ГОСТ 18986.10-74
Группа Э29
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Методы измерения индуктивности
Semiconductor diodes. Methods for measuring inductance
МКС 31.080.10
Дата введения 1976-07-01
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27 декабря 1974 г. N 2824 дата введения установлена 01.07.76
Ограничение срока действия снято по протоколу N 5-94 Межгосударственного совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС 11-12-94)
ИЗДАНИЕ (май 2004 г.) с Изменениями N 1, 2, утвержденными в феврале 1979 г., августе 1982 г. (ИУС 4-79, 12-82)
Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов:
метод I - для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более;
метод II - для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн.
Общие условия при измерении должны соответствовать требованиям ГОСТ 18986.0-74, ГОСТ 19656.0-74 и настоящего стандарта.
(Измененная редакция, Изм. N 2).
1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКТИВНОСТИ ДИОДОВ, ЗНАЧЕНИЕ КОТОРОЙ 2 нГн И БОЛЕЕ
1.1. Принцип, условия и режим измерений
1.1.1. Принцип измерения индуктивности диодов основан на измерении резонансной частоты колебательного контура куметра при подключении к нему измеряемого диода.
1.1.2. Постоянный прямой ток диода, при котором проводят измерение, должен быть таким, чтобы добротность контура с диодом была не менее 40.
1.1.3. Частота измерения, ГГц, должна удовлетворять условию
,
где - значение индуктивности, указанное в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Гн.
1.2. Аппаратура
1.2.1. Измерения проводят на установке, электрическая структурная схема которой указана на черт.1.
- блок смещения;
- миллиамперметр;
- резистор подачи смещения;
- катушка индуктивности, подключаемая к куметру;
- куметр;
- переменный конденсатор куметра;
- резистор внутри куметра, на котором создается ЭДС высокой частоты;
- измеряемый диод;
- замыкатель
Черт.1
1.2.2. Индуктивность контура должны выбирать из условия
.
1.2.3. Индуктивность замыкателя должны выбирать из условия
.
Замыкатель рекомендуется изготовлять в виде отрезка плоской широкой шины из металла, хорошо проводящего ток на высокой частоте.
В необходимых случаях требования к конструкции замыкателя должны быть указаны в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.
1.2.4. Сопротивление резистора должно удовлетворять условию
.
1.3. Подготовка и проведение измерений
1.3.1. При измерении индуктивности диодов должна быть определена общая емкость колебательного контура с учетом распределенной емкости катушки индуктивности
. Общая емкость контура
определяется в положении переменного конденсатора
, соответствующем настройке контура в резонанс на рабочей частоте при замыкании контактов А и Б измерительной схемы замыкателем.
Измерение общей емкости контура должно проводиться в соответствии с документацией на куметр, который применяют для измерения индуктивности диода.
1.3.2. Измеряемый диод включают в контур последовательно с катушкой индуктивности.
1.3.3. Устанавливают через диод постоянный прямой ток.
1.3.4. Настраивают контур в резонанс и отсчитывают значение емкости .
1.3.5. Вместо измеряемого диода устанавливают замыкатель.
1.3.6. Настраивают контур в резонанс и отсчитывают значение емкости конденсатора куметра.
1.4. Обработка результатов
1.4.1. Значение индуктивности диода вычисляют по формуле
,
где - частота, на которой проводят измерение, Гн;
,
,
- значения емкостей, Ф.
1.5. Показатели точности измерений
1.5.1. Погрешность измерения индуктивности должна быть в пределах 
% с доверительной вероятностью 0,99.
Разд.1 (Измененная редакция, Изм. N 2).
2. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКТИВНОСТИ ДИОДОВ, ЗНАЧЕНИЕ КОТОРОЙ МЕНЕЕ 2 нГн
2.1. Принцип, условия и режим измерений
2.1.1. Принцип измерения индуктивности диода основан на изменении положения узла стоячей волны при подключении в линию измеряемого диода.
2.1.2. Измерения проводят при протекании через диод прямого тока, значение которого выбирают таким образом, чтобы коэффициент стоячей волны по напряжению в измерительной линии был не менее 4.
2.2. Аппаратура
2.2.1. Измерения проводят на установке, электрическая структурная схема которой указана на черт.2.
- генератор мощности СВЧ;
- согласующий аттенюатор с ослаблением 20 дБ;
- разделительный конденсатор;
- миллиамперметр;
- измерительная линия;
- измеряемый диод;
- адаптер;
- микроамперметр;
- блок смещения
Черт.2
2.2.2. Частоту измерения должны выбирать из условия
,
где - волновое сопротивление измерительной линии, Ом;
- частота, Гц;
- индуктивность, Гн, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов;
- емкость корпуса диода.
2.2.3. Конструкция адаптера , в котором измеряется диод, должна быть приведена в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.
Замыкатель по форме и геометрическим размерам должен совпадать с корпусом диода измеряемого типа и изготовлен из металла, хорошо проводящего ток на высокой частоте. В необходимых случаях конструкция замыкателя должна быть указана в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.
2.3. Проведение измерений и обработка результатов
2.3.1. В адаптер устанавливают замыкатель и при помощи измерительной линии определяют положение узла стоячей волны
и длину волны
в измерительной линии.
2.3.2. В адаптер вместо замыкателя устанавливают измеряемый диод и через него подают прямой ток. Определяют новое положение узла стоячей волны
.
2.3.3. Значение индуктивности диода рассчитывают по формуле
.
2.4. Показатели точности измерений
2.4.1. Погрешность измерения индуктивности должна быть в пределах 
% с доверительной вероятностью 0,99.
Разд.2 (Измененная редакция, Изм. N 2).
Разд.3 (Исключен, Изм. N 2).
Электронный текст документа
и сверен по:
М.: Издательство стандартов, 2004
