ГОСТ Р 71056-2023 Транзисторы полевые. Система параметров

Обложка ГОСТ Р 71056-2023 Транзисторы полевые. Система параметров
Обозначение
ГОСТ Р 71056-2023
Наименование
Транзисторы полевые. Система параметров
Статус
Действует
Дата введения
2024.03.01
Дата отмены
-
Заменен на
-
Код ОКС
31.080.30

        ГОСТ Р 71056-2023


НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ


ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ


Система параметров


Field effect transistor. Parameters system

ОКС 31.080.30

Дата введения 2024-03-01


Предисловие


1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 30 октября 2023 г. N 1286-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)


1 Область применения

Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полевые транзисторы (далее - транзисторы).

Стандарт устанавливает состав параметров и типовых характеристик транзисторов, подлежащих включению в общие технические условия и технические условия (ТУ) при их разработке или пересмотре.

Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские (НИР) и опытно-конструкторские работы (ОКР), программ испытаний опытных образцов.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации транзисторов в соответствии с действующим законодательством.


2 Нормативные ссылки

В настоящем стандарте использована нормативная ссылка на следующий стандарт:

ГОСТ 19095 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Примечание - При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю "Национальные стандарты", который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты" за текущий год. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.


3 Термины и определения

В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ 19095, а также следующие термины с соответствующими определениями:

3.1
минимальный коэффициент шума
:
Значение коэффициента усиления по мощности транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих минимальному коэффициенту шума.
3.2
оптимальный коэффициент усиления по мощности
:
Значение коэффициента шума транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих области наименьших значений коэффициента шума.
3.3
максимальный коэффициент усиления по мощности
:
Значение коэффициента усиления по мощности транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих области наибольших значений коэффициента усиления по мощности.
3.4
оптимальный коэффициент шума
:
Значение коэффициента шума транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих максимальному коэффициенту усиления по мощности.
3.5
коэффициент усиления по мощности в линейной области амплитудной характеристики
:
Значение коэффициента усиления по мощности транзистора в линейной области его амплитудной характеристики (область линейной зависимости выходной мощности от входной мощности).
3.6
максимально допустимое напряжение сток - исток в динамическом режиме
:
Максимальное значение допустимого напряжения между электродами стока и истока транзистора в динамическом режиме.
3.7
порог перегрузки транзистора
:
Уровень выходной мощности транзистора, при достижении которого значение коэффициента усиления по мощности падает на 1 дБ по отношению к его значению на малом сигнале.
3.8
максимально допустимое напряжение питания стока
:
Максимально допустимая постоянная составляющая напряжения между стоком и истоком транзистора.
3.9
крутизна характеристики по второму затвору
:
Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на втором затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
3.10
напряжение отсечки по второму затвору
:
Напряжение между вторым затвором и истоком, при котором ток стока транзистора достигает заданного низкого значения.
3.11
коэффициент отражения входной цепи транзистора в схеме с общим истоком
:
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.
3.12
коэффициент обратной передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком
:
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.
3.13
коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком
:
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.
3.14
коэффициент отражения выходной цепи транзистора в схеме с общим истоком
:
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.
3.15
коэффициент полезного действия стока
:
Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника питания стока.
3.16
выходная мощность полевого транзистора
:
Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте.
3.17
максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме
:
Максимально допустимое усредненное на период значение мощности в транзисторе.

4 Классификация

Транзисторы подразделяют на классификационные группы в соответствии с таблицей 1.

Таблица 1


Наименование

Обозначение классификационной группы

Транзисторы полевые СВЧ на основе арсенида галлия:


1

- усилительные


- генераторные

Транзисторы усилительные полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода

2

Транзисторы полевые кремниевые с изолированным затвором:


3

- усилительные


- генераторные


5 Система параметров

5.1 Состав параметров и способы задания норм на транзисторы приведены в таблице 2.

