ГОСТ 17465-80
Группа Э02
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Основные параметры
Semiconductor diodes. Essential parameters
Дата введения 1982-01-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28 августа 1980 г. N 4471 срок введения установлен с 01.01 1982 г.
ВЗАМЕН ГОСТ 16963-71 и ГОСТ 17465-72 в части пп.1-12, 16-22
1. Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды: выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки).
Стандарт устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров, которые в табл.1-17 отмечены знаком "+".
Допускаемые сочетания, отмеченные знаком "" в табл.1-11, 15-17, предназначены для применения в устройствах специального назначения.
Приведенные в стандарте числовые значения параметров установлены для нормальных климатических условий по ГОСТ 16962-71.
Пояснения к терминам приведены в справочном приложении.
2. Основные параметры выпрямительных диодов
2.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных диодов должны соответствовать указанным в табл.1.
Таблица 1
Постоянный прямой | Постоянное обратное напряжение, В | ||||||
100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | 1500 | |
0,10 | + | + | + | + | + | ||
0,30 | + | + | + | + | |||
0,50 | + | + | + | + | + | + | + |
0,70 | + | + | + | + | + | + | + |
1,00 | + | + | + | + | |||
3,00 | + | + | + | + | + | + | + |
5,00 | + | + | + | + | |||
7,00 | + | + | + | + | + | + | + |
10,00 | + | + |
2.2 Значение предельной рабочей частоты должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.
2.3 Значение мощности импульсных перегрузок по обратному току для выпрямительных диодов должно выбираться из ряда: 200; 1000; 2000; 5000; 20000; 50000 Вт.
3. Основные параметры выпрямительных столбов
3.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных столбов должны соответствовать указанным в табл.2.
Таблица 2
Постоянный прямой | Импульсное обратное или постоянное обратное напряжение, кВ | ||||||
2 | 4 | 6 | 8 | 10 | 15 | 20 | |
10 | + | + | + | + | |||
30 | + | + | + | + | + | + | + |
100 | + | + | + | ||||
300 | + | + | + | + | + | + | + |
500 | + | + | + | ||||
1000 | + | + | + | + | + |
3.2. Максимальное значение частоты выпрямления выпрямительных столбов должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.
4. Основные параметры импульсных диодов
4.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодов должны соответствовать указанным в табл.3.
Таблица 3
Средний прямой ток, мА | Время восстановления обратного coпротивления, нс | ||||||||
0,20 | 0,50 | 1,00 | 4,00 | 10,00 | 40,00 | 100,00 | 400,00 | 1000,00 | |
2 | + | + | + | + | + | + | + | + | |
5 | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
10 | + | + | + | + | + | + | + | + | |
20 | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
50 | + | + | + | + | + | + | + | ||
100 | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
200 | + | + | + | + | + | + | + | + | |
500 | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
Примечание. Приборы с большим быстродействием характеризуются временем жизни неравновесных носителей заряда, которое выбирается из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10 нс.
4.2. Значение постоянного обратного напряжения импульсных диодов должно выбираться из ряда: 3; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200 В.
5. Допускаемые сочетания значений основных параметров стабилитронов (стабисторов) общего назначения должны соответствовать указанным в табл.4.
Таблица 4
Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт | Номинальное напряжение стабилизации, В | |||||||||||||
0,7 | 1,4 | 1,9 | 2,1 | 2,4 | 2,7 | 3,0 | 3,3 | 3,6 | 3,9 | 4,3 | 4,7 | 5,1 | 5,6 | |
0,020 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
0,050 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
0,125 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
0,300 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
1,000 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
2,000 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
5,000 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
10,000 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
Продолжение табл.4
Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт | Номинальное напряжение стабилизации, В | |||||||||||||
6,2 | 6,8 | 7,5 | 8,2 | 9,1 | 10,0 | 11,0 | 12,0 | 13,0 | 15,0 | 16,0 | 18,0 | 20,0 | 22,0 | |
0,020 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
0,050 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
0,125 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |
0,300 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
1,000 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
2,000 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
5,000 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |
10,000 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
Примечания:
1. Значения номинального напряжения стабилизации более 22 В выбирают умножением ряда напряжений от 2,4 до 22 В на 10 и 100.
