования объекта заданной формы, в том числе с замкнутым внутренним пространством, путем осаждения исходных наноструктурированных материалов (2.8) или наночастиц (2.6) из жидкой или газовой фазы на подложку. | nanotemplated growth |
6.5.12 диспергирование наночастиц в жидкой полимерной матрице: Процесс получения композиционного материала с полимерной матрицей путем смешивания наночастиц (2.6) исходного вещества с жидким полимерным материалом и последующего его отверждения. | polymer nanoparticle dispersion |
6.5.13 Термины и определения понятий, относящихся к процессам спекания
6.5.13.1 горячее прессование: Процесс получения металлического материала формованием металлического порошка в пресс-форме под воздействием давления и температуры, превышающей температуру рекристаллизации основного компонента. | hot pressing |
Примечание - Процесс горячего прессования проводят при давлении выше 50 МПа и температуре 2400°C. | |
6.5.13.2 | |
спекание наночастиц: Процесс соединения наночастиц путем термической обработки исходного материала, в процессе которой происходит активизация взаимодействия наночастиц вследствие движения атомов внутри и между наночастицами. | nanoparticle sintering |
|
|
6.6 Термины и определения понятий, относящихся к химическим методам синтеза в твердой фазе
6.6.1 прививочная блок-сополимеризация; дериватизация блок-сополимеров: Процесс модификации твердого блок-сополимерного материала путем добавления соответствующего вещества, атомы или молекулы которого взаимодействуют только с одной фазой модифицируемого материала. | block copolymer chemical derivatization |
6.6.2 анодное окисление металла (нанотехнологии): Процесс получения неметаллического неорганического покрытия на металлической подложке (аноде) электрохимическим способом с контролем образования нанопор. | electrochemical anodization |
Примечание - Термин "анодное окисление металла" является синонимом термина "анодное травление". | |
6.6.3 интеркалирование: Процесс обратимого встраивания атомов или молекул одного вещества в кристаллическую структуру другого вещества. | intercalation |
6.6.4 синтез двухфазных нанокомпозиционных материалов: Процесс получения нанокомпозиционного материала, состоящего из двух разделенных фаз, путем нагревания и быстрого охлаждения до заданных температур исходной смеси из двух компонентов. | two-phase methods |
7 Термины и определения понятий, относящихся к процессам изготовления продукции
7.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам литографии в нанодиапазоне
7.1.1 трехмерная литография; 3D-лumoгpaфuя: Процесс формирования структуры объекта, линейные размеры которой или ее составных частей по одному, двум или трем измерениям могут находиться в нанодиапазоне (2.7), путем воспроизведения заданного шаблона на подложке. | 3D lithography |
7.1.2 аддитивная печать: Процесс формирования рельефного изображения послойным нанесением материала на подложку в соответствии с заданным шаблоном. | additive processing |
Примечание - В случае применения резиста в качестве шаблона различают два вида аддитивной печати: обратная литография и аддитивная печать с применением трафарета. В процессе обратной литографии на резист наносят слой материала, из которого необходимо сформировать рисунок, а затем удаляют резист таким образом, чтобы нанесенный материал остался в отверстиях, не защищенных резистом, а материал, попавший на резист, убирается вместе с ним. В процессе аддитивной печати с применением шаблона материал только добавляют в отверстия, не защищенные резистом [допускается применять совместно с процессом электроосаждения (7.2.7)]. | |
7.1.3 блок-сополимерная литография: Процесс формирования рельефного изображения из наночастиц материала, оставшихся на подложке после удаления полимерного шаблона, полученного за счет микрофазного расслоения диблок-сополимеров. | block copolymer lithography |
7.1.4 литография с коллоидно-кристаллическим шаблоном: Процесс формирования заданного объекта методами осаждения или травления в соответствии с шаблоном, представляющим собой двухмерную (2D) или трехмерную (3D) структуру из частиц коллоидного кристалла. | colloidal crystal template lithography |
7.1.5 фотолитография в глубоком ультрафиолете; ФГУ: Процесс формирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью ультрафиолетового излучения в диапазоне длин волн от 100 до 280 нм. | deep ultraviolet lithography; |
7.1.6 | |
перьевая нанолитография: Процесс формирования рельефного изображения размерами менее 100 нм в соответствии с заданным шаблоном путем переноса специального материала на подложку с помощью зонда атомно-силового микроскопа, происходящего за счет диффузии через водный мениск между поверхностью подложки и зондом. | dip-pen nanolithography |
Примечания | |
|
|
7.1.8 фотолитография в экстремальном ультрафиолете; ФЭУ: Процесс формирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью ультрафиолетового излучения в диапазоне длин волн от 10 до 20 нм. | extreme ultraviolet lithography; |
Примечание - В оборудовании для фотолитографии в экстремальном ультрафиолете используют системы специальных зеркал. | |
