ГОСТ Р 71058-2023
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ. ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Система параметров
Integrated circuits. Storage devices. Parameters systems
ОКС 31.040.99
Дата введения 2024-03-01
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 30 октября 2023 г. N 1288-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)
1 Область применения
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые интегральные микросхемы запоминающих устройств (далее - запоминающие устройства) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия (ТУ) или стандарты на запоминающие устройства конкретных типов при их разработке или пересмотре.
Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научно-хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации запоминающих устройств в соответствии с действующим законодательством.
2 Нормативные ссылки
В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты:
ГОСТ Р 57435 Микросхемы интегральные. Термины и определения
ГОСТ Р 57441 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Примечание - При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю "Национальные стандарты", который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты" за текущий год. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.
3 Термины, определения и сокращения
3.1 В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ Р 57435, ГОСТ Р 57441, а также следующие термины с соответствующими определениями:
3.2 В настоящем стандарте применены следующие сокращения:
МДП - металл-диэлектрик-полупроводник (структура).
4 Классификация
Интегральные микросхемы запоминающих устройств подразделяют на классификационные группы в соответствии с таблицей 1.
Таблица 1
Наименование группы | Обозначение классификационной группы |
Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) | 1 |
Матрицы оперативных запоминающих устройств (матрицы ОЗУ) | 2 |
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) | 3 |
Постоянные запоминающие устройства с возможностью однократного программирования (ППЗУ) | 4 |
Матрицы постоянных запоминающих устройств (матрицы ПЗУ) | 5 |
Постоянные запоминающие устройства с возможностью многократного электрического перепрограммирования (РПЗУ) | 6 |
Постоянные запоминающие устройства с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации (РПЗУ с УФ-стиранием) | 7 |
Ассоциативные запоминающие устройства | 8 |
5 Система параметров
5.1 Состав параметров запоминающих устройств и способ задания норм приведены в таблице 2.
Таблица 2
Наименование параметра | Буквенное обозначение параметра | Пара- метры, | Способ задания | Обозна- чение | Примечание | |
Русское | Между- народное | подле- жащие обяза- тельному включе- нию в ТУ | нормы | класси- фикаци- онной группы | ||
1 Параметры запоминающих устройств | ||||||
1.1 Выходное напряжение | - | Р, ОП | 1-8 | - | ||
1.2 Выходное напряжение низкого уровня | + | ОП | 1-8 | - | ||
1.3 Выходное напряжение высокого уровня | + | ОП | 1-8 | - | ||
1.4 Напряжение питания в режиме хранения | - | ОП | 1, 2, 8 | - | ||
1.5 Входной ток | - | ОП | 1-8 | - | ||
1.6 Входной ток низкого уровня | + | ОП | 1-8 | - | ||
1.7 Входной ток высокого уровня | + | Р, ОП | 1-8 | - | ||
1.8 Выходной ток высокого уровня | + | Р, ОП | 1-8 | Для микросхем с открытым коллектором | ||
1.9 Ток потребления | + | Р, ОП | 1-8 | - | ||
1.10 Ток потребления i-го источника питания | + | ОП | 1, 3, 4, 6-8 | Для микросхем с несколькими источниками питания | ||
1.11 Динамический ток потребления | + | ОП | 1-8 | - | ||
1.12 Ток потребления в состоянии "Выключено" | - | ОП | 1-8 | Для микросхем с тремя состояниями на выходе | ||
1.13 Ток потребления в режиме хранения | + | ОП | 1-8 | - | ||
1.14 Ток утечки высокого уровня на входе | + | ОП | 1-8 | Для МДП- микросхем | ||
1.15 Ток утечки низкого уровня на входе | + | ОП | 1-8 | То же | ||
1.16 Ток утечки на выходе | - | ОП | 1-8 | " | ||
1.17 Ток утечки низкого уровня на выходе | + | ОП | 1-8 | " | ||
1.18 Ток утечки высокого уровня на выходе | + | ОП | 1-8 | " | ||
1.19 Выходной ток в состоянии "Выключено" | - | ОП | 1-8 | Для микросхем с тремя | ||
1.20 Выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено" | + | ОП | 1-8 | состояниями на выходе | ||
1.21 Выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено" | + | ОП | 1-8 | |||