Таблица 2


Наименование параметров

Буквенное обозначение параметра

Способ задания нормы

Обозначение классифика-

ционной группы

Пункт примечания таблицы

1 Параметры транзистора

1.1 Минимальный коэффициент шума

ОП

-

2, 3а

4, 7, 11

1.2 Оптимальный коэффициент усиления по мощности

ОП

9

2, 3а

2, 4, 5, 7, 11

1.3 Крутизна характеристики

S

ОП

2

-

1, 3

2

1.4 Ток утечки затвора

ОП

1, 2

-

3

2, 5

1.5 Начальный ток стока

ОП

2, 3

2

1.6 Ток стока

ОП

2, 8

1.7 Остаточный ток стока

ОП

2

1.8 Напряжение отсечки

ОП

2

-

2, 5, 10

1.9 ЭДС шума

ОП

2

4, 7, 11, 13

1.10 Выходная мощность

ОП

7, 9, 11

7

1.11 Коэффициент усиления по мощности

ОП

1б, 3б

6, 7, 9, 11

1.12 Коэффициент полезного действия стока

ОП

1б, 3б

2, 7, 9, 11

1.13 Пороговое напряжение

ОП

2, 5, 10

1.14 Сопротивление сток - исток в открытом состоянии

ОП

2, 3

12

1.15 Входная емкость

ОП

2, 3а

2, 9

1.16 Проходная емкость

ОП

2, 9

1.17 Коэффициент усиления по мощности в линейной области амплитудной характеристики

ОП

2, 7

1.18 Разность напряжений затвор - исток

ОП

2, 3а

14

1.19 Температурный уход разности напряжений затвор - исток

ОП

2, 3а

2, 14

2 Предельно допустимые параметры режимов эксплуатации

2.1 Максимально допустимое постоянное напряжение сток - исток

ОП

1а, 2, 3

3

2.2 Максимально допустимое постоянное напряжение затвор - исток

ОП

1, 2, 3

3

2.3 Максимально допустимое постоянное напряжение затвор - сток

ОП

1а, 2, 3а

3

2.4 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность

ОП

1, 2, 3

3

2.5 Максимально допустимое напряжение питания стока

ОП

3

2.6 Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме

ОП

3

2.7 Максимально допустимое напряжение сток - исток в динамическом режиме

ОП

3

2.8 Максимально допустимый прямой ток затвора

ОП

2

3

2.9 Максимально допустимое напряжение сток - подложка

ОП

2, 3а

2, 3, 15

2.10 Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность

ОП

2, 3

12

Примечания

1 Для указания способа задания норм на параметры применено следующее обозначение:

- ОП - односторонний предел значения параметра без указания номинального значения.

2 Включение параметра в ТЗ на НИР и ОКР не является обязательным.

3 Значение параметра приводят для всего диапазона рабочих температур (при необходимости указывают закон изменения).


4 В ТУ включают либо
и
либо
.

5 Значение параметра указывают в ТУ в форме одностороннего предела; соответствие установленной норме гарантируют технологией и контролируют на этапе цехового контроля.


6 Параметр не задают, если выходную мощность контролируют при фиксированном уровне мощности возбуждения.

7 Параметр относят к требующим осуществления сложных и трудоемких измерений и измеряют при нормальной температуре.


8 Электрический режим при измерении параметра
должен обеспечивать его измерение в начале области насыщения выходных вольтамперных характеристик; при этом измеряемый
должен быть близок к максимально возможному значению тока стока для данного типа транзистора.

9 Допускается гарантировать минимальное (максимальное) значение параметра.


10 Для
p
-канальных транзисторов используют параметр
, для
n
-канальных транзисторов используют параметр
.

11 Параметр не вводят для транзисторов, применяемых в переключающих схемах.

12 Параметр вводят для транзисторов, применяемых в переключающих схемах.


13 В технически обоснованных случаях допускается вместо параметра
использовать параметр
(шумовое напряжение).

14 Параметр вводят для составных транзисторов.

15 Параметр вводят для транзисторов, имеющих отдельный вывод подложки.



5.2 Состав типовых характеристик транзисторов приведен в таблице 3.

Таблица 3


Наименование характеристики

Обозначение классификационной группы

Зависимость постоянного тока стока при заданном постоянном напряжении затвор - исток от постоянного напряжения сток - исток

1, 2, 3

Зависимость постоянного тока стока при заданном постоянном напряжении сток - исток (передаточная характеристика)

1, 2, 3


5.3 Параметры-критерии годности транзисторов при различных видах испытаний приведены в таблице 4.

5.4 В технически обоснованных случаях по согласованию с заказчиком состав параметров и типовых характеристик транзисторов, регламентированный настоящим стандартом, при составлении конкретных документов на транзисторы допускается расширять или сокращать.

5.5 Справочные параметры транзисторов приведены в приложении А.