7.1.9 ионно-лучевая литография: Процесс формирования рельефного изображения в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью фокусированного ионного пучка. | focused ion-beam lithography; |
7.1.10 иммерсионная оптическая литография: Литография (3.6) с повышенной разрешающей способностью, полученной за счет заполнения воздушного промежутка между последней линзой объектива микроскопа и пленкой фоторезиста жидкостью с соответствующим показателем преломления. | immersion optics |
7.1.11 интерференционная литография: Процесс формирования рельефного изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) путем соответствующей обработки облученного резиста, на поверхности которого с помощью дифракционных решеток получена интерференционная картина. | interference lithography |
7.1.12 ионно-стимулированное осаждение: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изображения путем увеличения концентрации молекул осаждаемого материала на заданных участках подложки с помощью фокусированного ионного пучка. | ion induced deposition |
7.1.13 ионно-стимулированное травление: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изображения путем уменьшения концентрации молекул на заданных участках обрабатываемого материала, покрывающего подложку, с помощью фокусированного ионного пучка. | ion induced etching |
7.1.14 ионно-проекционная литография: Процесс получения рельефного изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью пучка ускоренных ионов. | ion projection lithography |
7.1.15 микроконтактная печать: Вид мягкой литографии (7.1.25), в которой шаблон после нанесения на него чернил вдавливают в слой материала, покрывающего подложку. | micro-contact printing |
Примечание - Точность воспроизведения изображения зависит от особенностей поверхности подложки и материала, используемого в качестве чернил. | |
7.1.16 микрожидкостная печать: Процесс получения рельефного изображения путем нанесения жидкого материала на поверхность подложки с помощью печатной головки с каналами, размеры которых находятся в микро- или нанодиапазоне (2.7), и последующего его отверждения при заданной температуре. | microfluidic deposition |
7.1.17 нанотиснение: Процесс получения рельефного изображения путем вдавливания шаблона с заданным рисунком, размеры которого находятся в нанодиапазоне (2.7), в слой резиста, покрывающего подложку. | nano-embossing |
Примечания | |
7.1.18 нанопечатная литография; НПЧ: Процесс получения рельефного изображения путем вдавливания шаблона (обычно называемого клише, штамп, маска или трафарет) с заданным рисунком, размеры элементов которого находятся в нанодиапазоне (2.7), в слой резиста, покрывающего подложку, и последующего его отверждения при заданной температуре или под воздействием светового излучения. | nano-imprint lithography; |
Примечания | |
7.1.19 естественная литография: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изображения путем воспроизведения шаблона, происходящий в природе. | natural lithography |
Пример - Полосы, образованные на коллагеновых волокнах соединительной ткани, или структуры, сформированные из нитей рибонуклеиновой кислоты (РНК). | |
7.1.20 фотолитография; оптическая литография: Процесс получения изображения на подложке путем облучения фоторезиста, покрывающего подложку, электромагнитным излучением через заданный шаблон. | photolithography; |
Примечание - Как правило, для изготовления шаблона используют материал фоторезиста. | |
7.1.21 фазоконтрастная фотолитография: Процесс получения изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) и улучшенным разрешением путем облучения фоторезиста, покрывающего подложку, электромагнитным излучением через шаблон (фотошаблон) со структурой, сдвигающей фазу проходящего излучения. | phase-contrast photolithography |
7.1.22 плазмонная литография: Процесс формирования рельефного изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) путем облучения фоторезиста, покрывающего подложку, оптическим излучением через шаблон (представляющий собой металлическую плазмонную линзу), обеспечивающий возникновение ближнеполевого возбуждения, вызывающего изменения в фоторезисте. | plasmonic lithography |
7.1.23 рисование с помощью сканирующего зондового микроскопа: Процесс получения рельефного изображения, заключающийся в изменении заданных участков поверхности подложки острием сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) с чернилами или без них. | scanning force probe writing |
7.1.24 химическое осаждение из газовой фазы с применением сканирующего туннельного микроскопа; ХОГФ СТМ: Процесс получения рельефного изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) с помощью сканирующего туннельного микроскопа (СТМ), в котором нанесение материала на подложку происходит за счет химического осаждения из газовой фазы, происходящего под действием электрического напряжения. | scanning tunnelling microscope chemical vapour deposition; |
7.1.25 мягкая литография: Процесс получения изображения, заключающийся в нанесении оттиска на подложку шаблоном, изготовленным из мягких материалов (например, эластомерных материалов). | soft lithography |
7.1.27* субтрактивная обработка: Процесс получения изображения, заключающийся в избирательном удалении участков материала резиста в соответствии с заданным шаблоном. | subtractive processing |