1.22 Ток сигнала стирания | + | Р | 6 | - | ||
1.23 Ток сигнала программирования | + | Р | 4, 6, 7 | Для микросхем, имеющих вывод "программи- рование" | ||
1.24 Время выборки | + | ОП | 1-7 | - | ||
1.25 Время выборки адреса | + | ОП | 1-7 | - | ||
1.26 Время выборки разрешения | + | ОП | 1-7 | - | ||
1.27 Время восстановления | - | ОП, Р | 1-8 | - | ||
1.28 Время хранения информации при отключенном питании | + | ОП | 6, 7 | - | ||
1.29 Время хранения информации при включенном питании | + | ОП | 6, 7 | - | ||
1.30 Время поиска | - | + | ОП | 8 | - | |
1.31 Время регенерации | + | ОП | 1 | Для динамических ОЗУ | ||
1.32 Потребляемая мощность | + | ОП | 1-8 | - | ||
1.33 Потребляемая мощность i-го источника питания | + | ОП | 1, 3, 4, 6-8 | Для микросхем с несколькими источниками питания | ||
1.34 Удельная потребляемая мощность | - | ОП | 1-8 | - | ||
1.35 Динамическая потребляемая мощность | - | ОП | 1-8 | - | ||
1.36 Потребляемая мощность в режиме хранения | - | ОП | 1-8 | - | ||
1.37 Входная емкость | + | ОП | 1-8 | - | ||
1.38 Выходная емкость | + | ОП | 1-8 | - | ||
1.39 Число циклов перепрограммирования | + | ОП | 6, 7 | - | ||
1.40 Информационная емкость | Q | + | Н | 1-8 | - | |
1.41 Число информационных слов | q | q | + | Н | 1-8 | - |
1.42 Число разрядов в информационном слова | n | n | + | Н | 1-8 | - |
1.43 Коэффициент программируемости | + | ОП | 4 | - | ||
2 Параметры режима эксплуатации и измерений | ||||||
2.1 Напряжение питания | + | НР, Н | 1-8 | - | ||
2.2 Напряжение i-го источника питания | + | НР, Н | 1, 3, 4, 6-8 | Для микросхем с несколькими источниками питания | ||
2.3 Напряжение питания в режиме хранения | - | ОП | 1, 2, 8 | - | ||
2.4 Входное напряжение | - | Р, ОП | 1-8 | - | ||
2.5 Входное напряжение низкого уровня | + | Р, ОП | 1-8 | - | ||
2.6 Входное напряжение высокого уровня | + | Р, ОП | 1-8 | - | ||
2.7 Напряжение сигнала программирования | + | Р | 4, 6, 7 | Для микросхем, имеющих вывод "программи- рование" | ||
2.8 Напряжение сигнала стирания | + | Р | 6 | - | ||
2.9 Выходной ток | - | Р, ОП | 1-8 | Для микросхем - параметр | ||
2.10 Выходной ток низкого уровня | + | Р, ОП | 1-8 | Для микросхем - параметр | ||
2.11 Выходной ток высокого уровня | + | Р, ОП | 1-8 | Для микросхем - параметр | ||
2.12 Время установления входных сигналов | + | ОП | 1-8 | - | ||
2.13 Время удержания | + | ОП, Р | 1-8 | - | ||
2.14 Время сохранения сигнала | + | ОП, Р | 1-8 | - | ||
2.15 Время цикла | - | ОП, Р | 1-8 | Норма "Р" для динамических ОЗУ | ||
2.16 Время цикла записи | + | ОП, Р | 1, 2, 4, 6-8 | Норма "Р" для динамических ОЗУ | ||
2.17 Время цикла считывания | + | ОП, Р | 1-8 | Норма "Р" для динамических ОЗУ | ||
2.18 Время цикла стирания | + | ОП | 6 | - | ||
2.19 Длительность сигнала | + | ОП, Р | 1-8 | - | ||
2.20 Длительность сигнала записи | + | ОП, Р | 1, 2, 4, 6-8 | - | ||
2.21 Длительность сигнала считывания | + | ОП, Р | 1-8 | - | ||
2.22 Время фронта нарастания сигнала | + | ОП | 1-8 | - | ||
2.23 Время фронта спада сигнала | + | ОП | 1-8 | - | ||
2.24 Сопротивление нагрузки | - | ОП, НР | 1-8 | - | ||
2.25 Емкость нагрузки | + | ОП | 1-8 | - | ||
Примечания 1 Для указания способа задания норм на параметры применены следующие обозначения: - Н - номинальное значение параметра; - НР - номинальное значение параметра с двухсторонним допускаемым отклонением (разбросом); - Р - двухсторонние границы значения параметра (разброса) без указания номинального значения; - ОП - односторонний предел значения параметра без указания номинального значения. | ||||||
2 Необходимость включения в ТУ на конкретные типы запоминающих устройств параметров, не отмеченных как обязательные, а также дополнительных параметров, определяет разработчик совместно с заказчиком и основным потребителем. 3 В ТУ могут включаться производные параметров 1.24, 1.27, 2.12, 2.13, 2.14, буквенные обозначения которых образовывают по способу, указанному в ГОСТ Р 57441. В этом случае способ задания норм на эти параметры следует брать из таблицы 2 для соответствующего параметра, как основного. 4 Параметры 2.1 (2.2), 2.5, 2.6, 2.10, 2.11, 2.25 дополнительно включают в таблицу предельно допустимых и предельных режимов эксплуатации. |
5.2 Основные классификационные параметры приведены в таблице 3.
