ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты

Обложка ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты
Обозначение
ГОСТ 19656.14-79
Наименование
Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты
Статус
Действует
Дата введения
1981.01.01
Дата отмены
-
Заменен на
-
Код ОКС
31.080.10


ГОСТ 19656.14-79

Группа Э29



ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ

Метод измерения критической частоты

Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency

Дата введения 1981-01-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 сентября 1979 г. N 3457 срок действия установлен с 01.01 1981 г. до 01.01 1986 г.*

_______________

* Ограничение срока действия снято по протоколу N 3-93 Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС N 5/6, 1993 год). - .

Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты .

Общие условия должны соответствовать ГОСТ 19656.0-74 и ГОСТ 18986.0-74.

1. ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЙ

1.1. Метод основан на измерении полного входного сопротивления измерительной диодной камеры с включенным в нее измеряемым диодом.

1.2. Режим измерения (уровень СВЧ мощности, частота, напряжение и ток смещения) устанавливается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

2. АППАРАТУРА

2.1. Измерения следует производить на установке, структурная схема и требования к элементам которой должны соответствовать ГОСТ 19656.11-75.

2.2. Допускается применять эквиваленты диодов в режимах короткого замыкания и холостого хода, обеспечивающие те же фазы стоячей волны, что и измеряемые диоды в режимах прямого и обратного смещения с погрешностью, установленной в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

3.1. Подготовку и проведение измерений следует производить в соответствии с ГОСТ 19656.11-75.

3.2. Для диодов с общей емкостью более 1,0 пФ допускается плоскость отсчета определять при короткозамкнутом центральном проводнике измерительной диодной камеры.

4. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

4.1. Критическую частоту в ГГц следует определять по формуле

, (1)


где ;


;


;

; ; ; ; ; ; ; - значения, определяемые по ГОСТ 19656.11-75, мм;

- длина волны в измерительной линии, мм;

- скорость света 3 -10

мм/с.

4.1.1. При выполнении условий:

;

критическую частоту в ГГц определяют по формуле

. (2)

4.1.2. При применении эквивалентов диодов, соответствующих требованиям п.2.2, критическую частоту определяют по формуле

. (3)

4.1.3. При известных значениях прямого сопротивления потерь, обратного сопротивления потерь и емкости структуры диода критическую частоту определяют по формуле

, (4)

где - общая емкость диода, измеренная по ГОСТ 18986.4-73, Ф;

- конструктивная емкость диода, устанавливаемая в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Ф;

- прямое сопротивление потерь, измеренное по ГОСТ 19656.11-75, Ом;

- обратное сопротивление потерь, измеренное по ГОСТ 19656.11-75, Ом.

5. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЙ

5.1. Погрешность измерения критической частоты должна быть в пределах ±35% с вероятностью 0,997 для значений менее 400 ГГц, и в пределах ±50% с вероятностью 0,997 для значений свыше 400 ГГц, при измерении в диапазоне частот 0,5-5 ГГц.

При измерениях на других частотах погрешность измерения критической частоты устанавливается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

Расчет погрешности измерений приведен в справочном приложении.

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

1. Расчет погрешности измерения критической частоты

Погрешность измерения определяется по формуле

, (1)

где - погрешность измерения общей емкости диода (ГОСТ 18986.4-73);

- погрешность измерения конструктивной емкости диода (ГОСТ 18986.4-73);

- погрешность измерения прямого сопротивления потерь (ГОСТ 19656.11-75);

- погрешность измерения обратного сопротивления потерь (ГОСТ 19656.11-75);

, - значения, определяемые по формулам.

; (2)

; (3)

0,5; (4)

0,5; (5)

2. Пример расчета погрешности

Данные для расчета: 5 ГГц; 0,191 мм; 0,191 мм; 0,57 мм; 0,3 мм; 1,8 мм; 13,6 мм; 11,5 мм; 0,26 пФ; 0,1 пФ; 50 Ом.

В результате вычислений по формулам ГОСТ 19656.11-75, ГОСТ 18986.4-73 и формулам (1)-(5) настоящего приложения получаем: 1,04 Ом; 6,8 Ом; 22,6%; 18%; 13%; 25%; 1,710; 0,715.

Значение погрешности измерения равно

%;

, рассчитанная для данного случая по формуле (4) настоящего стандарта, равна 400 ГГц.

Погрешность измерения критической частоты при расчете по упрощенным формулам (2), (3) настоящего стандарта не превышает значений, указанных в разд.5.

Электронный текст документа

и сверен по:

М.: Издательство стандартов, 1979