_________________ * Нумерация соответствует оригиналу. - . | |
7.1.28 рентгеновская литография: Процесс формирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью рентгеновского излучения. | x-ray lithography |
Примечание - Пучок рентгеновского излучения трудно сфокусировать на участке, размеры которого находятся в нанодиапазоне (2.7) [в отличие от фотолитографии в экстремальном ультрафиолете (7.1.8)], поэтому термин "рентгеновская литография" применяют для процесса печати, выполняемого с помощью специального шаблона с проницаемыми и непроницаемыми для рентгеновского излучения участками. Шаблон представляет собой мембрану, изготовленную из материала с низким поглощением рентгеновского излучения, с нанесенным на нее изображением из материала с высоким поглощением рентгеновского излучения, например, из металла. Как правило, для изготовления шаблона используют материал фоторезиста. |
7.2 Термины и определения понятий, относящихся к процессам осаждения
7.2.1 | |
адсорбция: Удержание молекул газа, жидкости или растворенного вещества поверхностным слоем твердого или жидкого тела, с которым они контактируют, за счет физических или химических взаимодействий. | adsorption |
|
|
Примечание - В процессе АСО цикл осаждения исходных материалов, который должен включать не менее двух последовательных химических реакций, повторяют несколько раз до получения пленок нужной толщины. | |
7.2.3 | |
химическое осаждение из газовой фазы; ХОГФ: Процесс получения пленок или порошков в результате термических реакций разложения и/или взаимодействия одного или нескольких исходных газообразных веществ на подложке. | chemical vapour deposition; |
|
|
Примечания | |
7.2.5 нанесение покрытия кластерным пучком: Процесс получения структурированной пленки путем осаждения наночастиц (2.6) на подложку с использованием источника кластерного пучка. | cluster beam coating |
7.2.6 нанесение покрытия методом погружения: Процесс получения пленки путем погружения подложки в специальный раствор и ее последующего извлечения из него. | dip coating |
7.2.7 электроосаждение; электролитическое осаждение: Процесс получения покрытия путем осаждения ионов материала на поверхности электрода в специальном растворе в результате реакции электрохимического восстановления. | electrodeposition; |
7.2.8 осаждение методом химического восстановления: Процесс получения покрытия путем автокаталитического осаждения ионов материала из специального раствора в результате реакции взаимодействия ионов материала с растворенным восстановителем на поверхности подложки. | electroless deposition |
7.2.9 электрораспыление: Процесс получения твердого материала, осаждаемого на подложку, в результате диспергирования исходного материала через сопло, к которому приложено напряжение. | electro-spray |
7.2.10 выпаривание: Процесс получения твердого материала, осаждаемого на подложку, в результате испарения исходного материала при нагревании до заданной температуры в условиях высокого или сверхвысокого вакуума и последующего охлаждения. | evaporation |
7.2.11 осаждение фокусированным электронным пучком; ОФЭП: Химическое осаждение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного (концентрированного) потока электронов для осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках поверхности подложки. | focused electron-beam deposition |
7.2.12 осаждение фокусированным ионным пучком; ОФИП: Химическое осаждение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного потока ионов для осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках поверхности подложки. | focused ion-beam deposition; |
Примечание - ОФИП применяют, например, для осаждения газообразного карбонила вольфрама | |
7.2.13 молекулярно-лучевая эпитаксия: Процесс получения монокристаллической пленки путем испарения и последующего осаждения атомов или молекул исходного материала (материалов) на монокристаллическую подложку в условиях высокого или сверхвысокого вакуума. | molecular beam epitaxy |
Примечания | |
7.2.14 | |
физическое осаждение из газовой фазы; ФОГФ: Процесс нанесения покрытия испарением исходного материала с последующей его конденсацией на подложке в условиях вакуума. | physical vapour deposition; |
|
|
7.2.16 термическое напыление (нанотехнологии): Процесс получения покрытия из наночастиц (2.6) напыляемого материала, при соударении которых с подложкой происходит их соединение, с применением плазменной струи или в результате сгорания примесей напыляемого материала. | thermal spray |
7.2.17 центробежное осаждение: Процесс получение пленки осаждением из жидкого исходного материала твердой дисперсной фазы на вращающуюся подложку под действием центробежных сил. | spin coating |
7.2.18 осаждение распылением: Процесс получения покрытия из исходного жидкого материала, преобразованного соплом в аэрозоль и нанесенного на поверхность подложки. | spray deposition |
7.2.19 осаждение напылением: Физическое осаждение из газовой фазы (7.2.14) с применением источника высокоэнергичных частиц, бомбардирующих исходный материал (мишень), для перемещения атомов исходного материала на поверхность подложки. | sputter deposition |