Основные классификационные параметры подлежат обязательному включению в ТУ.
Таблица 3
Наименование параметра | Обозначение классификационной группы |
Информационная емкость | 1-8 |
Количество информационных слов | 1-8 |
Количество разрядов в информационном слове | 1-8 |
Время выборки | 1-7 |
Время поиска | 8 |
Динамический ток потребления (динамическая потребляемая мощность) | 1-8 |
Ток потребления (потребляемая мощность) в режиме хранения | 1-8 |
Количество циклов перепрограммирования информации | 6, 7 |
Время хранения информации при отключенном питании | 6, 7 |
5.3 Параметры-критерии годности запоминающих устройств в различных видах испытаний приведены в таблице 4.
Таблица 4
Наименование | Контроль соответствия требованиям | ||||||||||||||||||||
параметра- критерия годности | к конст- рукции | стойкости к внешним воздействующим факторам | надежности | на воз- дейст- | к упа- ковке | ||||||||||||||||
Виды испытаний | вие | ||||||||||||||||||||
на тепло- стой- кость при | на вибро- устой- чивость | на вибро- проч- ность | на удар- ную проч- ность | на воз- дейст- вие оди- | на воз- дейст- вие линей- | на воз- дейст- вие акус- | на воз- дейст- вие повы- шен- | на воз- дейст- вие пони- | на воз- дейст- вие изме- нения | крат- ко- вре- мен- ное | дли- тель- ное | на воз- дейст- вие атмо- | на воз- дейст- вие повы- | на воз- дейст- вие инея и росы | на воз- дейст- вие запа- | на без- отказ-ность | на сохра- няе- мость | на хра- нение при повы- | спе- циаль- ных фак- торов | ||
пайке | ноч- ных уда- ров | ного уско- рения | тичес- кого шума | ной темпе- ратуры среды при экс- плуа- тации | жен- ной тем- пера- туры среды при экс- плуа- тации | темпе- ратуры окру- жаю- щей среды | на воздействие повышенной влажности воздуха | сфер- ного пони- жен- ного дав- ления | шен- ного дав- ления | сов устой- чи- вости к воз- дейст- вию меха- ничес- ких, тепло- вых и элек- тричес- ких нагру- зок | шен- ной тем- пера- туре | ||||||||||
Параметры функциона- льного контроля | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | |||||
Выходное напряжение низкого уровня | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | |||||
Выходное напряжение высокого уровня (выходной ток высокого уровня) | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | |||||
Входной ток низкого уровня | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1 8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | |||||
Входной ток высокого уровня | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | |||||
Ток потребления | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | |||||
Выходной ток в состоянии "Выключено" | - | - | - | - | - | - | - | - | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | 1-8 | - | - | 1-8 | 1-8 | - | 1-8 | ||
Время выборки и другие параметры, наиболее полно характери- зующие микросхему по быстродей- ствию | - | - | - | - | - | - | - | - | 1-8 | 1-8 | - | - | - | - | - | - | 1-8 | 1-8 | - | - | |
Примечания 1 Принадлежность параметров-критериев годности к различным видам испытаний указана сочетанием обозначений соответствующих классификационных групп и буквы "о" для запоминающих устройств категорий качества ВП, ОС, ОСМ. 2 Параметры функционального контроля выбирают из таблицы 2. |
5.4 Состав типовых характеристик запоминающих устройств приведен в таблице 5.
Таблица 5
Наименование типовой характеристики | Обозначение характеристики | Характеристики, подлежащие обязательному включению в ТУ | Обозначение классифика- ционной группы |
Зависимость динамического тока потребления от температуры | + | 1-8 | |
Зависимость динамического тока потребления от напряжения питания | + | 1-8 | |
Зависимость динамического тока потребления от частоты следования импульсов тактовых сигналов | - | 1-8 | |
Зависимость тока потребления в режиме хранения от температуры | + | 1-8 | |
Зависимость времени хранения информации при отключенном питании от количества циклов перепрограммирования | + | 6, 7 | |
Зависимость времени хранения информации при отключенном питании от температуры | + | 6, 7 | |
Зависимость времени выборки от температуры | + | 1-7 | |
Зависимость времени выборки от напряжения питания | + | 1-7 | |
Зависимость времени выборки от емкости нагрузки | + | 1-7 | |
Зависимость времени поиска от температуры | + | 8 | |
Зависимость времени поиска от напряжения питания | + | 8 | |
Зависимость времени поиска от емкости нагрузки | + | 8 | |
Примечание - Необходимость включения в ТУ характеристик, не отмеченных как обязательные, а также дополнительных характеристик, определяет разработчик совместно с заказчиком и основным потребителем запоминающих устройств. |
УДК 621.316.8:006.354 | ОКС 31.040.99 |
Ключевые слова: микросхемы интегральные запоминающиеся устройства, система параметров, классификация, основные параметры, параметры-критерии годности, типовые характеристики |