2. Допускаемое отклонение номинального напряжения стабилизации должно соответствовать значениям: ±5; ±10%.
6. Допускаемые сочетания значений основных параметров прецизионных стабилитронов должны соответствовать указанным в табл.5.
Таблица 5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации | Значение временной нестабильности напряжения стабилизации, % | ||||||
0,0005 | 0,0010 | 0,0020 | 0,0050 | 0,0100 | 0,0200 | 0,0500 | |
0,0002 | + | + | |||||
0,0005 | + | + | + | + | + | + | + |
0,0010 | + | + | + | + | + | + | |
0,0020 | + | + | + | + | + | + | + |
0,0050 | + | + | + | + |
7. Основные параметры варикапов
7.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров варикапов при обратном напряжении 6 В должны соответствовать указанным в табл.6.
Таблица 6
Добротность на частоте 50 МГц | Номинальная емкость, пФ | |||||||||||
1,0 | 1,2 | 1,5 | 1,8 | 2,2 | 2,7 | 3,3 | 3,9 | 4,7 | 5,6 | 6,8 | 8,2 | |
100 | + | + | + | |||||||||
200 | + | + | + | |||||||||
400 | + | + | + | + | ||||||||
600 | + | + | + | + | + | |||||||
800 | + | + | + | + | + | |||||||
1000 | + | + | + | + | + | + | ||||||
1200 | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||
1400 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||
1600 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||
1800 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||
2000 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||
2200 | + | + | + | + | + | + |
Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.
7.2. Допускаемые сочетания значений основных параметров подстроенных варикапов при обратном напряжении 4 В должны соответствовать указанным в табл.7 и 8.
Таблица 7
Добротность на частоте 50 МГц | Номинальная емкость, пФ | |||||||||
10 | 12 | 15 | 18 | 22 | 27 | 33 | 39 | 47 | 56 | |
150 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
200 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |
250 | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
300 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |
400 | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
500 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |
600 | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
700 | + | + | + | + | + | + | + | |||
800 | + | + | + | + | + | + | ||||
900 | + | + | + | + | + | + | ||||
1000 | + | + | + | + | + |
Таблица 8
Добротность на частоте 10 МГц | Номинальная емкость, пФ | ||||||||||||
68 | 100 | 120 | 150 | 180 | 220 | 270 | 330 | 390 | 470 | 560 | 680 | 1000 | |
150 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
200 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
250 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
300 | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||
400 | + | + | |||||||||||
500 | + | + | + | + | |||||||||
600 | + |
Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.
8. Допускаемые сочетания значений основных параметров настроечных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.9.
Таблица 9
Доброт- | Номинальная емкость при обратном напряжении минус 6 В, пФ | ||||||||||||||||||
0,08 | 0,10 | 0,15 | 0,20 | 0,25 | 0,34 | 0,45 | 0,60 | 0,80 | 1,20 | 1,80 | 2,20 | 2,70 | 3,30 | 3,90 | 4,70 | 5,60 | 6,80 | 8,20 | |
20 | + | + | + | + | |||||||||||||||
30 | + | + | + | + | + | + | |||||||||||||
40 | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||||||
50 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||||
60 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||||
70 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||
80 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||
100 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||
120 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||
140 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||
180 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||
220 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||
260 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||
300 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||
400 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||||
500 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||||
600 | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||||||
700 | + | + | + | + | + | + | |||||||||||||
800 | + | + | + | + | + | + | |||||||||||||
1000 | + | + | + | ||||||||||||||||
1200 | + | + | + | + | |||||||||||||||
1400 | + | + | + |
Примечание. Допускаемый разброс номинальной емкости диода выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20%.
9. Основные параметры смесительных СВЧ диодов
9.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров смесительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.10.
Таблица 10
Нормированный коэффициент шума, дБ, на промежуточной частоте 30 МГц | Длина волны измерения, см | |||||
0,1 | 0,2 | 0,4 | 0,8 | 2,0 | 3,2 | |
4,5 | + | + | + | |||
5,0 | + | + | + | |||
5,5 | + | + | + | + | + | + |
6,0 | + | + | + | + | + | + |
6,5 | + | + | + | + | + | + |
7,0 | + | + | + | + | + | + |
7,5 | + | + | + | + | + | |
8,0 | + | + | + | + | ||
9,0 | + | + | + | |||
10,0 | + | + | + | |||
11,0 | + | + | ||||
12,0 | + | + | ||||
14,0 | + | |||||
16,0 | + |
9.2. Минимальная энергия выгорания должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,0; 2,5; 5,0; 10,0; 15,0; 20 эрг.