7.2.20 полимеризация на поверхности: Процесс получение полимерной пленки на поверхности подложки из газовой или жидкой фазы исходного мономера. | surface polymerization |
7.3 Термины и определения понятий, относящихся к процессам травления
7.3.1 анизотропное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий в вертикальном направлении со скоростью выше, чем в горизонтальном направлении. | anisotropic etching |
7.3.2 Бош-травление; пассивационное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки неоднократным чередованием циклов травления и пассивации, обеспечивающих формирование почти вертикальных элементов структуры объекта. | Bosch etching |
7.3.3 химическое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки под действием химических веществ. | chemical etching |
Примечание - В процессе химического травления применяют жидкие (жидкостное травление) или газообразные (сухое травление) химические вещества. | |
7.3.4 химическое ионно-лучевое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки пучком ионов химически активного газа. | chemically assisted ion beam etching |
7.3.5 криогенное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки путем ее охлаждения до температуры 163 К или ниже, при которой возможно формирование почти вертикальных элементов структуры объекта. | cryogenic etching |
Примечание - Температура 163 К или ниже замедляет скорость химических реакций в процессе травления. Бомбардирующие поверхность материала ионы, выбивая частицы с заданных участков, формируют вертикальные элементы структуры объекта. | |
7.3.6 кристаллографическое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с разной скоростью по различным кристаллографическим направлениям. | crystallographic etching |
7.3.7 глубокое реактивное ионное травление; ГРИТ: Процесс анизотропного травления (7.3.1), применяемый для получения на подложке структур, элементы которых имеют заданное соотношение геометрических размеров. | deep reactive ion etching; |
Пример - Отверстия и канавки с вертикальными стенками. | |
7.3.8 сухое озоление: Вид химического травления (7.3.3) с применением газообразных химических веществ, в процессе которого происходит преобразование материала в области, подвергаемой травлению, в летучее удаляемое соединение. | dry-ashing |
Пример - Удаление с подложки шаблона из фоторезиста с применением кислорода. | |
7.3.9 сухое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки с применением частично ионизированных газов. | dry-etching |
7.3.10 травление фокусированным ионным пучком; ТФИП: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, сфокусированным на заданном участке с помощью системы электростатических линз. | focused ion-beam etching; |
Примечания | |
7.3.11 травление плазмой высокой плотности: Плазменное травление (7.3.18) потоком ионов плотностью от 10 до 10 ион/см с применением источника ионов на основе электронно-циклотронного резонанса, геликонового источника плазмы, магнетрона или источника индуктивно связанной плазмы. | high-density plasma etching |
Примечание - В зависимости от цели процесса с помощью плазмы осуществляют травление или осаждение. Подложка в реакторе должна быть расположена соответственно осуществляемому процессу. | |
7.3.12 травление индуктивно связанной плазмой; ТИСП: Плазменное травление (7.3.18) с применением источника индуктивно связанной плазмы, в котором происходит образование плазмы внутри разрядной камеры, горелки или иного реактора при приложении высокочастотного переменного магнитного поля. | inductive coupled plasma; |
7.3.13 ионно-лучевое травление; ионно-лучевое фрезерование: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, полученным с помощью источника плазмы. | ion beam etching; |
7.3.14 изотропное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с одинаковой скоростью по всем пространственным направлениям. | isotropic etching |
7.3.15 лазерная абляция: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки лазерным импульсом. | laser ablation |
Примечание - Лазерную абляцию применяют для формирования неоднородностей размерами в нанодиапазоне (2.7) на поверхности материала, покрывающего подложку. | |
7.3.16 травление световым излучением; фотохимическое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки световым излучением. | light-assisted etching; |
Примечание - Методом травления световым излучением обрабатывают светочувствительные материалы в специальных условиях с применением химических веществ. Структура и форма получаемого изображения зависят от применяемого шаблона, через который облучают фоторезист, покрывающий подложку. Данный метод применяют, например, для получения требуемой структуры поверхности пористого кремния, обладающего люминесцентными свойствами. | |
7.3.17 физическое травление; травление распылением: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки путем его распыления под действием кинетической энергии ионов инертного газа (например, аргона). | physical etching; |
Примечание - Физическое травление относят к анизотропным и неизбирательным процессам травления. | |
7.3.18 плазменное травление: Сухое травление (7.3.9) компонентами плазмы - ионами и электронами, образованными в результате электрического разряда в газовой среде. | plasma etching |