Таблица 4


Наименование

Контроль соответствия требованиям

Пункт

параметра-

критерия годности

к конст-

рукции

стойкости к внешним воздействующим факторам

надежности

к упа-

ковке

к воз-

дей-

ствию

при-

меча-

ния

Виды испытаний

специ-

таб-

про-

верка пайки выво-

на вибро-

устой-

чиво-

на вибро-

прочность

на уда-

рную про-

на уда-

рную усто-

на воз-

дей-

ствие

на воз-

дей-

ствие

на воз-

дей-

ствие

на воз-

дей-

ствие повы-

на воз-

дей-

ствие пони-

на воз-

дей-

ствие изме-

на воздействие повышенной

влажности воздуха

на воз-

дей-

ствие

на воз-

дей-

ствие повы-

на воздей-

ствие соля-

на воз-

дей-

ствие

на без-

отка-

зно-

на сох-

раня-

емо-

аль-

ных фак-

торов

лицы

дов

сть

дли-

тель-

ное

крат-

ковре-

менное

чно-

сть

йчи-

вость

оди-

ноч-

ных уда-

ров

лине-

йного уско-

рения

акус-

тиче-

ского шума

шен-

ной тем-

пера-

туры среды при эксп-

луа-

тации

жен-

ной тем-

пера-

туры среды при эксп-

луа-

тации

нения тем-

пера-

туры окру-

жаю-

щей среды

дли-

тель-

ное

крат-

ковре-

менное

атмо-

сфе-

рного пони-

жен-

ного дав-

ления

шен-

ного дав-

ления

ного тумана

плес-

неве-

лых гри-

бов

сть

сть

1 Ток утечки затвора

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1,2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

-

1, 2

1, 2

1,2

1, 2

1

2 Крутизна характеристики

-

3

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1, 2

1,2

1, 2

1, 2

1, 2, 3

1, 2, 3

1, 2

1, 2

1, 2

-

1, 2

1, 2, 3

1, 2, 3

1, 2

2

1, 2, 3

1, 2

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

-

-

3

3

3

3

-

-

3

-

3 Минимальный коэффициент

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

1а, 3а

1а, 3а

-

1а, 3а

2, 3

шума

2

2

2

2, 4

4 Оптимальный коэффициент усиления по мощности

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

2

5 Начальный ток стока

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

-

3

3

3

3

1

6 ЭДС шума

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

2

2

-

2

2, 6

7 Коэффициент усиления по мощности в линейной области амплитудной характеристики

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

2

8 Разность напряжений затвор - исток

-

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

2, 3а

7

9 Температур-

ный уход разности напряжений затвор - исток

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

2, 3а

2, 3а

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

7

10 Напряжение отсечки

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

5

Примечания


1 Параметр
или
используют в качестве критерия годности при повышенной и пониженной температурах и при определении времени потери работоспособности при проверке к воздействию специальных факторов. Контроль этих параметров проводят по специально установленным нормам.

2 Параметр контролируют только по окончании испытаний, а в процессе испытаний и дистанционно параметр не измеряют.

3 При объединении нескольких видов испытаний в единую группу контроль параметра осуществляют только после проведения последнего испытания.


4 В техническую документацию включают либо
и
, либо
.

5 Для
p
-канальных транзисторов используют параметр
для
n
-канальных транзисторов используют параметр
.

6 Параметр не вводят для транзисторов, применяемых в переключающих схемах.

7 Параметр вводят для составных транзисторов.



Приложение А

(справочное)