10. Основные параметры детекторных СВЧ диодов
10.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров детекторных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.11.
Таблица 11
Тангенциальная чувствительность, дБ·мВт | Длина волны измерения, см | |||||
0,1 | 0,2 | 0,4 | 0,8 | 2,0 | 3,2 | |
44 | ||||||
46 | + | + | ||||
48 | + | + | + | |||
50 | + | + | + | + | ||
52 | + | + | + | + | ||
54 | + | + | + | + | + | |
56 | + | + | + | + | + | + |
58 | + | + | + | + | + | |
60 | + | + | + | + | + | + |
62 | + | + | + | + | + | + |
10.2. Минимальная импульсная СВЧ рассеиваемая мощность должна выбираться из ряда: 0,025; 0,05; 0,10; 0,25; 0,5; 1,0; 2,5; 5 Вт.
11. Основные параметры параметрических СВЧ диодов
11.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров параметрических диодов должны соответствовать указанным в табл.12.
Таблица 12
Постоянная времени при напряжении смещения минус 2 В, нс | Емкость перехода при напряжении смещения 0, пф |
0,10* | 0,01-0,015* |
0,12 | 0,01-0,04 |
0,16 | 0,01-0,06 |
0,20 | 0,01-0,30 |
0,25* | 0,01-0,40* |
0,30 | 0,01-0,50 |
0,40 | 0,01-0,60 |
0,50* | 0,01-0,70* |
0,60 | 0,01-0,80 |
0,80 | 0,04-0,80 |
1,00 | 0,10-1,00 |
________________
* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.
Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.
11.2. Значение постоянного обратного напряжения при нормированном токе параметрических СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 4; 6; 8; 10; 12; 15; 20; 25; 30; 40; 50; 60 В.
12. Основные параметры СВЧ умножительных диодов
12.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров умножительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.13.
Таблица 13
Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт | Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ |
0,010* | 0,03-0,05* |
0,016 | 0,04-0,06 |
0,025 | 0,05-0,08 |
0,040 | 0,06-0,12 |
0,060 | 0,08-0,20 |
0,100 | 0,10-0,30 |
0,160 | 0,10-0,60 |
0,250* | 0,10-1,25* |
0,400 | 0,12-2,00 |
0,500 | 0,12-2,20 |
0,600 | 0,15-2,50 |
0,800 | 0,15-3,20 |
1,000* | 0,20-4,00* |
2,000 | 0,50-6,00 |
3,000 | 1,00-8,00 |
4,000 | 1,25-8,00 |
5,000* | 1,60-8,00* |
6,000 | 2,00-8,00 |
8,000 | 3,00-8,00 |
10,000 | 4,00-10,00 |
16,000 | 5,00-10,00 |
25,000 | 6,00-10,00 |
40,000* | 8,00-10,00* |
________________
* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.
Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.
12.2. Значение предельной частоты умножительных СВЧ диодов выбирается из ряда: 40; 60; 100; 150; 200; 250; 320; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500; 2000; 2500; 3000 ГГц.
13. Основные параметры ограничительных СВЧ диодов
13.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров ограничительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.14.
Таблица 14
Накопленный заряд, нКл | Емкость структуры, пФ |
0,1* | 0,01-0,1* |
0,3 | 0,01-0,2 |
0,5 | 0,05-0,3 |
1,0 | 0,10-0,60 |
3,0 | 0,10-1,60 |
5,0* | 0,10-4,00* |
10,0 | 0,20-6,00 |
15,0 | 0,40-10,00 |
20,0 | 1,00-10,00 |
25,0 | 1,60-10,00 |
30,0* | 2,50-10,00* |
________________
* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.
13.2. Допускаемая рассеиваемая мощность ограничительных СВЧ диодов должна выбираться из следующего ряда: 0,1; 0,15; 0,25; 0,40; 0,60; 1,0; 1,5; 2,5 Вт.