Примечания | |
7.3.19 травление по трекам излучения: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки химическими веществами для формирования узких каналов из системы пор (треков), образованных после облучения (бомбардировки) частицами или тяжелыми ионами. | radiation track etching |
Пример - Пористые полимеры, в которых узкие каналы образованы предварительным облучением и последующей обработкой избирательным растворителем. | |
7.3.20 реактивное ионное травление; РИТ: Плазменное травление (7.3.18) потоком заряженных ионов плазмы, ускоренных отрицательным потенциалом напряжения, возникающим в результате подачи на электрод, на котором размещена подложка, высокочастотного напряжения относительно изолированных стенок реактора. | reactive ion etching; |
Примечание - Поток заряженных ионов плазмы генерируют в специальных условиях (при заданных значениях давления и напряженности электромагнитного поля). Высокоэнергичные ионы бомбардируют поверхность материала подложки, а свободные радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами материала подложки, удаляя поверхностные слои. По сравнению с жидкостным травлением (7.3.22), которое относят к изотропным процессам травления, РИТ позволяет осуществлять удаление материала с подложки по различным пространственным направлениям и с разной скоростью. | |
7.3.21 избирательное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с различной скоростью на разных участках поверхности с различным химическим составом. | selective etching |
Пример - Водные растворы под воздействием высокочастотных электромагнитных полей удаляют с подложки оксид кремния (SiO) и не удаляют кремний. | |
7.3.22 жидкостное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки под действием жидких химических веществ. | wet etching |
7.4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам печати и нанесения покрытий
7.4.1 тиснение; импринтинг: Процесс получения рельефного изображения путем вдавливания шаблона с заданным рисунком в слой обрабатываемого материала. | embossing; |
7.4.2 формирование многослойной пленки (нанотехнологии): Процесс получения многослойной пленки путем соединения вальцовкой нескольких отдельных пленок на подложке. | multilayer film process |
7.4.3 осаждение нановолокон: Процесс получения покрытия или структуры объекта осаждением нановолокон (2.3) из раствора на подложку или ее заданные участки. | nanofibre precipitation |
7.4.4 напыление наночастиц: Процесс получения покрытия из наночастиц (2.6), при соударении которых с подложкой происходит их соединение, с применением распыляемого раствора, плазмы, кластерного пучка или из другого источника наночастиц. | nanoparticle spray coating |
Приложение А
(справочное)
Классификация процессов синтеза в зависимости от применения исходных наноматериалов или нанообъектов, применяемых для производства конечной продукции
Группа процессов | Подгруппа процессов | Процесс | Процесс с применением нанообъектов | Процесс нанострукту- |
Физическое осаждение из газовой фазы | Холодное газодинамическое напыление | |||
Электронно-лучевое испарение | ||||
Электроискровое осаждение | Электроискровое осаждение | |||
Термическое разложение инфракрасным излучением | ||||
Плазменное распыление жидкого вещества | ||||
Напыление | ||||
Высушивание вещества | Сублимационная сушка | |||
Высушивание вещества | Распылительная сушка | |||
Быстрое расширение сверхкритических растворов | ||||
Суспензионное термическое напыление | ||||
Электрический взрыв проволоки | ||||
Испарение | ||||
Химическое осаждение из газовой фазы | Атомно-слоевое осаждение (АСО) | |||
Химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ) | ||||
Каталитическое химическое осаждение из газовой фазы (КХОГФ) | ||||
Осаждение в условиях воздействия пламени | Экзотермическое разложение жидкого вещества | |||
Осаждение в условиях воздействия пламени | Плазменное распыление | |||
Осаждение в условиях воздействия пламени | Пиролиз аэрозоля | |||
Химическое осаждение из газовой фазы | Осаждение в условиях воздействия пламени | Термическое разложение жидкого вещества | ||
Графоэпитаксия | ||||
Термическое разложение в трубчатой печи | ||||
Термическое разложение инфракрасным излучением | ||||
Термическое распыление жидкого вещества | ||||
Формирование нановолокон по механизму роста "пар-жидкость-кристалл" (ПЖК) | ||||
Физические методы синтеза в жидкой фазе | Истирание | |||
Электропрядение | ||||
Интеркаляционная полимеризация in-situ | ||||
Диспергирование нанодисперсной системы | ||||
Литье керамической ленты | ||||
Мокрое измельчение | Мокрый помол в шаровой мельнице | |||
Химические методы синтеза в жидкой фазе | Кислотный гидролиз целлюлозы | |||
Осаждение наночастиц из раствора | ||||
Быстрая конденсация неорганических материалов | ||||
Синтез в обратных мицеллах | ||||
Золь-гель-технология | ||||
Матричный синтез | ||||
Метод Стобера | ||||
Физические методы синтеза в твердой фазе | Интенсивное пластическое деформирование | Непрерывная обработка полосового проката металла сдвигом | ||
Блок-сополимеризация | Прививочная блок-сополимеризация | |||
Блок-сополимеризация | Блок-сополимеризация | |||
Блок-сополимеризация | Наноструктурирование блок-сополимера | |||
