ГОСТ 18604.19-88 Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения

ГОСТ 18604.19-88
(СТ СЭВ 6038-87)*
______________________
* Обозначение стандарта.
Измененная редакция, Изм. N 1.
Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Метод измерения граничного напряжения

Bipolar transistors. Method of measuring threshold voltage

ОКП (ОКСТУ) 62 2312 (6220)

Срок действия с 01.07.89
до 01.07.94*
_______________________________
* Ограничение срока действия снято
постановлением Госстандарта СССР от 29.05.91 N 760
(ИУС N 8, 1991 год). - .

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28.03.88 N 809

2. Стандарт полностью соответствует Публикации МЭК 147-2

3. ВЗАМЕН ГОСТ 18604.19-78

4. Срок проверки 1993 г., периодичность проверки 5 лет

5. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

ВНЕСЕНО Изменение N 1, утвержденное и введенное в действие с 01.07.89 постановлением Госстандарта СССР от 26.10.88 N 3542

Изменение N 1 внесено изготовителем базы данных по тексту ИУС N 2, 1990 год

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения .

Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18604.0-83.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 6038-87.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

1. УСЛОВИЯ И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ

1.1. Измерение граничного напряжения биполярного транзистора заключается в определении напряжения между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора и при токе базы, равном нулю.

1.2. Ток коллектора, ток базы в режиме насыщения, индуктивность в цепи коллектора (или длительность импульса тока коллектора), частоту импульсов генератора тока базы (если частота отличается от промышленной), температуру окружающей среды (при необходимости температуру корпуса) указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2. АППАРАТУРА

2.1. Граничное напряжение следует измерять на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1.

- генератор импульсов тока базы; - измеряемый транзистор; - резистор; - генератор тока коллектора; - импульсный измеритель напряжения; - ограничитель напряжения; - осциллограф
Черт.1

2.2. Полярность включения элементов указана на схеме для n-p-n транзисторов. Для р-n-р транзисторов полярность должна быть обратной.

2.3. Граничное напряжение измеряют осциллографом или импульсным измерителем напряжения. При использовании осциллографа напряжение на измеряемом транзисторе определяют по отклонению луча по оси , а ток - по отклонению луча по оси .

Импульсный измеритель напряжения используют вместо осциллографа при применении в качестве генератора импульсного генератора тока коллектора.

Входное сопротивление () осциллографа по оси и импульсного измерителя напряжения должно удовлетворять условию

,

где - максимальное значение граничного напряжения, которое может быть измерено на установке;

- ток коллектора.

2.4. Основная погрешность измерительной установки в диапазоне измеряемых значений не должна выходить за пределы ±10% для осциллографов и аналоговых импульсных измерителей и ±5% измеряемого значения ±2 знака младшего разряда дискретного отсчета для цифровых измерителей напряжения.

2.5. Генератор тока коллектора должен обеспечивать заданный в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов ток как в режиме насыщения, так и в режиме, соответствующем граничному напряжению.

2.6. Электрическая структурная схема генератора тока коллектора приведена на черт.2 и 3.

- измеряемый транзистор; , - резисторы; - дроссель; - источник питания
Черт.2

- измеряемый транзистор; - резистор; - генератор импульсов тока коллектора
Черт.3

2.7. Минимальное значение индуктивности дросселя () указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов или вычисляют по формуле

,

где - длительность измерительного импульса;

- минимальное значение граничного напряжения, которое может быть измерено на данной установке.

2.8. Активное сопротивление дросселя () должно удовлетворять условию

.

2.9. Напряжение источника питания () должно удовлетворять условию

,

где - максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер измеряемого транзистора, указанное в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.10. Сопротивление резистора () должно удовлетворять условию

.

2.11. Сопротивление генератора импульсов тока коллектора () должно удовлетворять условию

.

2.12. При использовании генератора импульсов тока коллектора измерение граничного напряжения проводится в схеме, в которой базовый вывод транзистора отключен. При этом генератор отключен.

2.13. Генератор импульсов тока базы должен обеспечивать ток базы , необходимый для вхождения измеряемого транзистора в область насыщения.

2.14. Сопротивление генератора импульсов тока базы должно удовлетворять условию

.

2.15. Сопротивление резистора () должно удовлетворять условию

.

При использовании осциллографа для удобства отсчета рекомендуется выбирать =1 Ом.

Резистор выбирают с допускаемым отклонением сопротивления от номинального ±1%.

2.16. Ограничитель напряжения служит для обеспечения режима измерения в области безопасной работы транзистора.

Уровень ограничения указывают в стандартах или в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Электрическая структурная схема ограничения приведена на черт.4.

- разделительный диод; - источник питания
Черт.4

Допускается проведение измерения без ограничителя напряжения.

2.17. Разделительный диод должен быть рассчитан на обратный ток, который в 10 раз меньше заданного измерительного тока.

2.18. Источник питания должен обеспечивать пределы регулировки напряжения от до .

3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ

3.1. Измеряемый транзистор должен быть включен в схему измерения. Устанавливаемый режим по току базы должен обеспечивать вхождение транзистора в режим насыщения.

Ток базы () должен удовлетворять условию

,

где - минимальное значение статического коэффициента передачи тока, указанное в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

В технически обоснованных случаях допускаются другие соотношения и . При этом значение указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

3.2. При использовании схемы с индуктивностью в цепи коллектора измеряемый транзистор в исходном состоянии должен находиться в режиме насыщения.

В момент окончания импульса базового тока коллекторный ток поддерживается за счет э.д.с. самоиндукции в индуктивности цепи коллектора и напряжение коллектор-эмиттер возрастает до значения (или до напряжения ограничения , если ).

Измерение напряжения и тока транзистора должно производиться по экрану осциллографа.

На заданном уровне тока коллектора следует определить граничное напряжение по вольтамперной характеристике, приведенной на черт.5.

Черт.5

Максимальное значение тока коллектора при напряжении устанавливают по осциллографу в пределах , где - значение тока коллектора, при котором задано .

Транзистор считают годным, если значение напряжения, измеренное в точке на уровне заданного тока коллектора, не менее значения , заданного в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

3.3. При использовании ограничителя напряжения в процессе переключения транзистора напряжение между выводами коллектора и эмиттера измеряемого транзистора должно ограничиваться на заданном уровне и может не достигать значения , если .

Транзистор считают годным, если траектория движения луча на экране осциллографа (черт.6) на участке от точки к точке в процессе уменьшения тока коллектора соответствует заданному уровню ограничения . Допускается пересечение линии ВС при уровне тока меньше заданного значения.

Черт.6

3.4. При использовании схемы с генератором импульсов тока в цепи коллектора база измеряемого транзистора отключена, импульс от генератора тока подают между выводами коллектора и эмиттера.

Заданное значение тока устанавливают по экрану осциллографа в соответствии с п.3.2.

Значение граничного напряжения измеряют по экрану осциллографа или импульсным измерителем напряжения.

4. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ

4.1. Показатели точности измерения граничного напряжения должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

4.2. Границы интервала (), в котором с установленной вероятностью 0,95 находится погрешность измерения, определяют по формуле

,

где - погрешность измерителя напряжения, по которому производится отсчет граничного напряжения;

- погрешность измерителя тока, протекающего в цепи коллектора транзистора;

- коэффициент влияния тока на напряжение, который равен

.

Для определения коэффициента измеряют при двух значениях тока коллектора: при и при . Тогда определяют

.

Электронный текст документа

и сверен по:

М.: Издательство стандартов, 1988