Справочные параметры транзисторов

Таблица А.1


Наименование параметра

Буквенные обозначения параметра

Способ задания нормы

Обозначение классифи-

кационной группы

Пункт примечания таблицы

1.1 Ток утечки затвора

НР, ЗТ

1, 2, 3

-

1.2 Начальный ток стока

НР, ЗТ

1, 2, 3

-

1.3 Ток стока

НР

7

1.4 Остаточный ток стока

НР

1б, 3б

-

1.5 Отношение начальных токов стока

НР, ЗТ

2, 3а

12

1.6 Напряжение отсечки

НР, ЗТ

10

1а, 2

-

1.7 Напряжение отсечки по второму затвору

НР, ЗР

2, 3а

9

1.8 Пороговое напряжение

НР, ЗТ

10

1.9 Разность напряжений затвор - исток

НР, ЗТ

2, 3а

12

1.10 Температурный уход разности напряжений затвор - исток

НР

2, 3а

12

1.11 Крутизна характеристики

S

ЗТ

2, 3

-

НР, ЗР

1, 2, 3

1.12 Крутизна характеристики по второму затвору

НР, ЗР

1а, 2, 3а

-

1.13 Отношение крутизны

НР, ЗТ

2, 3а

12

1.14 Сопротивление сток - исток в открытом состоянии

НР, ЗТ

2, 3

11

НР

-

1.15 Емкость затвор - исток

НР, ЗР

1б, 3б

-

1.16 Входная емкость

НР, ЗР

2, 3а

-

1.17 Выходная емкость

НР, ЗР

2, 3а

-

1.18 Проходная емкость

НР, ЗР

2, 3а

-

1.19 Индуктивность истока

НР

8

1.20 Полная входная проводимость

НР, ЗР, ЗЧ

2, 3

4

1.21 Полная выходная проводимость

НР, ЗР, ЗЧ

2, 3

4

1.22 Полная проводимость обратной передачи

НР, ЗР, ЗЧ

2, 3

4

1.23 Полная проводимость прямой передачи

НР, ЗР, ЗЧ

2, 3

4

1.24 Коэффициент отражения входной цепи транзистора в схеме с общим истоком

НР, ЗР, ЗЧ

1

4, 8

1.25 Коэффициент обратной передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком

НР, ЗР, ЗЧ

1

4, 8

1.26 Коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком

НР, ЗР, ЗЧ

1

4, 8

1.27 Коэффициент отражения выходной цепи транзистора в схеме с общим истоком

НР, ЗР, ЗЧ

1

4, 8

1.28 Минимальный коэффициент шума

НР, ЗР, ЗЧ

1а, 3а

-

2

5

1.29 Оптимальный коэффициент усиления по мощности

НР, ЗР, ЗЧ

1а, 3а

-

2

5

1.30 Максимальный коэффициент усиления по мощности

НР

2

1.31 Оптимальный коэффициент шума

НР

-

1.32 Коэффициент усиления по мощности

НР, ЗР

1б, 3б

6

ЗЧ, ЗТ

1б, 3б

4

1.33 Коэффициент полезного действия стока

НР, ЗР

1б, 3б

ЗЧ, ЗТ

1б, 3б

4

1.34 Максимально допустимая постоянная СВЧ мощность, падающая на вход транзистора

ОП

1а, 2, 3а

3

1.35 Максимально допустимая импульсная СВЧ мощность, падающая на вход транзистора

ОП

1а, 2, 3а

3

1.36 Порог перегрузки транзистора

ОП

1а, 2, 3а

4

1.37 Выходная мощность

НР, ЗР

1б, 3б

ЗЧ, ЗТ

1б, 3б

4

1.38 ЭДС шума

НР, ЗР, ЗЧ

2

5

1.39 Время включения

НР

2, 3

4, 11

1.40 Время выключения

НР

2, 3

4, 11

Примечания

1 Для указания способа задания норм на параметры применены следующие обозначения:

- ЗР - зависимость параметра от электрического режима измерения;

- ЗЧ - зависимость параметра от частоты;

- ЗТ - зависимость параметра от температуры;

- НР - номинальное значение параметра с двухсторонним допустимым отклонением (разбросом);

- ОП - односторонний предел значения параметра без указания номинального значения.

2 Максимальное значение параметра не указывают.


3 Проведение испытаний, необходимых для нормирования значений
и
, осуществляют на специализированном предприятии, для чего предприятие-изготовитель предоставляет ему транзисторы.

4 Справочные данные включают в ТУ на основании результатов измерений. Допускается проведение измерений на предприятиях - потребителях транзисторов.


5 В техническую документацию включают либо
и
, либо
.

6 Параметр не задают, если выходную мощность контролируют при фиксированном уровне мощности возбуждения.


7 Электрический режим при измерении параметра
должен обеспечивать его измерение в начале области насыщения выходных вольтамперных характеристик; при этом измеряемый
должен быть близок к максимально возможному значению тока стока для данного типа транзистора.

8 Для транзисторов, предназначенных для работы в схеме с общим затвором, параметр приводят в схеме с общим затвором (
,
,
,
,
).

9 Параметр относят к двухзатворным транзисторам - полевым тетродам.


10 Для
р
-канальных транзисторов используют параметр
, для
n
-канальных транзисторов используют параметр
.

11 Параметр вводят для транзисторов, применяемых в переключающих схемах.

12 Параметр вводят для составных транзисторов.



УДК 621.382.33:006.354


ОКС 31.080.30

Ключевые слова: транзистор полевой, система параметров