Холодное прессование | ||||
Физические методы синтеза в твердой фазе | Непрерывная обработка полосового проката металла сдвигом | |||
Расстекповывание | ||||
Измельчение | ||||
Высокоскоростная микрообработка | ||||
Ионная имплантация | ||||
Измельчение | Криогенное измельчение | |||
Сухой помол в шаровой мельнице | ||||
Многократная штамповка с кручением | ||||
Осаждение в соответствии с наношаблоном | ||||
Спекание | Горячее прессование | |||
Спекание наночастиц | ||||
Электроимпульсное плазменное спекание | ||||
Химические методы синтеза в твердой фазе | Диспергирование глины в жидкой полимерной матрице | |||
Анодное окисление металла | ||||
Интеркалирование | ||||
Диспергирование наночастиц в жидкой полимерной матрице | ||||
Синтез двухфазных нанокомпозиционных материалов |
Алфавитный указатель терминов на русском языке
абляция лазерная | 7.3.15 |
адсорбция | 7.2.1 |
АСО | 7.2.2 |
блок-сополимеризация | 6.5.1.1 |
блок-сополимеризация прививочная | 6.6.1 |
Бош-травление | 7.3.2 |
взрыв проволоки электрический | 6.1.7 |
выпаривание | 7.2.10 |
гидролиз целлюлозы кислотный | 6.4.1 |
графоэпитаксия | 5.2 |
ГРИТ | 7.3.7 |
дериватизация блок-сополимеров | 6.6.1 |
диспергирование глины в жидкой полимерной матрице | 6.5.2 |
диспергирование нанодисперсной системы | 6.3.3 |
диспергирование наночастиц в жидкой полимерной матрице | 6.5.12 |
золь-гель-технология | 6.4.5 |
изготовление нанотехнологическое | 3.8 |
измельчение | 6.5.6 |
измельчение криогенное | 6.5.9.1 |
имплантация ионная | 6.5.8 |
импринтинг | 7.4.1 |
интеркалирование | 6.6.3 |
испарение | 6.1.8 |
испарение электронно-лучевое | 6.1.2 |
истирание | 3.3 |
конденсация неорганических материалов быстрая | 6.4.3 |
кристаллизация коллоидная | 5.1 |
КХОГФ | 7.2.4 |
литография | 3.6 |
литография блок-сополимерная | 7.1.3 |
литография естественная | 7.1.19 |
литография интерференционная | 7.1.11 |
литография ионно-лучевая | 7.1.9 |
литография ионно-проекционная | 7.1.14 |
литография мягкая | 7.1.25 |
литография нанопечатная | 7.1.18 |
литография оптическая | 7.1.20 |
литография оптическая иммерсионная | 7.10 |
литография плазмонная | 7.1.22 |
литография рентгеновская | 7.1.28 |
литография с коллоидно-кристаллическим шаблоном | 7.1.4 |
литография трехмерная | 7.1.1 |
литография электронно-лучевая | 7.1.7 |
литье керамической ленты | 6.3.5 |
материал нанокомпозиционный | 2.2 |
материал наноструктурированный | 2.8 |
метод Стобера | 6.4.7 |
микрообработка высокоскоростная | 6.5.7 |
механизм "послойного-плюс-островкового" роста пленки | 5.9 |
механизм роста пленки Странского-Крастанова | 5.9 |
модифицирование поверхности ионно-лучевое | 5.3 |
нанесение покрытия кластерным пучком | 7.2.5 |
нанесение покрытия методом погружения | 7.2.6 |
нановолокно | 2.3 |
нанодиапазон | 2.7 |
нанокомпозит | 2.2 |
нанолитография перьевая | 7.1.6 |
наноматериал | 2.4 |
нанообъект | 2.5 |
наноструктурирование блок-сополимера | 6.5.1.2 |
нанотиснение | 7.1.17 |
нанотрубка | 2.9 |
нанотрубка углеродная | 2.1 |
наночастица | 2.6 |
напыление газодинамическое холодное | 6.1.1 |
напыление наночастиц | 7.4.4 |
напыление термическое | 7.2.16 |
напыление термическое суспензионное | 6.1.6 |
НОППС | 6.5.4 |
НПЧ | 7.1.18 |
обработка полосового проката металла сдвигом непрерывная | 6.5.4 |
обработка субтрактивная | 7.1.27 |
озоление сухое | 7.3.8 |
окисление металла анодное | 6.6.2 |
осаждение атомно-слоевое | 7.2.2 |
осаждение веществ модулированное | 5.7 |
осаждение в соответствии с наношаблоном | 6.5.11 |
осаждение из газовой фазы физическое | 7.2.14 |
осаждение из газовой фазы химическое | 7.2.3 |
осаждение из газовой фазы химическое каталитическое | 7.2.4 |
осаждение из газовой фазы химическое с применением сканирующего туннельного микроскопа | 7.1.24 |
осаждение ионно-стимулированное | 7.1.12 |
осаждение методом химического восстановления | 7.2.8 |
осаждение многослойное | 3.7 |
осаждение нановолокон | 7.4.3 |
осаждение наночастиц из раствора | 6.4.2 |
осаждение напылением | 7.2.19 |
осаждение распылением | 7.2.18 |
осаждение фокусированным ионным пучком | 7.2.12 |
осаждение фокусированным электронным пучком | 7.2.11 |
осаждение центробежное | 7.2.17 |
осаждение электроискровое | 6.1.3.1 |
осаждение электролитическое | 7.2.7 |
осаждение электростатическое послойное | 5.6 |
осаждение электростатическое полиэлектролитов послойное | 7.2.15 |
ОФИП | 7.2.12 |
ОФЭП | 7.2.11 |
перенос пленки Ленгмюра-Блоджетт | 5.5 |
перенос "поверхность - поверхность" | 4.7 |
печать аддитивная | 7.1.2 |
печать микрожидкостная | 7.1.16 |
печать микроконтактная | 7.1.15 |
ПЖК | 6.2.4 |
пиролиз аэрозоля | 6.2.1.3 |
полимеризация интеркаляционная in-situ | 6.3.2 |
полимеризация на поверхности | 7.2.20 |
помол в шаровой мельнице мокрый | 6.3.6 |
помол в шаровой мельнице сухой | 6.5.9.2 |
прессование горячее | 6.5.13.1 |
прессование холодное | 6.5.3 |
производство нанотехнологическое | 3.9 |
производство нанотехнологическое "сверху вниз" | 3.13 |
производство нанотехнологическое "снизу вверх" | 3.1 |
процесс нанотехнологического производства | 3.10 |
разложение в трубчатой печи термическое | 6.2.2 |
разложение жидкого вещества термическое | 6.2.1.5 |
разложение жидкого вещества экзотермическое | 6.2.1.1 |