14. Основные параметры переключательных СВЧ диодов
14.1. Допускаемые сочетания основных параметров СВЧ переключательных диодов должны соответствовать указанным в табл.15.
Таблица 15
Допус- | Пробивное напряжение, В | |||||||||||||||||||
30 | 50 | 75 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 700 | 800 | 900 | 1000 | 1100 | 1200 | 1500 | 2000 | 2500 | 3000 | |
0,1 | + | + | + | + | + | |||||||||||||||
0,2 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||||||
0,3 | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||||||
0,5 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||
0,75 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||||||
1,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||
1,5 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||
2,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||
3,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||
4,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||
5,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||||
7,5 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||
10,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||||
15,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||
20,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||||
50,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |||||||
100,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||
150,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||||
200,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||||
300,0 | + | + | + | + | + | + | + | + | ||||||||||||
500,0 | + | + | + | + | + |
14.2. Значение критической частоты переключательных СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 20; 40; 60; 100; 150; 200; 250; 300; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500 ГГц.
14.3. Допускаемый разброс номинальной емкости диода одного типа выбирается из следующего ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.
15. Основные параметры импульсных диодных матриц
15.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодных матриц должны соответствовать указанным в табл.16.
Таблица 16
Средний прямой ток, мА | Постоянное обратное напряжение, В | |||||||||
2 | 3 | 5 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 75 | |
0,1 | + | + | + | + | + | |||||
0,2 | + | + | + | + | ||||||
0,5 | + | + | + | + | + | + | + | |||
1 | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
2 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |
5 | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
10 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
20 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + |
50 | + | + | + | + | + | + | + | + | + | |
100 | + | + | + | + | + | + | + | |||
150 | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
200 | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
300 | + | + | + | + | + | |||||
400 | + | + | + | + | + | + | ||||
500 | + | + | + | + |
15.2. Значение времени восстановления обратного сопротивления импульсных диодных матриц должно выбираться из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10; 0,20; 0,50; 1,00; 4,00; 5,00; 10,00; 20,00; 40,00; 100,00; 400,00; 1000,00 нс. При этом должно соблюдаться соотношение
,
где - максимально допускаемый импульсный прямой ток;
- максимально допускаемый постоянный прямой ток.
16. Допускаемые сочетания значений основных параметров лавинно-пролетных диодов для усиления и генерирования электрических сигналов СВЧ должны соответствовать указанным в табл.17.
Таблица 17
Выходная мощность, Вт | Диапазон рабочих частот, ГГц | |||||||
8-10 | 12-15 | 17-18 | 20-22 | 24-26 | 30-37 | 45-50 | 60-70 | |
0,02-0,03 | + | + | ||||||
0,04-0,05 | + | + | + | + | ||||
0,08-0,10 | + | + | + | + | + | |||
0,15-0,30 | + | + | + | + | + | + | + | |
0,40-0,50 | + | + | + | + | + | + | ||
0,80-1,00 | + | + | + | + | + | |||
1,50-2,50 | + | + | + | + | + | + | ||
3,00-4,50 | + | + | + | + | ||||
5,00-7,00 | + | + | + | |||||
8,0-12,00 | + | + | + | |||||
15,0-20,0 | + | + | ||||||
25,0-40,0 |
Примечания:
1. Значения мощности от 0,02 до 7,0 Вт даны для непрерывной, а от 8,0 до 40,0 Вт - для импульсной мощности.
2. В интервале от 70 до 300 ГГц диапазон рабочих частот и выходная мощность устанавливаются в стандартах и технических условиях на приборы конкретных типов.
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
Пояснения к терминам,
относящимся к нестандартизованным наименованиям групп приборов
Термин | Пояснение |
Настроечный полупроводниковый СВЧ диод | СВЧ полупроводниковый диод, предназначенный для настройки СВЧ цепей |
Импульсная диодная матрица | Совокупность полупроводниковых импульсных диодов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам |
Прецизионный стабилитрон | Термокомпенсированный стабилитрон с гарантированной временной нестабильностью |
Электронный текст документа
и сверен по:
М.: Издательство стандартов, 1980