разложение инфракрасным излучением термическое | 6.2.3 |
распределение в потоке жидкости | 4.2 |
распыление плазменное | 6.2.1.2 |
распыление жидкого вещества плазменное | 6.2.1.4 |
расстекловывание | 6.5.5 |
расширение сверхкритических растворов быстрое | 6.1.5 |
рисование с помощью сканирующего зондового микроскопа | 7.1.23 |
РИТ | 7.3.20 |
самосборка | 3.11 |
самосборка монослоя | 5.8 |
самосборка направленная | 3.5 |
сборка иерархическая | 4.3 |
сборка в магнитном поле | 4.4 |
сборка в электростатическом поле | 4.1 |
сборка направленная | 3.4 |
сборка супрамолекулярная | 4.6 |
сборка с учетом формы наночастиц | 4.5 |
синтез в обратных мицеллах | 6.4.4 |
синтез двухфазных нанокомпозиционных материалов | 6.6.4 |
синтез матричный | 6.4.6 |
синтез темплатный | 6.4.6 |
соосаждение | 3.2 |
спекание наночастиц | 6.5.13.2 |
спекание плазменное электроимпульсное | 6.5.13.3 |
сушка сублимационная | 6.1.4.1 |
сушка распылительная | 6.1.4.2 |
тиснение | 7.4.1 |
ТИСП | 7.3.12 |
травление анизотропное | 7.3.1 |
травление жидкостное | 7.3.22 |
травление избирательное | 7.3.21 |
травление изотропное | 7.3.14 |
травление индуктивно связанной плазмой | 7.3.12 |
травление ионное реактивное | 7.3.20 |
травление ионно-лучевое | 7.3.13 |
травление ионно-лучевое химическое | 7.3.4 |
травление ионно-стимулированное | 7.1.13 |
травление криогенное | 7.3.5 |
травление кристаллографическое | 7.3.6 |
травление пассивационное | 7.3.2 |
травление плазменное | 7.3.18 |
травление плазмой высокой плотности | 7.3.11 |
травление по трекам излучения | 7.3.19 |
травление распылением | 7.3.17 |
травление реактивное ионное глубокое | 7.3.7 |
травление световым излучением | 7.3.16 |
травление сухое | 7.3.9 |
травление физическое | 7.3.17 |
травление фокусированным ионным пучком | 7.3.10 |
травление фотохимическое | 7.3.16 |
травление химическое | 7.3.3 |
ТФИП | 7.3.10 |
УНТ | 2.1 |
ФГУ | 7.1.5 |
ФОГФ | 7.2.14 |
формирование многослойной пленки | 7.4.2 |
формирование нановолокон по механизму роста "пар-жидкость-кристалл" | 6.2.4 |
формирование пленки Ленгмюра-Блоджетт | 5.4 |
фотолитография | 7.1.20 |
фотолитография в глубоком ультрафиолете | 7.1.5 |
фотолитография в экстремальном ультрафиолете | 7.1.8 |
фотолитография фазоконтрастная | 7.1.21 |
фрезерование ионно-лучевое | 7.3.13 |
функционализация поверхности | 3.12 |
ФЭУ | 7.1.8 |
ХОГФ | 7.2.3 |
ХОГФ СТМ | 7.1.24 |
штамповка с кручением многократная | 6.5.10 |
электроосаждение | 7.2.7 |
электропрядение | 6.3.1 |
электрораспыление | 7.2.9 |
эпитаксия молекулярно-лучевая | 7.2.13 |
3D-литография | 7.1.1 |
Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке
acid hydrolysis of cellulose | 6.4.1 |
additive processing | 7.1.2 |
adsorption | 7.2.1 |
ALD | 7.2.2 |
anisotropic etching | 7.3.1 |
atomic layer deposition | 7.2.2 |
block copolymer chemical derivatization | 6.6.1 |
block copolymer lithography | 7.1.3 |
block copolymer phase segregation | 6.5.1.1 |
block copolymer templating | 6.5.1.2 |
Bosch etching | 7.3.2 |
bottom up nanomanufacturing | 3.1 |
carbon nanotube | 2.1 |
catalytic chemical vapour deposition | 7.2.4 |
CCVD | 7.2.4 |
chemical etching | 7.3.3 |
chemical vapour deposition | 7.2.3 |
chemically assisted ion beam etching | 7.3.4 |
clay dispersion | 6.5.2 |
cluster beam coating | 7.2.5 |
CNT | 2.1 |
co-deposition | 3.2 |
cold gas dynamic spraying | 6.1.1 |
cold pressing | 6.5.3 |
colloidal crystal template lithography | 7.1.4 |
colloidal crystallization | 5.1 |
communition | 3.3 |
conshearing continuous confined strip shearing | 6.5.4 |
cryogenic etching | 7.3.5 |
cryogenic milling | 6.5.9.1 |
crystallographic etching | 7.3.6 |
CVD | 7.2.3 |
C2S2 | 6.5.4 |
deep reactive ion etching | 7.3.7 |
deep ultraviolet lithography | 7.1.5 |
devitrification | 6.5.5 |
dip coating | 7.2.6 |
dip-pen nanolithography | 7.1.6 |
directed assembly | 3.4 |
directed self-assembly | 3.5 |
DRIE | 7.3.7 |
dry-ashing | 7.3.8 |
dry ball milling | 6.5.9.2 |
dry-etching | 7.3.9 |
DUV | 7.1.5 |
electron-beam evaporation | 6.1.2 |
electron-beam lithography | 7.1.7 |
electrochemical anodization | 6.6.2 |
electrodeposition | 7.2.7 |
electroless deposition | 7.2.8 |
electroplating | 7.2.7 |
electro-spark deposition | 6.1.3.1 |
electrospinning | 6.3.1 |
electro-spray | 7.2.9 |
electrostatic driven assembly | 4.1 |
embossing | 7.4.1 |
EUV | 7.1.8 |
evaporation | 7.2.10 |
extreme ultraviolet lithography | 7.1.8 |
FIB | 7.1.9 |
FIB | 7.2.12 |
FIB | 7.3.10 |
fluidic alignment | 4.2 |
focused electron-beam deposition | 7.2.11 |
focused ion-beam deposition | 7.2.12 |
focused ion-beam etching | 7.3.10 |
focused ion-beam lithography | 7.1.9 |
freeze drying | 6.1.4.1 |
graphioepitaxy | 5.2 |
grinding | 6.5.6 |
hierarchical assembly | 4.3 |
high-density plasma etching | 7.3.11 |
high-speed micromachining | 6.5.7 |
hot pressing | 6.5.13.1 |
hot wall tubular reaction | 6.2.2 |
ICP | 7.3.12 |
immersion optics | 7.1.10 |
imprinting | 7.4.1 |
inductive coupled plasma | 7.3.12 |
in-situ intercalative polymerization | 6.3.2 |
intercalation | 6.6.3 |
interference lithography | 7.1.11 |
ion beam etching | 7.3.13 |
ion beam milling | 7.3.13 |
ion beam surface reconstruction | 5.3 |
ion implantation | 6.5.8 |
ion induced deposition | 7.1.12 |
ion induced etching | 7.1.13 |
ion projection lithography | 7.1.14 |
isotropic etching | 7.3.14 |
Langmuir-Blodgett film formation | 5.4 |
Langmuir-Blodgett film transfer | 5.5 |
laser ablation | 7.3.15 |
layer-by-layer deposition | 5.6 |
LbL | 7.2.15 |
LbL deposition | 5.6 |
light-assisted etching | 7.3.16 |
liquid precursor combustion | 6.2.1.1 |
lithography | 3.6 |
magnetic driven assembly | 4.4 |
micro-contact printing | 7.1.15 |
microfluidic deposition | 7.1.16 |
modulated elemental reacted method | 5.7 |
molecular beam epitaxy | 7.2.13 |
multilayer deposition | 3.7 |
multilayer film process | 7.4.2 |
multi-pass coin forging | 6.5.10 |
nanocomposite | 2.2 |
nano-embossing | 7.1.17 |
nanofabrication | 3.8 |
nanofibre | 2.3 |
nanofibre precipitation | 7.4.3 |
nano-imprint lithography | 7.1.18 |
nanomanufacturing | 3.9 |
nanomanufacturing process | 3.10 |
nanomaterial | 2.4 |
nano-object | 2.5 |
nanoparticle | 2.6 |
nanoparticle dispersion | 6.3.3 |
nanoparticle precipitation | 6.4.2 |
nanoparticle sintering | 6.5.13.2 |
nanoparticle spray coating | 7.4.4 |
nanoscale | 2.7 |
nanostructured material | 2.8 |
nanotemplated growth | 6.5.11 |
nanotube | 2.9 |
natural lithography | 7.1.19 |
NIL | 7.1.18 |
optical lithography | 7.1.20 |
phase-contrast photolithography | 7.1.21 |
photochemical etching | 7.3.16 |
photolithography | 7.1.20 |
photothermal synthesis | 6.2.3 |
physical etching | 7.3.17 |
physical vapour deposition | 7.2.14 |
plasma etching | 7.3.18 |
plasma spray | 6.2.1.2 |
plasmonic lithography | 7.1.22 |
polyelectrolyte layer-by-layer | 7.2.15 |
polymer nanoparticle dispersion | 6.5.12 |
prompt inorganic condensation | 6.4.3 |
PVD | 7.2.14 |
pyrogenesis | 6.2.1.3 |
radiation track etching | 7.3.19 |
reactive ion etching | 7.3.20 |
reverse micelle process | 6.4.4 |
RIE | 7.3.20 |
SAM formation | 5.8 |
scanning force probe writing | 7.1.23 |
scanning tunneling microscope chemical vapour deposition | 7.1.24 |
selective etching | 7.3.21 |
self-assembled monolayer formation | 5.8 |
self-assembly | 3.11 |
shape-based assembly | 4.5 |
soft lithography | 7.1.25 |
sol-gel processing | 6.4.5 |
solution precursor plasma spray | 6.2.1.4 |
spark plasma sintering | 6.5.13.3 |
spin coating | 7.2.17 |
spray deposition | 7.2.18 |
spray drying | 6.1.4.2 |
sputter deposition | 7.2.19 |
sputter etching | 7.3.17 |
STM CVD | 7.1.24 |
Stober process | 6.4.7 |
Stranski-Krastanow growth | 5.9 |
subtractive processing | 7.1.27 |
supercritical expansion | 6.1.5 |
supramolecular assembly | 4.6 |
surface functionalization | 3.12 |
surface polymerization | 7.2.20 |
surface-to-surface transfer | 4.7 |
surfactant templating | 6.4.6 |
suspension combustion thermal spray | 6.1.6 |
tape casting | 6.3.5 |
thermal spray | 7.2.16 |
thermal spray pyrolysis | 6.2.1.5 |
top-down nanomanufacturing | 3.13 |
two-phase methods | 6.6.4 |
vaporization | 6.1.8 |
vapour-liquid-solid nanofibre synthesis | 6.2.4 |
VLS | 6.2.4 |
wet ball milling | 6.3.6 |
wet etching | 7.3.22 |
wire electric explosion | 6.1.7 |
x-ray lithography | 7.1.28 |
3D lithography | 7.1.1 |
Библиография
[1] | BSI PAS 135 | Terminology for nanofabrication (Терминология нанопроизводства) |
[2] | ISO/TS 80004-6 | Nanotechnologies - Vocabulary - Part 6: Nano-object characterization (Нанотехнологии. Часть 6. Характеристики нанообъектов. Термины и определения) |
[3] | ISO/TS 80004-3:2010 | Nanotechnologies - Vocabulary - Part 3: Carbon nano-objects (Нанотехнологии. Словарь. Часть 3. Углеродные нанообъекты) |
[4] | ISO/TS 80004-4:2011 | Nanotechnologies - Vocabulary - Part 4: Nanostructured materials (Нанотехнологии. Словарь. Часть 4. Материалы с наноструктурой) |
[5] | ISO/TS 27687:2008 | Nanotechnologies - Terminology and definitions for nano-objects - Nanoparticle, nanofibre and nanoplate (Нанотехнологии. Термины и определения нанообъектов. Наночастица, нановолокно и нанопластина) |
________________ Заменен на ISO/TS 80004-2:2015. | ||
[6] | ISO/TS 80004-1:2010 | Nanotechnologies - Vocabulary - Part 1: Core terms (Нанотехнологии. Словарь. Часть 1. Основные термины) |
[7] | ISO 2080:2008 | Metallic and other inorganic coatings - Surface treatment, metallic and other inorganic coatings - Vocabulary (Металлические и другие неорганические покрытия. Поверхностная обработка. Словарь) |
[8] | ISO 19353 | Safety of machinery - Fire prevention and protection (Безопасность машин. Предотвращение пожаров и защита от них) |
[9] | ISO 11074:2005 | Soil quality - Vocabulary (Качество почвы. Словарь) |
________________ Заменен на ISO 11074:2015. | ||
[10] | ISO 3252:1999 | Powder metallurgy - Vocabulary (Порошковая металлургия. Словарь) |
________________ Заменен на ISO 3252:2019. | ||
[11] | ISO 836:2001 | Terminology for refractories (Материалы огнеупорные. Терминология) |
[12] | Appl.Phys. Lett. 1982, 41 pp.377-379 | |
[13] | McGraw-Hill Dictionary of Scientific and Technical Terms, 6th ed. September 2002 |
УДК 53.04:006.354 | МКС | 01.040.07, |
07.030 | ||
Ключевые слова: нанотехнологии, процессы нанотехнологического производства, нанообъект, наночастица |
Редакция документа с учетом
изменений и дополнений подготовлена